來源：中國證券報
作者：楊潔
A股又來一個新名詞「第三代半導體」。
9月4日，第三代半導體板塊逆勢領漲A股各板塊，多家公司上漲5%以上。乾照光電、聚燦光電漲停，臺基股份漲逾10%，三安光電漲逾8%。
日前，在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業發展高峰論壇上，國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃都已經明確，第三代半導體是重要發展方向，現在到了動議討論實施方案的階段。
什麼是第三代半導體？
據悉，第一代半導體材料是矽(Si)，間接帶隙，窄帶隙；第二代半導體材料是砷化鎵(GaAs)，直接帶隙，窄帶隙；第三代半導體材料目前比較成熟的有碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等，寬禁帶，全組分直接帶隙。
來源：方正證券
第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現更好電子濃度和運動控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。
今年年初，小米發布65W氮化鎵快充，其風頭甚至蓋過了小米10手機主角的風頭，第三代半導體也由此一度成為網紅。
更重要的是，第三代半導體切中新基建的種種需求。5G建設進一步加速了氮化鎵射頻器件的應用，據賽迪顧問數據，氮化鎵射頻器件已經成為5G時代較大基站功率放大器的候選技術。
幾臺車一起快速充電需要達到幾百千瓦的功率，一個電動汽車充電站更是要達到百萬瓦的功率，傳統的矽基功率器件體積較大，但碳化矽模塊則可以實現以很小的體積滿足功率上的嚴苛要求。
安芯基金首席戰略官周貞宏表示，第三代半導體碳化矽和氮化鎵都處於產業即將爆發階段，相當於70年代的矽的狀態。中國有巨大的市場大規模投入，在第三代半導體材料生長(創新方法)、工藝處理(提高利用率和成品率)、設計應用(結構性能成本)、封裝測試(材料工藝散熱)等環節都存在巨大機會。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長於崑山表示，2020年是第三代半導體產業發展的關鍵窗口期。以5G、新能源汽車、能源網際網路、消費類電子、新一代顯示、紫外等應用市場啟動為契機，已經完成布局並實現產業化的企業和地區將首先收穫成果。而受國際環境變化因素影響，正在加緊布局的企業特別是新組建的企業和新建產業園需要重新審視可能存在的風險。
國內廠商積極布局
根據申港證券統計，僅2020年一季度國內就有多個第三代半導體項目有新的進展。2020 年 3 月，中國電科(山西)碳化矽材料產業基地、積塔6英寸碳化矽生產線兩個項目開始投產。一季度，和通訊(徐州)第三代半導體產業基地、綠能芯創碳化矽晶片項目以及博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目三個項目開工；泰科天潤運營總部及碳化矽器件生產基地項目、高啟電子氮化鎵外延片項目等多個項目實現籤約。
隨著第三代半導體應用需求攀升，國際巨頭近年來也通過併購以及擴產來鞏固自身優勢。據CASA Research不完全統計，2019年國際半導體領域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導體等企業通過併購推進其在第三代半導體領域的布局，材料、器件及模組標的均有涉及，整體涉及金額超過100億美元。
2019年，還有6家國際巨頭提出多項擴產計劃項目，碳化矽的擴產佔到八九成，其中最大的項目是科銳兩次宣布擴產計劃，投資近10億美元，滿足車規級標準的8英寸功率和射頻晶圓製造工廠。
於崑山介紹，我國第三代半導體產業正在加速推進產業化進程，碳化矽襯底4英寸導電和半絕緣襯底已經實現產業化，4英寸半絕緣碳化矽襯底批量商用；6英寸導電襯底小批量供貨，8英寸襯底已研製出。用於電力電子器件的矽基氮化鎵外延基本實現6英寸產業化和8英寸材料的樣品研發，4英寸樣品實現綜合指標達國際先進水平，2-3英寸襯底小批量產業化。
不過，於崑山也坦承，產業鏈各環節所需原材料仍然對國外依賴性較高，如襯底材料方面，出於國內外技術指標、性價比對比考慮，對科銳、住友等的依賴仍然較高。
周貞宏介紹，高速發展的碳化矽材料市場由4家國際巨頭壟斷，國產碳化矽基材僅佔全球市場的2.2%，擴產能需要時間同時需要投入巨資購買設備，當務之急如能把有限的晶體更有效地利用起來快速滿足客戶需求，將創造巨大價值。
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據CSA產業研究院報告介紹，國內碳化矽產業鏈企業包括：山東天嶽、天科合達、世紀金光、揚傑科技、泰科天潤、三安集成等。國內氮化鎵供應鏈企業包括：華功半導體，三安光電，華燦光電等。國內碳化矽基氮化鎵供應鏈企業包括：英諾賽科、華為海思、士蘭微、海威華芯等。
第三代半導體SiC產業鏈分布圖
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