II-VI推出高功率980nm泵浦雷射器模塊

2020-11-28 OFweek光電新聞網

　　光器件和子系統供應商II-VI推出了一款1W，980nm泵浦雷射器模塊；它能實現高達1050毫瓦kink-free光功率。該模塊通過一條光柵穩定單模光纖集成入EDFA系統。

　　這款泵浦雷射器模塊被容納在原有10-pin mBTF（微型蝶形）封裝內，提供一條電機引出線兼容傳統14-pin封裝，但封裝尺寸縮小75%。

　　這款模塊「為EDFA設計者提供了在高功率DWDM解決方案內增加每級輸出功率的新選擇，」II-VI泵浦雷射器事業部總經理Simon Loten表示。「它也可以用來替代成對的較低功率模塊。」

　　該模塊符合Telcordia的GR-468-CORE標準併兼容RoHS 6/6。目前公司已經在為客戶提供樣品，並在第三季度開始逐漸量產。

相關焦點

  • 美國II-VI公司最新推出光通信用980nm半導體泵浦雷射器模塊
    近日，美國工程材料與光電元件製造商II-VI公司已經推出大功率（1W）980nm泵浦雷射器模塊，該模塊採用公司位於瑞士蘇黎世雷射部內部晶圓廠經過驗證的高可靠雷射二極體技術。　　II-VI公司雷射部總經理SimonLoten說，「無論是在雷射轉換效率還是總模塊功耗方面，此先進雷射技術提供了世界上最有效的商業化980nm泵浦雷射器。」新型1W泵浦雷射模塊採用一個光柵穩定的單模光纖實現了1050mW無扭結光功率，更容易集成到摻鉺光纖放大器（EDFA）系統。
  • cioe:德國DILAS發布130W @200μm高亮度光纖雷射器泵浦源
    德國DILAS半導體雷射公司推出了最新的高亮度130W模塊最大輸出功率達到130W，光纖芯徑為200um，數值孔0.22。該模塊有793nm，808nm，915nm，940nm和980nm多種波長可選擇。     該產品採用德國DILAS公司專利封裝技術，在保證高品質的同時，具有極佳的性價比。該模塊基於傳導冷卻二極體陣列封裝，經過嚴格的密封性、振動性和衝擊性試驗測試，能達到業界最高的的工業使用標準：性能穩定、高光束質量、壽命長。
  • 三浦雷射填補200W半導體雷射泵浦模塊國內空白
    近日，從武漢●中國光谷傳來喜訊——武漢三浦雷射產業有限公司的Hipower系列1064nm高功率半導體雷射泵浦模塊隆重面世。該產品的推出，不僅填補了國內領域空白，結束了我國高功率半導體雷射器泵浦模塊完全依賴進口的歷史，而且將對中國雷射工業和醫療應用領域造成深遠的影響。
  • 高功率半導體雷射器的波長穩定技術分析
    半導體雷射器bar條典型的光譜帶寬大約是3～6nm，而且峰值波長會受工作電流和工作溫度的影響而發生漂移。        通常，摻釹固體晶體是對其相對較寬的808nm吸收帶進行泵浦，標準的半導體雷射器系統能很容易地滿足808nm泵浦的光譜要。
  • 高功率半導體雷射器的波長穩定技術
    1.引言　　高功率半導體雷射器系統作為發展成熟的雷射光源，在材料加工和固體雷射器泵浦領域具有廣泛應用。儘管高功率半導體具備轉換效率高、功率高、可靠性強、壽命長、體積小以及成本低等諸多優點，但是光譜亮度相對較差則是一個不容忽視的缺點。
  • 光纖雷射器泵浦源-9xxnm/25W/105um高亮度半導體雷射器
