半導體分為：
本徵半導體 、雜質半導體。
本徵半導體：純淨半導體，不含有雜質的半導體。
雜質半導體：含有雜質的半導體。
通常所說的半導體是指雜質半導體。
半導體的結構特點：
共價鍵。
共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。
本徵半導體：
半導體矽和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。
在矽和鍺晶體中，原子按四角形系統組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位於四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。
共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本徵半導體中的自由電子很少，所以本徵半導體的導電能力很弱。
在絕對0度（T=0K）和沒有外界激發時,價電子完全被共價鍵束縛著，本徵半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為 0，相當於絕緣體。
在常溫下，由於熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。
本徵半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴，有一個電子就會有一個空穴。
在外電場的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結果相當於空穴的遷移，而空穴的遷移相當於正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。
本徵半導體中電流由兩部分組成：
1. 自由電子移動產生的電流。
2. 空穴移動產生的電流。
本徵半導體總結：
1、本徵半導體的導電能力取決於載流子的濃度。
2、本徵半導體載流子的濃度很低，所以總的來說導電能力很差。
3、本徵半導體的載流子的濃度取決於溫度。溫度越高，載流子的濃度越高，本徵半導體的導電能力越強。
4、本徵半導體的導電機理：熱敏性
雜質半導體分為：
N型半導體、P型半導體
在本徵半導體中摻入某些微量元素的半導體叫做本徵半導體。
N型半導體——摻入五價雜質元素（如磷）的半導體，自由電子濃度大大增加，也稱為（電子半導體）。
P型半導體——摻入三價雜質元素（如硼）的半導體，空穴濃度大大增加的雜質半導體，也稱為（空穴半導體）。
N型半導體：
在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數載流子, 由熱激發形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。
P型半導體：
在P型半導體中空穴是多數載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數載流子， 由熱激發形成。空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質 因而也稱為受主雜質。
PN 結的形成：
在同一片半導體基片上，分別製造P 型半導體和N 型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN 結。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。
N型和P型半導體的結合面上發生如下物理過程：
PN結的單向導電性：
當外加電壓使PN結中P區的電位高於N區的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。
PN結加正向電壓時 ：
低電阻
大的正向擴散電流
PN結加反向電壓時：
高電阻
很小的反向漂移電流
PN結的單向導電性：
PN結的反向擊穿：
當PN結的反向電壓增加到一定數值時，反向電流突然快速增加，此現象稱為PN結的反向擊穿。
熱擊穿——不可逆
齊納擊穿、雪崩擊穿都屬於電擊穿——可逆
二極體的參數：
1、 最大整流電流IF
二極體長期使用時，允許流過二極體的最大正向平均電流。
2、反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM
二極體反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極體的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。
3、反向電流IR
二極體加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。
4、正向壓降VF
5、極間電容CB或 最高工作頻率