快管還是慢管:反激電源拓撲RCD緩衝吸收/鉗位的選擇

2021-02-20 深圳萬正芯源有限公司

快管還是慢管：反激電源拓撲中的RCD緩衝吸收/鉗位的選擇

    反激電路中，許多朋友面臨或是曾經嘗試過，在MOSFET RCD吸收或是鉗位電路中，用不同的二極體（因為是小功率場合，一般在FR107或是1N4007此類參數水平），會得到不同的EMI結果，主要體現在輻射測試中。

    許多一線工程師有很多這塊的經驗，而且各說各有理，比較公認的是在此處，快管和慢管的寄生參數影響了整個鉗位效率和EMI效果。偶然得到一個TI的應用筆記，發現有對此處進行了實際的探討，雖然只是波形上的直觀對比，也沒有太多著墨於EMI的不同機理分析，但至少為大家提供了一扇分析的大門。

    Application Report  SNVA744–October 2015

    Choosing Standard Recovery Diode or Ultra-Fast Diode in Snubber

    原資料為英文，但不妨礙大家理解，畢竟工程師是看波形和公式長大的，如有需要，請留言，需求強烈的話，我考慮翻譯成中文版！

    此文章通過不同管子的對比，以及不同的吸收方式組合，得到一些有意思的結論。（僅小功率範圍內適應）

1. In low power offline flyback application, using standard recovery diode in the RCD/R2CD snubber can help get higher efficiency and better EMI than using an ultra-fast diode.   ---- 用普通管子，相對於快管能夠提升效率和優化EMI。，

2. A resistor in-series with the clamp diode is suggested to suppress the ringing in R2CD snubber circuit. 

3. A TVS snubber is fit for those applications which need very low standby power. But in these cases, the clamp diode should use the ultra-fast diode to avoid significant efficiency drop.

    結論：

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