    作為目前世界領先的光纖雷射器泵浦源製造商，凱普林在光纖雷射器泵浦源技術上不斷實現突破，憑藉在半導體雷射工藝十幾年的技術積累，成功開發並量產了高亮度半導體雷射器系列產品。其自主研發的多路半導體雷射器封裝耦合技術針對光纖雷射器體積小、結構簡單、高功率等需求，集成了半導體雷射器小型化封裝、高功率密度輸出和防反射等凱普林自有智慧財產權的核心技術，形成了針對不同光纖雷射器用戶的解決方案。
  • 976nm泵浦源丨成本與技術的雙重優勢
    以往較多的光纖雷射器廠商使用915nm波段泵浦方案，原因在於摻鐿光纖在915nm波段較寬的吸收峰，能夠冗餘較寬的光纖雷射器溫度控制範圍帶來的泵浦波長漂移，但915nm波段泵源較低的吸收係數帶來了成本與技術應用上的雙重障礙，限制了光纖雷射器高功率、低成本的發展趨勢。976nm波段泵浦的光纖雷射器，增益光纖對泵浦光的吸收係數更高。
  • 德國DILAS發布240W/915nm光纖雷射器泵浦模塊
    2015年2月10日，全球領先的半導體雷射器專家德國DILAS最新拓展了其創新領先的T-Bar系列產品的波長範圍。最新的高亮度光纖雷射器泵浦模塊最大輸出功率為240W，波長915nm。　　這款模塊的設計是基於德國DILAS特有的T-Bar結構。
  • II-VI集團擴大18W泵浦雷射二極體產能:用於光纖雷射器
    全球領先的高功率半導體雷射器製造商II-VI集團宣布將擴大18W泵浦雷射二極體生產，該產品應用於光纖雷射器。千瓦級的光纖雷射器廣泛用於工業切割、焊接及銅焊，為器件創新和性能提升創造更多可能。II-VI這款高亮度的雷射二極體特徵是採用190μm寬側端輸出，可在200 μm纖芯內達到最佳耦合效率，提升了單個發射器輸出功率，幫助光纖雷射器製造商在減少發射器數量下，研製出更高功率的光纖雷射器。II-VI雷射公司總經理Karlheinz Gulden說：「市場對這款雷射二極體的需求很強勁，我們準備在年底將其產能提升一倍。
  • 炬光科技推出25W光纖雷射器泵浦源
    2012年11月，西安炬光科技有限公司推出25W光纖雷射器專用泵浦源--FCMSE55光纖耦合模塊系列產品該系列產品穩定輸出功率為25W，中心波長分別是915nm、940nm及976nm，輸出光纖直徑為105um，數值孔徑為0.22。
  • 美科學家研製出高功率二極體泵浦鹼蒸氣雷射器
    美國利弗莫爾實驗室和Pleasanton的研究人員最近在SPIE上發表了高功率二極體泵浦鹼蒸氣雷射器的最新研究進展。2003年，美國利弗莫爾實驗室Krupke教授提出將高效、結構緊湊的雷射二極體與優良光束質量的氣體雷射器結合在一起，製成二極體泵浦鹼金屬蒸氣雷射器（DPALs）。這類雷射器在材料加工、能量輻射、軍事應用和其他要求高功率、高亮度雷射器領域有潛在的應用價值。
  • nLight高亮度光纖耦合泵浦雷射器的發展
    在 Photonics West 2009 展會上 nLIGHT公司介紹了高亮度光纖耦合雷射器二極體模塊，展示了超過100W光功率耦合進105µm，0.15 NA的光纖，相對應的亮度超過20 MW/cm2-str1。本文著重介紹了這項技術的應用在泵浦模塊從79x 到15xx nm。
  • Oclaro發布80W高亮度光纖耦合泵浦雷射器模塊
