電源晶片PN8160內置MOS,內置CS電阻,高低壓分頻,超低待機功耗,EMI特性非常好,變壓器不需屏蔽過EMI,輸出肖特基無需散熱片,滿足歐洲最嚴格能效標準同時還可將整體成本降低5%-8%。
PN816012V/2A 六級能效具體方案優勢:多模式(QR-PWM+QR-PFM+BURST-MODE); 專利高壓啟動模塊+低工作電流;超低待機功耗小於65mW;六級能效裕量充足,消除異音;零炸機風險。
PN8160方案特性: 輸入電壓:90~265Vac 全電壓;輸出功率:24W(Typical);平均效率:≥86.8%(滿足六級能效以及 COC V5 T2 要求,輸出線端 20AWG 1.5M);待機功耗:<50mW(Vin=230Vac); 輸出過壓保護、VDD 欠過壓保護、過溫保護、過載保護、輸出二極體短路等保護。
驪微電子代理的PN8160 內部集成了脈寬調製控制器和功率MOSFET,用於高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源,該晶片提供了極為全面和性能優優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護,過載保護,軟啟動功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三種模式混合調製技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗,全電壓範圍下的最佳效率。頻率調製技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現。