華為旗下哈勃出手第三代半導體材料

2020-12-05 電子工程專輯

以碳化矽、氮化鎵、氧化鋅為代表的寬禁帶半導體材料又被稱為第三代半導體材料。第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和率及更高的抗輻射能力，因而更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大於2.2ev），也被稱為高溫半導體材料。VtFEETC-電子工程專輯

華為投資碳化矽龍頭企業山東天嶽

在第三代半導體材料中，碳化矽似乎成為「新寵」。VtFEETC-電子工程專輯

近日，據天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。據悉，山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。VtFEETC-電子工程專輯

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天眼查顯示，4月23日，哈勃科技投資有限公司成立，註冊資本為7億元人民幣，其經營範圍是創業投資業務，法定代表人、董事長以及總經理均為白熠。而這家新成立公司的大股東是華為投資控股有限公司，出資比例100%。換而言之，哈勃科技投資有限公司為華為投資控股有限公司全資子公司。VtFEETC-電子工程專輯

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工商資料顯示，山東天嶽2010年成立，起步於碳化矽單晶襯底材料，曾獲批國家級研發新平臺 《碳化矽半導體材料研發技術國家地方聯合工程研究中心》。經營範圍包括了碳化矽晶體襯底材料的生產；功能材料及其元器件、電子半導體材料的研發、銷售；半導體器件專用零件、光電子器件、電力電子器件及電子器件用材料、人造剛玉、人造寶石的製造及銷售等。此外，山東天嶽先進材料科技有限公司高品質4H-SiC單晶襯底材料研發與產業化項目山東省2019年重點建設項目名單之一。VtFEETC-電子工程專輯

此次哈勃投資入股山東天嶽，或許可以說明華為看好第三代半導體材料產業前景。國內從事碳化矽項目公司還有三安光電、揚傑科技、澳洋順昌、晶盛機電、藍海華騰、楚江新材、海特高新等。VtFEETC-電子工程專輯

碳化矽的重要性

碳化矽（SiC）為由矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。由於天然含量甚少，碳化矽主要多為人造。最簡單的方法是將氧化矽砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。VtFEETC-電子工程專輯

愛德華·古德裡希·艾其遜在1893年製造出此化合物，並發展了生產碳化矽用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。VtFEETC-電子工程專輯

碳化矽主要應用在半導體、避雷針、電路元件、高溫應用、紫外光偵檢器、結構材料、陶瓷薄膜、細絲高溫計、裁切工具、加熱元件、核燃料、珠寶、鋼、護具等領域。VtFEETC-電子工程專輯

據法國知名電子供應鏈市場研究機構Yole預計，到2020年全球碳化矽應用市場規模將達到5億美元，而到2022年市場規模將翻倍達到10億美元，2020-2022 年的複合增速將達到40%。VtFEETC-電子工程專輯

當前，中國在這個領域相對落後。財通證券指出，日、美、德、俄等國都在花大力研究，目前被少數發達國家壟斷封鎖並對中國實施禁運。目前，全球碳化矽產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨大，全球70-80%的碳化矽半導體產量來自美國公司；歐洲在碳化矽襯底、外延、器件 以及應用方面擁有完整的產業鏈；日本是設備和模塊開發方面的絕對領先者。VtFEETC-電子工程專輯

而國內僅有少數幾家從事碳化矽襯底材料和外延材料的研發工作。在碳化矽功率器件方面，雖然清華大學、中國科學院等都有此類器件的課題研究，但主要是理論研究及實驗室的研究成果。VtFEETC-電子工程專輯

華為目前已經在5G產品上取得領先，碳化矽又是5G通訊和物聯網的基礎材料，此次投資或許有助於華為更好的掌握新材料技術。VtFEETC-電子工程專輯

華為欲打造完整供應能力

據資料顯示，7月11日，華為近日還投資了從事電源管理晶片設計的傑華特微電子（杭州）有限公司（以下簡稱杭州傑華特）。VtFEETC-電子工程專輯

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官方資料顯示，杭州傑華特成立於2013年3月，註冊資本5500萬元，總部位於杭州，在美國、韓國,中國張家港、深圳、廈門等地設有分公司。VtFEETC-電子工程專輯

傑華特致力於功率管理晶片研究，為電力、通信、電動汽車等行業用戶提供系統的解決方案與產品服務。目前，杭州傑華特擁有電池管理，LED照明，DC/DC轉換器等產品。VtFEETC-電子工程專輯

傑華特在業界被稱為「小矽力傑」，團隊核心人員來自美國德州儀器和美國芯源公司等。VtFEETC-電子工程專輯

事實上，哈勃科技兩次出手投資均與半導體產業相關。這也讓人聯想到華為在晶片領域迅速布局，在美國打壓下，華為正圍繞晶片製造打造完整的供應能力。VtFEETC-電子工程專輯

責編：Yvonne GengVtFEETC-電子工程專輯

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