外媒:X-FAB宣布高壓電流隔離技術將全面投產

2021-01-09 太平洋電腦網資訊中心
外媒：X-FAB宣布高壓電流隔離技術將全面投產
2019-01-31 18:47出處/作者：PConline 編譯整合編輯：Tina責任編輯：chenxiaochun

【PConline 資訊】X-FAB Silicon Foundries SE日前宣布，其新型高溫電偶隔離半導體工藝將全面投產。原電池隔離電隔離電路，以提高抗幹擾能力，消除接地迴路，增加共模電壓，還可以保護人機界面不接觸高電壓。

其中起重要作用的一個例子是工業和汽車環境中IGBT或SiC電源模塊的控制。進一步的應用包括數據通信在現場總線系統，電池管理系統或醫療設備的使用。

新的X-FAB電流隔離工藝的主要優點包括：

•操作溫度高達175°C

•成功測試了6000 Vrms @ 50Hz和10000 VDC

•不間斷阻擋層，殘留汙染為0 ppm

•證明符合最新IEC 60747-17半導體耦合器草案標準

•支持工作電壓高達1.7 kV

X-FAB提供兩種封裝的電流隔離裝置供客戶評估。G3-C1電容耦合器的測試晶片，一個隔離層厚度11µm並且測試出能夠承受6000 Vrms(測試設置的最大限度)。一個電感耦合器的測試晶片,G3-T06,也可以為客戶評估，且其有14µm的隔離層厚度。

新的X-FAB電流隔離技術是在德勒斯登工廠(the company’s Dresden facility)生產的，該工廠按照IATF-16949:2016國際汽車質量管理體系(QMS)標準獲得汽車製造認證。

所有主要EDA平臺的設計工具包都可以從X-FAB的客戶網站上下載，樣品可按要求提供。

【via:Newelectronics】【PConline 編譯: Tina】

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