華為加速進軍第三代半導體,入股全芯微電子!

華為哈勃自2019年4月成立至今，已投資了20家企業，投資管理企業覆蓋了半導體產業鏈的上下遊，作為華為投資的主體，可謂是「盡心盡力」。

11月23日，據企查查消息顯示，哈勃科技投資有限公司又新增投資了寧波潤華全芯微電子設備有限公司（簡稱「全芯微電子」），投資數額約214.29萬元，投資比例佔6.31%。

圖片來源：企查查截圖

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華為哈勃新增投資

華為哈勃新增投資全芯微電子，根據企查查官網顯示，全芯微電子成立於2016年9月，主要從事化合物半導體、LED、SAW、 OLED、光通訊、MEMS、先進封裝等新型電子器件製造領域，經營範圍包含：半導體晶片生產設備、測試設備、機械配件等。

全芯微電子專注於半導體晶片設備研發和製造，其勻膠顯影機成熟應用於化合物半導體4~6寸晶圓晶片的製造，可實現線寬0.1微米的工藝製程，助力國產高端晶片製造。

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華為積極布局第三代半導體產業

這是華為哈勃投資的第三家第三代化合物半導體相關企業。

2019年8月，華為哈勃投資入股山東天嶽，獲得10%股份。山東天嶽作為我國第三代半導體材料碳化矽的龍頭企業，成立於2011年12月，集各類半導體晶體及襯底材料的研發設計、生產製造與銷售為一體，主要產品包括碳化矽產品及藍寶石產品，並提供藍寶石晶片加工服務。作為全球第四家碳化矽材料量產的企業，已經能夠供應2英寸~6英寸的單晶襯底。

2020年7月，華為哈勃投資入股北京天科合達，持股數量8861.666，持股比例4.82%，北京天科合達是全球領先的碳化矽晶片製造商，目前已實現6英寸碳化矽晶片的批量供應，8英寸晶片啟動研發。

值得注意的是，華為投資的企業技術均為自主研發，在各自細分領域具有一定程度的影響力。

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第三代半導體「錢」景誘人

第三代化合物半導體的主要材料是碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs），憑藉其更寬的禁帶寬度、高溫、高壓、高頻率和大功率等優異性能，近年來產業迅猛增長，而 2020 年 9月4日，我國更是計劃將「大力發展第三代半導體產業」寫入十四五規劃。

據機構預測，第三代半導體市場規模預計將從2020年的10億美元增長至2025年的35億美元，年複合增長率超過20%。

這一系列政策和數字的背後，是行業需求、供應鏈提升和改進、以及相關技術的巨大進步。

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結語

華為在第三代半導體的布局之路上走的緩慢但堅定，此次投資入股全芯微電子，更表明了華為對於第三代半導體前景的認可。

而華為借「哈勃」之手，通過不斷的產業投資，擴張，對科技前沿領域進行不斷的探索。

此前，在半導體領域，華為供應鏈遍布全球。而近年來華為積極幫助國內半導體企業，構建產業生態布局，加速向實現國產替代，擺脫對國外技術的依賴這一目標進軍。

文稿來源：化合物半導體市場，Amber

圖片來源：拍信網