發表於 2018-01-06 12:16:21
電晶體放大電路的主要構成元件為pnp型、npn型矽電晶體及若干電阻組成。它主要利用電晶體的特性對電路中電流進行放大,通過對該電路的輸入特性與輸出特性的分析,得出該放大電路包含3種工作狀態,即飽和區、放大區及截止區,正常情況下應使放大電路工作在放大區。常見電路形式如圖1所示。
場效應管也是作為一種最基本的放大電路,它的主要組成為場效應管及若干電阻,其工作原理與電路形式和電晶體放大電路相同,相比電晶體放大電路,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好等優點。常見電路形式如圖2所示。
差分放大電路的主要構成為電晶體、場效應管及若干電阻,它的主要特點在於採用完全對稱的電路結構形式,以此來抑制基本放大電路產生的零點漂移,使得工作點更加穩定,常見電路形式如圖3所示。
有源負載放大電路主要構成元件為電晶體、場效應管及若干電阻,這种放大電路以電流源電路作為有源負載,這樣在電源電壓不變的情況下,既可獲得合適的靜態電流,對於交流信號,又可以得到較大的等效電阻,從而提高電壓增益。常見電路形式如圖4所示。
為了研究等效電路法在實際放大電路分析中的應用,下面以電晶體放大電路分析為例。
首先將電晶體作為一個雙口網絡,如圖5所示。
以B-E作為輸入埠,以C-E作為輸出埠,則網絡外部的端電壓和電流之間的關係就是電晶體的輸入特性和輸出特性,如圖6和圖7所示。
根據特性曲線,可以將輸入特性、輸出特性寫成關係式
h參數的下標e表示共發射極接法,i表示輸入;r表示反向傳輸;f表示正向傳輸;o表示輸出,其中
由h參數方程可知,電壓vBE由兩部分組成,第一項表示由iB產生一個電壓,所以hie為一電阻;第二項vCE由產生一個電壓,因而hre無量綱;所以B-E間可以等效成一個電阻與一個受控電壓源串聯。
電流iC也由兩部分組成,第一項表示由iB控制產生一個電流,因而hfe無量綱;第二項表示由vCE產生一個電流,因而hoe為電導;所以C-E間可以等效為一個受控電流源與一個電阻並聯。這樣得到的電晶體的等效模型如圖8所示。由於h參數方程中的4個h參數的量綱都不同,故稱為h參數等效模型。
輸入迴路:從前面對電晶體的特性分析可知,當電晶體工作在放大區時,C-E間的電壓對輸入特性曲線的影響很小,即管子的內反饋可以忽略不計,可以vCE》;VBE用的任意一條特性曲線取代vCE》;VBE的所有特性曲線。因此,認為hre=0,則電晶體的輸入迴路只等效為一個動態電阻rBE(hie)。
輸出迴路:當電晶體工作在放大區時,C-E間電壓的變化對iC的影響很小,即在放大區輸出特性曲線幾乎是橫軸的平行線,可以認為C-E間的動態電阻1/hoe無窮大。因此,hoe近似為0,電晶體的輸出迴路只等效為一個電流iB控制的電流源βiB(hfeiB)。簡化後的h參數等效模型如圖9所示。
以上分析了電晶體等效模型,其分析結論可直接用於分析由電晶體所構成放大電路的各種動態參數,該結論完全可以適用於場效應管及其組成的放大電路中,而其他類型放大電路如差分放大電路、功率放大電路,還有由許多基本電路構成的集成運算放大電路,由於其基本構成與電晶體、場效應管放大電路相同,所以同樣可以採用等效電路法來分析。
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