MOSFET的驅動技術有哪些?圖文並茂告訴你真相!

■MOS雖然是電壓型驅動，但是由於寄生電容的存在，必須要求驅動電路提供一定的驅動電流。

■較小的驅動電流，會導致MOS的GS電壓上升緩慢，降低了開關速度，提高了開關損耗。

■米勒電容Cgd

■米勒電容雖然看起來很小，但是對驅動的影響很大，特別在VDS比較高的場合。但是在ZVS和同步整流等應用中，由於VDS會在驅動上來之前，下降到零，就不存在這個問題。

■上面的例子定義驅動能力為峰值電流（在特定條件下）

■有些廠商就用內阻來定義驅動能力。

■當IC本身的驅動能力不足的時候，就需要外加驅動電路來增強驅動能力，以達到快速開關MOS的需求

■1.採用分立器件，比如圖騰柱。

■2.採用集成的驅動IC.

■MOSFET的低端（low side）驅動：

■所謂低端驅動，就是驅動電路的參考地，就是MOS的S端。

■低端驅動，電路往往比較簡單，除了驅動能力之外，還是需要注意一些細節。

■MOSFET的高端（High Side)驅動

■很多情況下，MOSFET的S極並不是IC的參考地，比如BUCK開關管，橋式電路的上管……

■自舉驅動，利用自舉電路，自動抬升供電電壓。自舉的驅動晶片種類很多，但是需要注意其耐壓。

■對於二極體整流的buck，自舉驅動需要注意的問題。

■利用變壓器隔離驅動：

■對於浮地的MOS，或者和IC隔離的MOS，通常可以採用變壓器隔離驅動

■變壓器隔離驅動的關鍵：

■變壓器隔離驅動關鍵考慮的問題，就是變壓器的復位，比較常用是利用隔直電容來復位，但是需要注意的是，採用隔直電容之後，有可能變壓器傳遞的電壓幅度和佔空比有關。需要考慮變壓器的變比。

■對於跨初次級的驅動變壓器，還需要考慮其耐壓的問題。

■利用簡單倍壓電路來抬升驅動電壓。

■下圖的驅動電路，可以傳遞大佔空比的驅動信號，而且可以讓驅動電壓不下降。

■隔直電容帶來的問題：

■由於隔直電容會儲存能量，所以在驅動消失之後，隔直電容會和變壓器產生諧振，導致驅動電路傳遞錯誤的驅動信號。

■為了降低這個問題的影響。可以利用這些電阻來阻尼這個震蕩。

■對具有隔直電容的驅動電路，有些IC會植入soft stop的功能：在關機時候，讓驅動的佔空比逐漸降低到0.

■為了避免這個隔直電容帶來的問題，可以採用無電容的變壓器驅動電路。

■如果用IC直接驅動變壓器，那麼需要注意：

■同步整流驅動，需要注意邏輯的問題

■同步整流2個管子的驅動關係為互補，但是當主管長時間關斷的時候，整流管就會出現長時間導通的情況。

■所以在關機的時候，不能簡單的把主管驅動信號置低，而要同時把整流管的驅動信號也置低。

■MOS的並聯驅動，並聯驅動要儘量保證每個管子的驅動線對稱。