場效應電晶體的特點

2021-01-15 OFweek維科網

什麼是場效應電晶體?

場效應電晶體（Field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應電晶體依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。

場效應電晶體有時也被稱為單極性電晶體，相對應的是雙極性電晶體（Bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。由於半導體材料的限制，以及一段時期內雙極性電晶體比場效應電晶體更容易生產製造，場效應電晶體的出現要比雙極性電晶體更晚，但事實上，「場效應電晶體」的概念是要比「雙極性電晶體」更早的。

場效應電晶體的組成

場效應電晶體由各種半導體構成，目前而言，矽是最常見的。大部分的場效應電晶體通過傳統的「塊體半導體製造技術」生產製造，使用單晶半導體矽片作為反應區或溝道。

不常見體材料主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。

有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。

場效應電晶體的特點

（1）它是電壓控制器件，通過柵源電壓來控制漏極電流；

（2）輸入端電流極小，輸入電阻很大；

（3）利用多數載流子導電，所以它的溫度穩定性比較好；

（4）場效應電晶體組成的放大電路，其電壓放大係數會小於由三極體所組成的放大電路的電壓放大係數；

（5）抗輻射能力強；

（6）噪聲低。

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