據企查查顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日新增一家對外投資——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，認繳出資額為977.1987萬元。
瀚天天成成立於2011年，是一家集研發、生產、銷售碳化矽外延晶片的中美合資高新技術企業，是國內首家產業化3、4、6英寸碳化矽外延晶片生產商，同時代理銷售半導體相關的產品及技術。瀚天天成近期目標是成為全球市場主要的碳化矽外延晶片供應商。
碳化矽（SiC）屬於第三代半導體材料，相比於矽基，碳化矽擁有更高的禁帶寬度、電導率等優良特性，更適合應用在高功率和高頻高速領域，如新能源汽車和 5G 射頻器件領域。在此之前，哈勃科技還投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。
新能源汽車為碳化矽的最重要下遊領 域，主要應用包括主驅逆變器、DC/DC 轉換器、充電系統中的車載充電機和充電樁等。特斯拉在MODEL 3 上使用24個SiC MOSFET 模塊作為主驅逆變器的核心部件替代 IGBT，SiC MOSFET 使逆變器效率從 Model S 的 82%提升到 Model 3 的90%。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代，2020年中國SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。其中， SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達到35.35億元，比去年的29.03億元將增長21.77%。
相關公司方面，第三代半導體 板塊顯示，
露笑科技：子公司露笑藍寶石近日與國宏中宇的控股子公司山東國宏中能科技發展有限公司籤訂了《碳化矽長晶成套設備定製合同（第二批）》，合同總金額9600萬元。此外公司還與合肥市長豐縣人民政府共同投資建設第三代功率半導體（碳化矽）產業園，項目總投資100億元。
英唐智控：公司將逐步實施參股上海芯石及設立新半導體晶片製造企業的規劃，該規劃主要目的在於建立圍繞矽基、碳化矽為基礎的模擬電路、大功率器件等半導體晶片設計及生產製造的產業鏈條。