UV LED產業發展格局及未來技術發展研究分析

2020-12-05 OFweek維科網

　　（2）提升發光效率

　　紫外LED晶片還將面臨的一個問題是，現在LED晶片幾乎全部使用氧化銦錫做透明導電層，氧化銦錫材料對可見光的吸收確實很少，但是氧化銦錫對紫外光的吸收卻明顯變強，同時紫外晶片的正向電壓相對藍綠光晶片的正向電壓偏高。

　　晶元光電聯合臺灣儀科中心，以及中央大學薄膜技術中心，將先進材料石墨烯應用於紫外LED的製造技術，共同執行「開發電漿輔助高溫原子層沉積系統應用於紫外LED」計劃，以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯取代氧化銦錫，希望能夠克服紫外LED發光效率降低的問題。

　　未來研究方向

　　根據紫外LED晶片的研究現狀，預計其未來研究發展方向有如下幾個方面：研究高質量的深紫外材料外延生長技術；高Al組分AlGaN材料生長技術和摻雜技術；深紫外LED結構設計；波長300nm以下LED器件晶片製作工藝和封裝技術；面向醫療、殺菌和淨化應用領域的紫外光源模塊開發和應用；近紫外LED激發螢光粉製備高性能白光LED。

　　未來技術問題

　　未來需解決的技術問題是藍寶石襯底上高質量AlN模板的MOCVD外延生長；AlGaN量子阱的發光機制研究與結構控制技術；P型高Al組分AlGaN摻雜技術研究；低歐姆接觸電極的製作；電流擁堵效應的解決；紫外LED出光效率提高技術；螢光材料的高效合成；耐熱抗紫外封裝材料的研究；深紫外LED的器件工藝和封裝技術；深紫外LED的應用模塊研製等。在國內外眾多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED晶片的應用前景將一片光明。

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