場效應電晶體的幾點使用知識

2020-11-25 電子產品世界

　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由於場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應電晶體的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管.

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201603/288490.htm

　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿

　　由於絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優點，但在使用上卻帶來新的問題.由於輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的電荷就很難通過這個電阻洩放掉，電荷的累積造成了電壓的升高，尤其是在極間電容比較小的情況本下，少量的電荷就會產生較高的電壓，以至管子還沒使用或者在焊接時就已經擊穿或者出現指標下降的現象，特別是MOS管，其絕緣層很薄，更易擊穿損壞。為了避免出現這樣的事故，關鍵在於避免柵極懸空，也就是在柵源兩極之間必須保持直流通路。通常是在柵源兩極之間接一個電阻(100K以內)，使累積電荷不致過多，或者接一個穩壓管，使電壓不致超過某一數值。在保存時應使3個電極短路，並放在屏蔽的金屬盒內;把管子焊到電路上或取下來時，也應該先將各個電極短路;安裝測試時所用的烙鐵儀器等要有良好的接地，最好拔掉電烙鐵的電源再進行焊接。

　　2、怎樣判斷結型場效應管的電極

　　將萬用表置於RX1K擋，用黑表筆接觸假定為的柵極G管腳，然後用紅表筆分別接觸另外兩個管腳，若阻值均比較小(約5~10歐)，再將紅黑表筆交換測量一次，如阻值大(無窮)，說明都是反向電阻(PN結反向)，屬N溝道管，且黑表筆接觸的管為柵極G，並說明原先假定是正確的。再次測量的阻值均很小，說明是正向電阻，屬於P溝道場效應管，黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現上述情況，可以調換紅黑表筆，按上述方法進測試，直至判斷柵極為止。一般結型效應管的源極與漏極在 製造時是對稱的，所以，當柵極G確定以後，對於源極S漏極D不一定要判斷，因為這兩個極可以互換使用，因此沒有必要去判別.源極與漏極之間的電阻約為幾千歐.

　　3.場效應管放大能力的估測

　　用萬用表的RX100擋可以估算場效應管的放大能力.具體測試如下：紅表筆接源極S， 黑表筆接漏極D，這樣相當於給場效應管加上1.5伏的電源電壓，這時錶針指示出的是D-S極間的電阻值.然後用手指捏住柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上.由於場效應管的放大作用，Uds和Id都將發生變化，也相當於D-S極間電阻發生變化，可以觀測到錶針有較大幅度的擺動.如果手捏柵極錶針擺動很小，說明場效應管的放大能力較弱，若錶針不動，說明場效應管已損壞。

　　注意的是多數場效應管的Rds增大，錶針向左擺動，少數場效應管的Rds減小，錶針向右擺動.但無論錶針擺動方向如何，只要能明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。但由於MOS管的輸入電阻更高，柵極允許的感應電壓不應過高，故不能直接用手去捏柵極，必須用手握螺絲刀的絕緣柄，用金屬杆去碰觸柵極，以防止感應電荷直接加到柵極上，引起MOS管的柵極擊穿.

　　4、實例(總結模擬電路中MOS柵極電阻作用)

　　  

 

　　1、是分壓作用

　　2、下拉電阻是儘快洩放柵極電荷將MOS管儘快截止

　　3、防止柵極出現浪湧過壓(柵極上並聯的穩壓管也是防止過壓產生)

