電路的功能本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201610/308250.htm
用於大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級電晶體快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級採用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決於電源電壓和負載。本電路能連續輸出100~150W並能承受負載短路。
基本電路組成與限流保護電路的100W功率放大器相同，第二差動級是輸出用的功率MOSFET，2SJ77，電流密勒電路使用了2SK214。雖然工作電流只有6MA，但是，因為電源電壓高達正負50V，電晶體會發熱，於是安裝了小型散熱片。
輸出級採用直接驅動方式，由於不經射極輸出器緩衝，驅動電路的負載就加重了，如果轉換速度需要提高，可以TT5-6的允許損耗範圍內儘量加大漏級偏置電流。
功率MOSFET經常產生高頻振蕩，要抑制振蕩比較困難，簡單的措施是在柵極串聯電阻★標誌的RO，但這要犧牲一些高頻特性，RO的阻值隨所用元件而異，通常在50~500歐之間。
與單極電晶體相比，輸出電路的電壓損耗很大，電源電壓應有所提高。出於輸出電路的損耗電壓取決於功率MOSFET的通態電阻，在大電流條件下工作，這個問題是不可忽視的，所以採用了多管並聯的方式加以解決。
元件的選用因為FET的VOB~ID特性一致性較差，所以TT5和TT6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15應儘量選用傳輸特性不同的產品，偶數高效諧波就會增多。
電路中即使沒有源極電阻R2A~R31也能工作，但是該電路如用作電流檢測並使用色碼繞線電阻，其電感成分不容忽略，這時不宜在高頻條件下工作。
調整第一差動的工作電流可用輸入級的置偏電流來調整，若降低R7，電流就會增大，轉換速度也可加快，如果R1級等於R11，失調電壓就會減小，要完全調零，必須在TT1.2的射極電路中加可變電阻。
輸出級的偏流由VR1調整，每個輸出電晶體的漏極電流平均為100MA左右。