應用材料增價59%收購國際電氣 為獲得薄膜沉積技術

2021-01-08 電子發燒友
打開APP
應用材料增價59％收購國際電氣 為獲得薄膜沉積技術

綜合報導 發表於 2021-01-06 10:04:08

美國半導體設備製造商應用材料本周一表示，計劃以35億美元價格（較先前報價增加59％），從私募股權公司KKR手中收購規模較小的日本同行國際電氣（Kokusai Electric），理由是其前景良好且估值較高。收購國際電氣將使應用材料獲得其薄膜沉積技術。


據日經新聞報導，應用材料在在向美國證券交易委員會提交的文件中表示，將向私募股權業者KKR支付35億美元收購國際電氣，高於先前已同意的22億美元出價。雙方已同意將收購截止日期延後三個月至3月19日，因為還需解決中國的監管批准。應用材料表示，截止本申請之日，除了中國大陸之外其他地區監管部門的批准均已獲得。

實際上，應用材料早在2019年7月就提議收購國際電氣，但由於中國監管當局遲遲不批准，無法完成交易，這也是雙方要籤訂本樁收購案之前的最後一道監管障礙。應用材料財務長Dan Durn在2020年2月的財報電話會議上表示，「我們預計將在今年年中完成Kokusai交易。」但是此後，中美技術緊張局勢進一步惡化，美國對一些中國最大的公司實施了制裁，其中包括華為、中芯國際等，中國半導體行業也受到了一定程度打擊。

目前應用材料在半導體設備市場已經佔據了主導地位，若與國際電氣合併，將進一步鞏固其壟斷地位。

根據上述文件，應用材料表示「相信這樁收購案將為應材股東帶來十足的價值」，「在過去18個月，應用材料已觀察到整個半導體設備市場長期展望愈來愈有利，包括在存儲領域有正面趨勢。」日經新聞曾報導，國際電氣擁有用於薄膜沉積設備的技術，這也是應用材料希望能購併國際電氣的原因。
 

