PN8036M內置650V高壓啟動模塊，實現系統快速啟動、超低待機功能。該晶片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8036M的降頻調製技術有助於改善EMI特性，下面跟隨驪微電子小編芯朋微代理詳細了解非隔離ac/dc電源晶片PN8036M小家電方案。
1. 高壓啟動：在啟動階段，內部高壓啟動管提供2mA電流對外部VDD電容進行充電；當VDD電壓達到VDDON，PN8036M晶片開始工作，高壓啟動管停止對VDD電容充電。啟動過程結束後，輸出通過隔離二極體對VDD電容提供能量，供晶片繼續工作。
2. 恆壓工作模式：晶片通過VDD管腳對輸出進行電壓採樣，VDD電壓經過內部分壓電阻分壓得到採樣電壓VRF。當VRF低於內部基準電壓VREF，晶片開啟集成的高壓功率管，對儲能電感充電，當電感電流達到內部基準電流IPEAK，晶片關閉集成的高壓功率管，由系統二極體對儲能電感續流。圖2-1和圖2-2分別給出連續模式（CCM）和非連續模式（DCM）下系統關鍵節點工作波形。同時晶片集成負載補償功能，可以提高恆壓精度，實現較好的負載調整率。
實際應用中VDD對輸出的電壓採樣還受到隔離二極體影響，因此晶片VDD-REF設置為12.3V(TYP)，以抵消隔離二極體上的壓降。
3.PFM 調製：晶片工作在PFM模式，同時內部設置IPEAK隨晶片工作頻率FSW降低而降低，晶片開關周期每增大1us，Ipeak降低約10mA。由於晶片內置採樣，最大Ipeak固定，當輸出電壓和輸出電流固定時，電感感量是唯一調製工作頻率的參數。建議電感量為0.5mH (EE-13), 如果感量過小，系統帶載能力會偏小，如果感量過大，容易造成電感飽和，影響可靠性。
4.軟啟動：為了避免非隔離系統啟動階段因進入深度CCM模式，帶來較大電流尖峰，PN8036設置軟啟動功能，通過限制Toffmin降低啟動階段的開關頻率。同時晶片設計較小的LEB時間（300ns）,以降低LEB時間內能量大小，避免系統啟動時的高電流尖峰。
5. 智能保護功能：
PN8036M非隔離ac/dc電源晶片集成全面的保護功能，包括：過溫保護、VDD欠壓保護功能，並且這些保護具有自恢復模式。
過溫保護-當晶片結溫超過150℃，晶片進入過溫保護狀態，輸出關閉，當晶片結溫低於120度，晶片重新啟動。
VDD欠壓保護-當晶片VDD電壓低於VDDoff，晶片重新啟動。晶片異常自恢復的時間通過VDD電容調整，VDD電容越大，自恢復時間越長。
PN8036M非隔離ac/dc電源晶片內部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，內置MOSFET具有650V高雪崩能力，以較低的BOM成本（外圍元件數目極少）方便的實現寬電壓高壓降壓小功率電源解決方案，驪微電子廣泛應用於非隔離型家電產品和工業產品等。