意法半導體第二代SiC功率MOSFET實現更高轉換效率

2020-11-26 網易新聞

2020-11-24 11:16:55　來源: 糖果女人

舉報

　　意法半導體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優良的開關性能，開關損耗在結溫範圍內幾乎沒有變化。

　　

　　ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，並延伸到1700V。

　　在電動汽車牽引電機或充電站等汽車應用中，以及在太陽能發電機和電機驅動等工業應用中，使用SiC MOSFET可使設計者獲得各種好處，包括：

　　●減小功率級的尺寸和重量

　　●實現更高的功率密度

　　●減小功率電路無源元件的尺寸和成本

　　●實現更高的系統效率

　　●減輕熱設計限制，消除或減少散熱器的尺寸和成本

　　ST的實驗室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET與矽IGBT的開關損耗。SiC MosFET具有更低的開關損耗，即使在高溫下也是如此。

　　這使得轉換器或逆變器能夠在非常高的開關頻率下工作，從而減小其無源元件的尺寸。當溫度超過175°C時，溫度變化幅度很小，電阻也隨著溫度的升高而變化很小。

　　SiC MosFET特性

　　●工作結溫高達200°C

　　●極低的開關損耗

　　●無體二極體的恢復損耗

　　●高溫功率損耗較少

　　●易於驅動

　　●SiC MosFET應用

　　●牽引電動機

　　●充電站

　　●太陽能逆變器

　　●工廠自動化

　　●電動機驅動

　　●數據中心電源

　　●工業電池充電器

　　●不間斷電源

　　ST第二代SiC功率MosFET標準化通態電阻與溫度的關係

　　參考設計

　　ST提供了完整的參考設計解決方案，三相交流-直流和直流-交流應用的基礎上，優化了功率轉換的數字平臺。基於ST第二代SiC MOSFET支持100kHz開關，有助於減少相關無源元件的尺寸和重量，實現99%的轉換效率。

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