胡正明先生到訪時代全芯研發中心

2021-02-15 力利記集團


2016年6月30日，胡正明先生到訪時代全芯公司研發中心，並與公司張龍董事、楊劍輝董事進行了深入的會談；胡正明先生充分肯定了公司目前取得的成果，並認為公司發展的方向完全正確，對一家民營企業取得如此的成果非常讚賞，同時也認為中國政府應當大力發展半導體行業，尤其是在第四代先進存儲器方面，對於像時代全芯這樣的企業政府更應當大力投入和扶持。

胡正明先生同時也表示，公司應當做好未來的規劃和面對挑戰的準備，他會時刻關注我們的企業，待工廠設備進駐後，他將親臨工廠進行指導。

胡正明先生是美國科學院、中國科學院和臺灣中央研究院三院院士，美國伯克利大學教授，其發明的半導體FinFET技術對世界半導體行業產生了深遠的影響，目前世界半導體巨頭INTEL、IBM、三星等公司都在使用該技術。

公司的發展能夠得到世界半導體導師的認可和肯定，更增加了我們的信心，也更加強了我們在技術上與世界半導體科技業的聯貫與溝通。

專家簡介

胡正明

FinFET技術發明人FD-SOI工藝發明人

IEEE Fellow

美國工程院院士

中國科學院外籍院士

美國加州大學伯克利分校教授

微電子學家，1973年獲美國加州大學伯克利分校博士學位。現任美國加州大學伯克利分校傑出講座教授、北京大學計算機科學技術系兼職教授、中國科學院微電子所榮譽教授、臺灣交通大學(新竹)微電子器件榮譽教授、1991-1994年任清華大學(北京)微電子學研究所榮譽教授，1997年當選為美國工程科學院院士。2007年當選中國科學院外籍院士。2015年12月獲得美國國家技術和創新獎。


2016年5月19日，美國總統歐巴馬在白宮為胡正明頒發美國國家科學獎章.

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