嗨嘍，大家好，不知道有沒有電子信息專業的童鞋呢？今天給大家介紹電類專業的必修課——模擬電子技術基礎（就是模電啦），好了，話不多說，開始正題
近幾十年來，電子技術發展非常迅速，應用也越來越廣泛，目前已成為現代科學技術的一個重要組成部分。那到底什麼是電子技術？簡單地說，電子技術就是研究電子器件、電子電路及其應用的科學技術，學習模電會為了我們以後深入學習電子技術領域中的內容，以及電子技術在專業中的應用打好基礎。
好了，讓我們以pN結的形成為起點，進而了解半導體二極體及其應用。
1、本徵半導體：純淨 晶體結構 共價鍵 自由電子 空穴（成對出現）即載流子（2種）【空穴電流 電子電流】
特點：電阻率大 導電性能隨溫度變化比較大
2、摻雜半導體
a:N型半導體：摻入五價元素雜質（施主雜質），自由電子為多子（多數載流子稱為多子），
空穴為少子
多子的濃度與摻入雜質的濃度有關而不是與溫度有關，少子的濃度與溫度有關
b:P型半導體：摻入三價元素（硼）受主雜質，空穴為多子，自由電子為少子
若摻入五價元素雜質濃度多於三價雜質濃度，可由P型轉向N型
3、PN結的形成
兩邊多子濃度不同——多子擴散——形成內電場——阻礙多子運動——加強少子的飄移——飄移和擴散達成動態平衡——形成PN結
註：由於交界面兩側的N型半導體和P型半導體存在多子濃度的極大差異，P型半導體一側的多子為空穴，其濃度遠大於N型半導體一側；N型半導體一側的多子為電子，其濃度又遠大於P型半導體一側。這種濃度差使多子相互擴散通過交界面到達對方，並與對方的多子複合，使P區靠近交界面處形成一個缺少空穴，只有負離子的薄膜層；N區靠近交界面處形成一個缺少電子，只有正離子的薄層。
4、PN結的單向導電性
a:PN結的正向偏置 P——電源正極 N——電源負極，外電場使內電場減弱，動態平衡打破，多子擴散運動加強，少子飄移運動減弱，形成正向電流——PN導通
b:PN結的反向偏置 P——電源負極 N——電源正極 ，則PN截止
5、pN結上電流與電壓關係
存在如IF=Isexp（-eVF/kT）下關係，式中，-e為電子電量；k為玻爾茲曼常數；T為絕對溫度；Is為反向飽和電流，。正向電壓U>0,i=Isexp(U/ut); 反向電壓U<0,i=IS(I 與U無關）
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