理想電容器阻抗與實際等效電路

理想電容器的阻抗隨著頻率的升高而逐漸變低，阻抗Z與信號頻率和電容器容值得關係如下：

Z=1/2πfC （1）

Z表示電容器的阻抗，單位歐姆，f表示頻率，單位Hz,C表示電容器的容值，單位F。

例如，下圖給了4個理想電容器的阻抗曲線。

4個不同容值電容

這讓人產生疑問，為什麼當頻率很高的時候，不在電路板上加一個很大的去耦電容器去實現低阻值呢？原因是，一個實際的電容器的行為並不是想理想電容器那樣。實際電路中，一個封裝0603的電容器的阻抗與頻率的變化曲線如下：

一個0603電容

雖然初看類似一個理想電容器，但與理想電容器不同的是，實際電容器的阻抗會先達到一個最低值，然後阻抗值開始增加。一個實際電容器在很高頻時可以用一個簡單的RLC電路模型加以近似。一個理想RLC電路模型的仿真阻抗可以與實測的性能有很好的吻合。如圖：

實測阻抗與仿真阻抗

給出了特定阻抗值進行實測和仿真結果的比較，其中R=0.017歐，C=180nF，L=1.3nH。

在該模型中，R，L，C是理想元件，他們的參數值隨頻率恆定不變，但是，當這幾個元件串聯連接時，其阻抗曲線非常接近實際電容器的實測阻抗。

因此，通常情況下，RLC電路模型對實際電容器建模時很有用，即使在頻率大於1G的高頻頻帶也依舊適用。

RLC模型表現出的綜合特性不同於任何元件的單獨特性，在低頻處，RLC電路的阻抗取決於理想電容，在高頻處，則取決於理想電感，而理想電阻則決定了RLC電路的最低阻抗。

RLC模型中R,L,C各自的阻抗

RLC電路阻抗最低處的頻率稱為自諧振頻率（SRF）,

Fsrf=1/2π √(L*C) (根號LC); Fsr單位：MHz L單位：nH C單位：nF

例如，對於上述給出的實際電容器C=180nF，Srf=10.4MHz.和實測的自諧振頻率非常接近。