　　4、全橋柵極電阻也是同樣機理，儘快洩放柵極電荷，將MOS管儘快截止。避免柵極懸空，懸空的柵極MOS管將會導通，導致全橋短路

　　5、驅動管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振蕩的作用

相關焦點

  • 場效應電晶體的幾點使用知識!
    我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由於場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等
  • 場效應電晶體的特點
    什麼是場效應電晶體?場效應電晶體（Field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應電晶體依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。
  • 場效應管與電晶體的區別
    打開APP 場效應管與電晶體的區別 陳翠 發表於 2019-05-15 16:18:39 　　場效應管與電晶體的區別 　　1、場效應管中，導電過程是多數載流子的漂移運動，故稱為單極型電晶體；雙極型電晶體中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。
  • 【技術】場效應電晶體的特點
    什麼是場效應電晶體?
  • 場效應電晶體的檢測方法
    場效應電晶體是一種常見的電壓控制器件，易被靜電擊穿損壞，原則上不能用萬用表直接檢測各引腳之間的正、反向阻值，可以在電路板上在路檢測，或根據在電路中的功能搭建相應的電路，然後進行檢測。1.結型場效應電晶體放大能力的檢測方法場效應電晶體的放大能力是最基本的性能之一，一般可使用指針萬用表粗略測量場效應電晶體是否具有放大能力。下圖為結型場效應電晶體放大能力的檢測方法。根據結型場效應電晶體放大能力的檢測方法和判斷依據，選取一個已知性能良好的結型場效應電晶體，檢測方法和判斷步驟如圖所示。
  • 場效應電晶體的功能應用
    場效應電晶體是一種電壓控制器件，柵極不需要控制電流，只需要有一個控制電壓就可以控制漏極和源極之間的電流，在電路中常作為放大器件使用。1.結型場效應電晶體的特性和功能特點結型場效應電晶體是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄，改變溝道導電特性來控制漏極電流實現放大功能的，如下圖所示。提示說明：下圖為N溝道結型場效應電晶體的輸出特性曲線。
  • 場效應電晶體的特點 - OFweek電子工程網
    什麼是場效應電晶體?場效應電晶體（Field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應電晶體依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。
  • 場效應電晶體放大器
    場效應電晶體放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級根據場效應管兩大類型--結型場效應管和絕緣柵場效應管可構成相應的場效應管放大器。以下以結型管為例給出三種基本組態放大器的等效電路和性能指標計算表達式，見表5.2-7。圖為場效應管具有與電晶體類似的正向受控作用，它也可構成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。
  • 場效應管知識 什麼叫場效應管 場效應管工作原
    1.什麼叫場效應管？Fffect Transistor的縮寫,即為場效應電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型電晶體,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。
  • 導體場效應電晶體基礎知識解析
    場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應管可以用作電子開關。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以用作可變電阻。場效應管可以方便地用作恆流源。
  • 量子隧道場效應電晶體可為計算機節能99%
    據美國物理學家組織網近日報導，瑞士科學家表示，到2017年，利用量子隧道效應研製出的隧道場效應電晶體有望將計算機和手機的能耗減少到目前的百分之一。
  • 在高頻降壓轉換器的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)
    在這低壓下，加入一個肖特基二極體可有效地減低氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的二極體損耗。這是因為氮化鎵場效應電晶體具備三個重要特性：1。沒有反向恢復損耗，就算部分電流換向至肖特基二極體也可減少有效的二極體壓降及減少損耗。2。
  • 場效應管的作用- -八一八場效應管存在的「身份」
    場效應管類似於三極體，但由於其輸入阻抗高，耦合電容容量小，因此其不必使用較大容量的電解電容器作為耦合電容就可以實現放大管的作用。由於場效應管為電壓控制型器件，輸入阻抗大，速度快，因此其適合於輸入電流較小的電路，一般將其用作開關管使用。
  • 乾貨| MOS場效應管基本知識
    本文將介紹另一種三極體，這種三極體只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極體，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極體（FET），簡稱場效應管。 場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。
  • CMOS場效應電晶體的發展趨勢
    在這中間起決定性作用的是在矽晶片上工作的CMOS場效應電晶體的發明，它的製造工藝的不斷發展和以它為基礎的超大規模集成電路的設計手段的不斷改進。　　圖1是一個最基本的CMOS邏輯門—反向器的物理結構和電路圖。當輸入為邏輯0時它的輸出為邏輯1，當輸入為邏輯1時它的輸出為邏輯0。它是構成超大規模集成電路的一個最基本的元件之一。
  • 有機場效應電晶體是什麼_有機場效應電晶體介紹
    場效應電晶體（FieldEffectTransistorFET）是利用電場來控制固體材料導電性能的有源器件。 有機場效應電晶體是什麼----有機場效應電晶體基本結構 傳統的有機場效應電晶體的主要包括底柵和頂柵兩種結構，其中底柵和頂柵結構又分別包括頂接觸和底接觸兩種結構，如圖1所示。
  • 場效應管的識別與檢測
    /場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。 場效應電晶體可分為結場效應電晶體和MOS場效應電晶體，而MOS場效應電晶體又分為N溝耗盡型和增強型
  • 場效應管特性及應用
    場效應管具有雙向對稱性，即場效應管的源極和漏極是可以互換的(無阻尼)，一般的電晶體是不容易做到這一點的，電子管是根本不可能達到這一點。所謂雙向對稱性，對普通電晶體來說，就是發射極和集電極互換，對電子管來說，就是將陰極和陽極互換。
  • TK10A60D場效應電晶體MOS管
    場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，驪微電子代理的場效應管具有如下特點。
  • 物理學家發明量子隧道效應電晶體
    騰訊科學訊 據美國物理學家組織網近日報導，瑞士科學家表示，到2017年，利用量子隧道效應研製出的隧道場效應電晶體有望將計算機和手機的能耗減少到目前的百分之一。瑞士洛桑理工大學的科學家阿德裡安·約內斯庫在為英國《自然》雜誌撰寫的一篇文章中提出了上述看法，該文章是《自然》雜誌有關矽的特別報導的一部分。