今天我們對 TFT產品的結構、 TFT的工作原理、 TFT在CELL段的測試 進行詳細的分析。
一、 TFT-LCD的結構
1、顯示原理
偏光片只讓與自己方向相同的光通過,旋轉的液晶能改變光的方向。液晶在電壓作用下改變旋轉角度。
2. TFT LCD剖面示意圖(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)
3、TFT Pixel工作模型
怎樣的結構設計可以實現 R G B 複雜的顯示呢?
4、 TFT Pixel結構一
5、TFT Pixel結構二
5、TFT Pixel結構二
6、TFT Pixel結構三--保持電容Cs
7、TFT Pixel結構四—TFT DEVICE
7、TFT Pixel結構四
1.鍍上 鈦鋁鈦 合金(GATE) 厚度 800/1800/1000A
2.S : SiNx (氮矽化合物,絕緣層)I : a-Si (非結晶矽,通道層)N : N+(高濃度磷的矽)降低界面電位差,使成為歐姆接觸(Omic contact)
3.鍍上 鈦鋁鈦合金(source,drain)厚度 800/1800/1000A
4.鍍上 SiNx 保護層(把金屬部份蓋住),並且做VIA層(使電氣信號導入panel).鍍上ITO(銦錫氧化物,透明畫素電極)
8.TFT生產工藝--五道光罩
8.5道光罩之作用
9.5道光罩之圖片一
9.5道光罩之圖片二
9.5道光罩之圖片三
9.5道光罩之圖片四
9.5道光罩之圖片五
二、 TFT的工作原理
1.T-V curve(光電轉移曲線)
2.TFT pixel 等效電路
3.TFT-LCD的驅動等效電路
4.TFT的掃描方式
以1024 x 768 解析度屏幕為例,gate走線768條,source走線1024條,設更新頻率為60Hz,則:每一個畫面的顯示時間約為:Tf=1/60=16.67ms每一條gate走線的開關時間約為:Ton/off=16.67ms/768=21.7μs
5.TFT的掃描與顯示—點顯示
5.TFT的掃描與顯示—水平線顯示
5.TFT的掃描與顯示—垂直線顯示
三、 TFT在CELL段的測試
1.TFT在CELL測試基本線路—測試點
目前業界中小尺寸(〈10寸)在CELL大多使用測試點測試方式。測試點一般為摸組使用線路之延伸線。
2.TFT在CELL測試模式—nG *nD*nC
名詞解釋:
nG :G指Gate,門電極或信號掃描線,n指門電極可獨立輸入的數量。nG 就是指可獨立輸入Gate的數量
nD:D指Data,數據線或信號線,n指信號線可獨立輸入的數量。nD 就是指可獨立輸入Data的數量
nC:C指COM,信號基準線,n指信號基準線可獨立輸入的數量。nD 就是指可獨立輸入Data的數量
VGG:指Gate的開關信號。某些產品設計只有VGG打開(高電平),Gate才能有效輸入。
nG *nD*nC模式常見類型: 1G *1D*1C, 2G *2D*1C, 2G *3D*1C……
3.TFT在CELL測試模式—nG *nD*nC波形說明
1G
*1D*1C波形驅動下只有灰皆畫面。
2G
*2D*1C波形驅動下只有灰皆畫面,但可出現水平和垂
直的奇偶畫面,對於特定不良檢測有效。
2G
*3D*1C波形驅動下有灰皆畫面,還可以出現R,G,B
等單色畫面,對於特定不良檢測有效。
4.TFT 亮點的檢測亮點形成機理:異常像素TFT與CF間電壓差比周圍像素低。至於導致電壓低的原因很多,最常見的有上下ITO短路,TFT與COM短路,TFT
結構異常(電阻過大,漏電等)。亮點的檢測方法:1.黑畫面/灰畫面(不同程度的灰皆畫面)。2.延長周期。
5.TFT 線缺陷的檢測線缺陷形成機理:異常線路的電壓信號無法正常輸入至顯示區。原因最常見的有Data或者Gate線路刮傷導致斷路。Data或者Gate之間短路。Data或者Gate 線路橋接處異常(電阻過大,漏電等)。線缺陷的檢測方法:1.黑畫面/灰畫面(不同程度的灰皆畫面)。
TP(觸控)技術 視頻教材(多多轉發)
匯頂(GOODIX)IC 調試課程25課時全部結束
奕力IC 調試課程30課時全部結
思立微IC 調試課程20課時全部結束
PS:掃描下方二維碼加入小編個人微信公眾號,有不一樣的觸控技術(用手機長按二維碼點擊 「識別圖中二維碼」 加入)