先進晶圓製造論壇道出先進位造的動力所在
2020-11-22 電子產品世界
集成電路發明距今已經61年，在摩爾定律的推動下，線寬每年縮小，性能不斷提升。目前，已經量產的主流先進半導體製程工藝已經達到7nm，明年5nm也將量產。6月28日，在「先進晶圓製造論壇」，臺積電，矽產業集團，EDA，研發機構，分析機構等等共聚一堂探討業界主流先進位程工藝的發展情況。
賽默飛世爾科技，半導體事業部中國區業務總監林光健作了《3D Characterization and Analysis Workflows: Accelerating Insights, TtD & TtM》主題演講，他指出，隨著5G基礎架構的發展成熟，第四次工業革命工業4.0的大門正在開啟，第五代移動通信技術的發展勢不可擋，智能網聯產品和人工智慧驅動的產品乃是大勢所趨。林光健表示賽默飛世爾科技市場增長主要來源於邏輯、存儲以及一些化合物半導體領域。他表示，傳統的透射電子顯微鏡設置和使用難度很大，但藉助人工智慧和機器學習，即使是良率工程師、過程管理人員和其他模塊負責人也能擁有這種研究級的能力，使他們從容面對日益增加的3D器件表徵挑戰。
臺積電（南京）有限公司品質暨可靠性組織負責人鄭吉峰的演講圍繞《A New Era of Supply Chain Collaboration: Driving Socially Responsible Semiconductor》主題展開，他認為，延續摩爾定律並以可靠的方式最大化其價值是我們行業對社會的責任，要通過合作、協作和透明的方式發展並對整個供應鏈負責。同時鄭吉峰強調原材料質量體系應與上遊供應商管理相結合，實現「無質量事故」，全行業積極推動並建立起「負責任的供應鏈」，持續不斷地提升行業競爭力。
在《中國製造300毫米大矽片的機遇》主題演講中，上海新昇半導體科技有限公司董事長李煒博士認為，在全球半導體IC產業的發展中，中國的集成電路產業將是未來十年的主要驅動力。他還分析了目前300mm矽片在中國的製造情況，包括設計、供應等方面。「國產300mm矽片是我國半導體產業成功發展的戰略要求。」 李煒博士說道，「而300mm晶圓的商業化是一項艱巨的系統工程，需要資金、技術、管理和客戶等方面的協同。」
上海集成電路研發中心技術研發部副部長袁偉通過主題演講《Accurate etch modeling with massive metrology and deep-learning technology》，闡述了ICRD和ASML-Brion合作在14nm邏輯金屬層工藝上測試並應用的一種創新的機器學習蝕刻模型。當前蝕刻建模面臨著多方面的挑戰，他認為，MXP & Newron解決方案不僅適用於抗蝕模型，而且有助於提高蝕刻模型的精度。值得一提的是，機器學習技術在OPC領域具有很大的應用潛力，將為提高OPC性能帶來顯著的效益。
明導電子中國區資深技術經理牛風舉在論壇現場帶來了《The Bridge of Fab & Fabless》主題演講，他指出EDA 4.0將是數字孿生系統的設計，呈現出更高水平的抽象化，比如系統設計更加自動化。ASIC是設計端與IDM企業之間真正合作關係的開始，COT則是從設計到製造關係成熟的模型。牛風舉介紹Mentor的Design-To-Silicon平臺是從設計到製造的橋梁，Mentor能夠提供業界唯一Golden的從設計到製造全流程的平臺。在牛風舉看來，EDA充滿了顛覆性的ML機會，在IC設計投片中利用機器學習OPC，可顯著降低運算需求。層階化DFT技術能夠提供至少10X的運行時間壓縮和兩倍的測試成本降低，尤其適用於車用IC 的改進。此外，牛風舉還介紹了Mentor三維集成微系統設計與驗證的 V-cycle全面解決方案。
TECHCET LLC市場分析師田嘉齊發表了題為《Materials for Emerging Device Applications》的演講，根據預測，即使在2020年，所有設備類型的前沿節點也將刺激先進材料的市場增長，比如3D NAND堆疊所需的層數對材料的體積提出大量需求。田嘉齊具體分析了邏輯器件、NAND結構、DRAM工藝中的 HKMG和EUV新技術等對材料產生的影響，並會刺激前驅體、CMP材料和EUV相關工藝的光刻材料的市場增長。「從長遠來看，隨著5G、高性能計算、汽車和其他新興應用的崛起，半導體材料的前景長期來看仍然樂觀。」
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>這些區域是在晶圓上用來分隔不同晶片之間的間隔區，其通常是空白的，有些公司可能會放置一些對準標記或者其他內容；④邊緣晶片(edge die)，在晶圓的邊緣上的一些殘缺的晶片，由於單個晶片尺寸的增大而造成更多的邊緣浪費，這時候會採用更大直徑的晶圓來降低，這點我們在前面有聊過，更大直徑的晶圓是一大趨勢；⑤晶圓的晶面(wafer -
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