進軍半導體市場,日立推出3D SEM CT1000和高速缺陷檢測SEM CR7300...

2020年11月，日立宣布推出3D SEM CT1000和高速缺陷檢測SEM CR7300。

3D SEM CT1000是一款主要用於半導體行業缺陷觀察的產品。可對直徑達8英寸（200 mm）的晶圓在製造過程中出現的圖案和缺陷形狀進行3D觀察，並可分析所觀察物體的元素組成。該產品將有助於物聯網和車載汽車半導體設備的質量保證。

高速缺陷檢測SEM CR7300是一種新型的掃描電鏡，有助於提高尖端半導體器件的生產效率。增強的電子光學可以獲得迄今為止最好的高解析度圖像，而先進的成像和控制系統使高速圖像採集比傳統方法節省一半的時間，大大減少了總檢測時間。

【3D SEM CT1000】

CT1000相關參數

Model	CT1000
Resolution	7nm@1kV
Maximum sample tilt angle	55°
Size of observation field	0.675 to 135 µm
Elemental analysis (optional)	Energy-dispersive X-ray spectrometer
Measurable wafer size	SEMI standard 200-mm Si wafer

CT1000可自動輸送直徑達8英寸（200mm）的晶圓，並精確移動到觀察缺陷的模塊位置。樣品臺可以傾斜進行3D SEM觀察。如果發現缺陷，它可以對相關缺陷進行元素分析。元素分析可以用來分析導致成品率下降的因素，有助於提高半導體器件在開發和製造過程中的質量。在檢查完缺陷和圖案形狀後，晶圓可以返回生產線，提高製造工藝效率。

CT1000的一個特點是能夠使用樣品臺傾斜功能觀察3D SEM圖像。為了實現這一功能，日立高新開發了一種錐形物鏡，可以使晶圓傾斜55°。五軸樣品臺的設計是為了防止晶圓片的中心在從正上方觀察時發生明顯的移動，即使樣品臺傾斜到最大的傾角。這樣可以更好地捕捉目標缺陷，提高工作效率。

【高速缺陷檢測 SEM CR7300】

CR7300相關參數

Model	CR7300
Wafer Size	?300 mm (SEMI standard V-notched wafer)
Auto-loader	Random access compatible with 2FOUP*5
Power Supply	Single-phase 200 VAC, 208 V, 12 kVA (50/60 Hz)

CR7300具有以下特點：

1. 通過高吞吐量提高生產率

新開發的電子光學系統和高速成像系統使快速光束掃描速度達到傳統方法的兩倍，而加強的晶圓傳輸系統減少了晶圓裝載時間。因此，每小時缺陷成像的總性能大約是以前的工具模型的兩倍。自動缺陷檢測(ADR)性能與加強的成像技術能夠有助於提高先進半導體器件的生產效率。新的EDS(元素分析)系統採用高靈敏度x射線探測器，使缺陷的元素分析時間比以往更快。

2. 在製造過程中可視化設備的電氣特性

新開發的VT-Scan能夠可視化存儲設備的電氣特性，並在早期製造過程中檢測到電氣缺陷。

3. 改善微觀缺陷的可見性

新的電子光學技術使顯微缺陷的高解析度成像成為可能，並利用人工智慧（AI）提供先進的圖像處理，以進一步提高圖像質量。此外，它還具有新開發的暗場光學顯微鏡無圖案晶圓審查功能。可以提高先進工藝開發所需的無圖案晶圓上微觀缺陷的捕獲率。

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