    今天在此發布BMU80 80W 單管光纖耦合泵浦雷射器，光纖芯徑105um。高亮度的泵浦源可以使生產光纖雷射器的廠家用更少的模塊來實現更高功率的泵浦，提高泵浦的效率，設計更緊湊的泵浦配置和更簡化的封裝。 單管產品平臺可以在1kFIT的晶片等級下達到輸出功率80W，數值孔徑0.15或輸出功率65W，數值孔徑小於0.14。
  • 光纖雷射器泵浦光源解讀 為什麼目前基本上都使用976nm泵源
    由於915nm處的吸收譜寬約為50nm，溫度對泵浦的吸收影響很小，而溫度漂移對976nm影響較大，而早期雷射器由於溫度控制不精確，因此，尤其是上世紀所生產的光纖雷射器中，大多數皆使用915nm的泵源。 光纖吸收泵浦光後直接出光，這種泵浦技術被稱為直接泵浦，即由9XX nm波長經過有源光纖後輸出1064nm？1070nm、1080nm 等波長的雷射？
  • 燈泵浦雷射器與半導體泵浦雷射器的比較
    燈泵浦雷射器與半導體泵浦雷射器比較：　　半導體及燈泵浦雷射器都是採用ND:YAG（摻釹釔鋁石榴石）晶體作為雷射產生的材料，它可將808nm的可見光轉換為1064nm的不可見的雷射，但輸出雷射的另一個更關鍵的因素是使晶體棒輸出雷射的泵浦源，半導體泵浦是利用半導體二極體發出808nm的光波；而燈泵浦是利用氪燈發出的光來泵浦，但氪燈發出的光的光譜較廣
  • II-VI推出用於藍色雷射束的高功率雷射光纜
    據悉，全球領先的高功率半導體雷射器製造商II-VI，日前宣布推出用於藍色雷射束的新型高功率雷射光纜。銅可以對高功率藍色雷射能量進行高度吸收，並可在諸如蓄電池端子、電力母線以及電機繞組等電動汽車部件中進行高效且無飛濺的銅焊接。II-VI此次推出的全新藍色雷射光纜額定功率為1 kW，可使高功率藍色雷射束有效地到達安裝在高動態機械臂或龍門系統上的雷射加工頭。
  • 高轉換效率的880nm Nd雷射器泵浦源
    德國LIMO公司推出了輸出波長為880nm的緊湊牢固的二極體雷射器，具有極高的轉換效率，專門用於泵浦Nd雷射器。LIMO為器件提供標準的光纖耦合輸出，耦合到芯徑為200μ和400μ的光纖中時，其輸出功率分別為30W和32W。
  • 高功率半導體雷射器歷史介紹
    這些關鍵發展將為未來幾十年高功率半導體雷射器的發展提供路線圖。 　　二極體泵浦固態和光纖雷射器 　　高功率半導體雷射器的改進使下遊雷射器技術的發展成為可能;在下遊雷射器技術領域，半導體雷射器被用於激發(泵浦)摻雜晶體(二極體泵浦固態雷射器)或摻雜光纖(光纖雷射器)。
  • 高亮度半導體雷射器模塊泵浦光纖雷射器
    單發射體或陣列配置（也稱為半導體雷射器巴條）中的多模半導體雷射器，已經成為多種應用中的固態雷射器光學泵浦的首選泵浦源。當用於光纖雷射器的光學泵浦源時，單發射體 和巴條各有特定的優缺點。　　通過開發專門的晶片結構，以及針對光纖雷射器泵浦應用對模塊進行專門的設計和優化，半導體雷射器巴條已經能夠實現自動化生產和光纖耦合，同時降低了對相鄰發射體的熱影響。　　優化的晶片結構　　傳統上，雷射二極體巴條可以描述為位於一個非常薄的外延生長層上、由光刻定義的雷射發射體陣列。
  • 半導體泵浦雷射器的類型
    半導體泵浦雷射器是一種高效率、長壽命、光束質量高、穩定性好、結構緊湊小型化的第二代新型固體雷射器，目前在空間通訊，光纖通信，大氣研究，環境科學，醫療器械，光學圖象處理，雷射印表機等高科技領域有著獨具特色的應用前景。