在DRC規則中,經常遇到antenna lef的規則不滿足要求,需要通過添加反向二極體的方法來滿足需求。那麼,如何計算該添加多少個二極體呢?
首先看一個典型的antenna lef檢查語句:
ANT_b_a4 { @ (A4 area / gate area)> 400 (without effective diode)
@ (A4 area / gate area) > Ratio(with effective diode)
NET AREA RATIO A4 A4_DIO GATE > 0
[
!!AREA(A4) * !!AREA(GATE) *
(!AREA(A4_DIO)*(PERIMETER(A4)*0.5104/AREA(GATE)- 400) +
!!AREA(A4_DIO)*(PERIMETER(A4)*0.5104/AREA(GATE)- AREA(A4_DIO) * 400 - 2200))
- (!AREA(A4)+!AREA(GATE)) * LargeNumber
] RDB ANT_b_a4.rep A4 A4_DIO GATE
}
它的含義是:當通過反向二極體來防止天線效應時,應該滿足如下條件:
天線效應值 <= 400 * diode面積 + 2200
其中:天線效應值 = 某條線網的金屬面積 / 與其連接的Gate面積
假設運行該Antenna的檢查後,工具報錯。這時,需要打開RDB文件看具體報錯的值,一個典型的報錯文件如下:
ANT_b_a4::<1>_1
3 3 5 Oct 12 08:13:28 2017
CELL=bad_ANT_b_a4 FPC=1 NET=1 NETNAME=VALUE=4.004
A4 AREA=887.9PERIMETER=4447.5 COUNT= DBCOUNT=1
A4_DIO AREA=0.165PERIMETER= COUNT= DBCOUNT=1
GATE AREA=0.1PERIMETER= COUNT= DBCOUNT=1
可以看到,某A4線網的側面積為4447.5*0.5104 = 2270,Gate的面積為0.1,其比值等於22700,這個22700就是天線效應值。
diode面積 = (天線效應值- 2200 ) / 400 = 51.25um^2
通過上述計算,可以知道需要添加51.25面積的diode,然後再去查該工藝的單個diode的面積大小,假設是0.1平方微米,則可以得到,總計需要添加512.5個反向二極體,就可以屏蔽該線網的天線效應。
注意單個二極體的面積是指其有效面積,不是total面積,圖示如下:
其中Effective DA是指有效面積,即中間的diffusion區域面積。
可以看到,如何計算反向二極體面積的原理與如何計算密度的值原理基本一致,都是通過讀取DRC的結果文件中的數據來反推具體的值。這個原理在密度與天線效應應用中十分普遍。