本文由電子發燒友綜合報導，內容參考自日經新聞、應用材料，轉載請註明以上來源。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • 應用材料公司推出先進的化學氣相沉積薄膜技術
    2012年3月20日，上海——今天，應用材料公司宣布推出全新等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）薄膜技術，用於製造適用於下一代平板電腦和電視的更高性能高解析度顯示。
  • 薄膜沉積簡介
    薄膜沉積用於製造微電子器件的薄膜都是使用某種沉積技術形成的，該術語是指在基板上形成沉積物。在半導體器件製造中，以下沉積技術（及其常用的縮寫）為：低壓化學氣相沉積-LPCVD等離子體增強化學氣相沉積-PECVD低於大氣壓的化學氣相沉積-SACVD大氣壓化學氣相沉積-APCVD原子層沉積-ALD物理氣相沉積-PVD超高真空化學氣相沉積-UHV-CVD類金剛石碳-DLC
  • 專欄三分鐘了解薄膜沉積之物理氣相沉積技術
    現在提供一個選擇：花三分鐘時間，快速的了解下薄膜沉積中的物理氣相沉積技術（Physical Vapor Deposition，PVD）。來吧，各位材女材子們，一起來認識物理氣相沉積技術這位朋友！在真空度較高的環境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，並且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術。
  • 應用材料公司PECVD薄膜技術 使用更高解析度顯示
    PECVD）薄膜技術用於製造適用於下一代平板電腦和電視的更高性能高解析度顯示。這些源自應用材料公司業界領先的AKT-PECVD系統的先進絕緣薄膜。       應用材料公司的全新PECVD設備沉積絕緣介電薄膜，為金屬氧化物電晶體提供了一個良好的層間界面，從而最大限度地減少了氫雜質，提高了電晶體的穩定性，實現了顯示屏的優化性能
  • 三種常見的薄膜材料物理氣相沉積方法(PVD)
    發展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。1、真空蒸鍍原理：真空蒸鍍的原理極為簡單，可以簡單解釋為，在真空室內通過加熱使材料靶材蒸發，形成蒸汽流，同時保證待鍍件較低的溫度，使得靶材在待鍍件表面凝固。
  • 物理氣相沉積技術應用廣泛 我國PVD設備國產化水平低
    物理氣相沉積（PVD）是在真空條件下，通過低壓氣體或等離子體，將採用物理方法氣化的材料沉積到基體表面形成薄膜的技術。物理氣相沉積技術工藝簡單、能耗少、無汙染，使用此技術製得的薄膜具有硬度高、膜層均勻性好、化學性質穩定、耐腐蝕性好、摩擦係數低、耐磨性好、膜層壽命長等優點，是現階段先進薄膜沉積技術之一。
  • 磁控濺射法沉積TCO薄膜的電源技術
    目前，主要的TCO薄膜有氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅鋁(AZO)三種[2]，其中SnO2薄膜是最早應用的TCO薄膜，但由於其光電特性相對較差，目前主要應用在一些較低端的使用領域。ITO薄膜是目前光電特性最好，使用範圍最廣的TCO薄膜，但其同時存在使用稀有元素In，生產成本較高、In元素有毒、在氫等離子工藝氛圍中性能退化等缺點。
  • 導電薄膜ITO的應用、缺陷和替代材料
    將ITO靶材沉積到PET基板上，就形成ITO導電薄膜；將ITO靶材沉積到玻璃基板上，就形成ITO導電玻璃。　　現在發展最成熟，使用最多的ITO沉積工藝是磁控濺射法，即用高能粒子轟擊靶材，使靶材中的原子濺射出來，沉積在基底表面形成薄膜的方法。比其他真空蒸發、熱解噴塗、化學氣相沉積、溶膠-凝膠等方法效果都要好。
  • 2020年中國半導體薄膜沉積設備行業市場規模及發展趨勢分析
    薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學式真空鍍膜(CVD)等，其中ALD又是屬於CVD的一種，是目前最先進的薄膜沉積技術。
  • 杜邦公司推出新型聚醯亞胺薄膜在柔性薄膜太陽能應用
    杜邦電路及包裝材料（DuPont Circuit and Packaging Materials）公司於2010年10月底宣布，杜邦Kapton聚醯亞胺薄膜已工程化應用於商業薄膜和柔性光伏基板。
  • 光學薄膜的研究新進展及應用
    對光學薄膜的3種製備技術：物理氣相學沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和化學液相沉積(CLD)進行了分析。綜述了幾種新型光學薄膜(金剛石薄膜及類金剛石薄膜、軟X射線多層膜、太陽能選擇性吸收膜、高強度雷射膜)的研究進展以及光學薄膜的應用情況。
  • 2020年中國半導體薄膜沉積設備行業市場規模及發展趨勢分析國產化...
    其中，薄膜沉積設備是晶圓製造的核心步驟之一，佔據著約25%的比重。薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學式真空鍍膜(CVD)等，其中ALD又是屬於CVD的一種，是目前最先進的薄膜沉積技術。
  • 餘桂華團隊AM實現鋰金屬顆粒可逆沉積的超共形可拉伸石墨烯薄膜
    本文來自微信公眾號：X-MOLNews鋰金屬被認為是發展高能量密度二次電池最理想的負極材料，但是鋰枝晶與死鋰的形成嚴重阻礙了鋰金屬二次電池的產業應用。不均勻的鋰沉積溶解會導致固體電解質界面膜（SEI）下的鋰金屬表面非平面的形態變化。所以，不可變形的常規SEI膜不斷出現高鋰離子導通的裂縫，促發新的鋰枝晶生長，進而引發起火甚至爆炸。
  • 薄膜太陽能電池國產化之路
    同為薄膜類的砷化鎵電池由於成本太高，技術複雜，雖然隨著近些年技術的發展，成本有所降低，國外已有推廣至地面電站的案例，但在國內，其應用仍然局限於空間電源以及移動電源。 作為薄膜太陽能電池的主流技術，碲化鎘和CIGS太陽能電池為業界所看好，認為是未來太陽能電池的發展趨勢，尤其是CIGS電池。
  • 薄膜製程技術關卡突破 Oxide TFT成基板技術首選
    北京時間05月31日消息，中國觸控螢幕網訊， Oxide TFT將成為下世代顯示面板的基板技術首選。臺日韓面板廠在Oxide TFT技術的研髮腳步愈來愈快，不僅已突破材料與薄膜製程等技術瓶頸，更成功展示Oxide TFT顯示器原型，為該技術商品化增添強勁動能，並有助其成為新一代顯示器基板的技術主流。
  • 半導體材料電子氣體投資寶典(附59頁深度)
    國內新建晶圓廠的密集投產為電子特氣打開了最佳代替窗口。　　q 部分完成代替，將迎來三百億市場空間　　1、 部分產品完成代替：國內少數電子氣體已經完成突破，業績爆發即將到來。國內電子特氣代替主要有四種方式。第一，產能優勢來降低成本進入國際主流晶圓廠。第二，通過收購國際知名公司直接打入核心供應鏈。
  • 國際半導體設備公司排名
    2019年應用材料的銷售額達134億美元，下滑3.9%。 2、荷蘭ASML（阿斯麥） ASML已經逐漸逼近應用材料的市場規模，據ASML財報數據，2019年ASML淨銷售額為118億歐元，淨收入為26億歐元。
  • 一文了解透明導電薄膜材料ITO
    ITO在各種領域中的應用，均圍繞其透明和導電的優異特性。ITO薄膜的光學性質主要受兩方面的因素影響：光學禁帶寬度和等離子振蕩頻率。前者決定光譜吸收範圍，後者決定光譜反射範圍和強度。一般情況下，ITO在短波區吸收率較高，在長波長範圍反射率較高，可見光範圍透射率最高。以100nm ITO為例，400－900nm波長範圍平均透射率高達92.8％。
  • 應用材料推PECVD實現高解析度顯示
    應用材料公司宣布推出全新等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)薄膜技術，用於製造適用於下一代平板電腦和電視的更高性能高解析度顯示。
  • AOM:「金屬透明導電薄膜」綜述——材料製備、光學設計和應用場景
    近些年，隨著可穿戴設備和曲屏手機等柔性光電子器件的快速發展，人們對透明導電薄膜的機械柔韌性提出了新的要求。當前，應用最廣泛的透明導電薄膜是氧化銦錫（ITO）。ITO具備良好的可見光透過率和較低的電阻率，但其機械強度和柔韌性較差，不適用於柔性光電子器件。為解決該問題，科研人員探索了多種ITO-free的透明導電薄膜，包括金屬薄膜、金屬網格或納米線、二維材料、導電聚合物等。