最近一段時間電源產品的需求量爆發性增長，為了滿足出貨和客戶需求，最近一周都在忙著新產品試製和調整。
當然留言還是沒辦法一一回復了，所以我們今天就來講一下留言裡出現頻率最高的問題。
下圖為一款簡單的電源線路圖：
電源輸入端採用的單級EMI抗幹擾電路由C1和L1組成，主要目的就是為了減小電源內的高頻信號對電網的輻射幹擾。
市電經過整流橋BD1和C2濾波後得到一個大約300V的直流電壓，這個電壓一路經過變壓器的一次繞組後加到開關管VT1的漏極，另一路經過VD6後加到晶片的第8腳HV腳，晶片通過內部高壓電流源給VCC的外接電容C6進行充電操作，當C6兩端的電壓達到開啟電壓(大約13V左右)時，晶片開始工作，第5腳DRV輸出PWM方波。
當PWM方波處於高電位時，MOS管導通，能量存儲在變壓器的繞組內，二次側C22對負載進行放電操作。
當PWM方波處於低電位時，MOS截至，存儲在變壓器裡的能量經過VD22、C22整流濾波後輸出直流電壓，輸出電壓經R25、VR21和R26採樣後，經過431和光耦後反饋到控制器晶片的反饋2腳上，從而對輸出的佔空比進行調節作用；圖中的C21主要起到的是軟化整流二極體的開關特性，ZD21並聯在電源輸出端起到過壓保護作用，產品正常工作時，輸出電壓為：
Uo=2.5*(1+(R25+R21+R26)/R26)；
我們可以根據需求電壓對R21進行調節。
這個線路不僅有過壓保護功能，還設有短路保護功能；當負載短路時，晶片2腳電壓超過4.2V，晶片會強制輸出低佔空比PWM，VCC外接電容上的電壓將會線性下降。當電壓降低到10.6V時，晶片會進入保護重啟狀態，此後控制器因為極低的電流消耗，VCC外接電容上的電壓逐漸下降，當電壓下降到5.8V時，晶片會再次啟動對VCC的外接電容進行充電，當電壓達到13V左右時，晶片又會輸出一個PWM波形，從而周而復始，出現打嗝模式。
細心的盆友會發現，我們平常的電源一般都設有輔助繞組，但是上圖中並沒有設計輔助繞組供電的功能，其實用輔助繞組供電可以得到一個比較平穩的電壓，但是我們做的這個產品，客戶對輸出的動態響應要求並不高，所以為了優化成本，可以不設置輔助繞組。