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LOD的手冊上,都會標註,輸入或輸出電容的最小容值,以避免振蕩。
本人特別膽小,擔心測試的時候,萬用表沒操作好,導致鉭電容爆炸,所以一般都會選擇陶瓷電容。
比如上面的電容要求10uF,我一般會考慮電容會隨溫度有變化,所以會選兩個10uF,或者一個22uF的電容。要求電壓為10V的話,我一般會留個50%~70%的餘量,所以會選一個20V左右承受電壓的。自我感覺餘量,已經留的很充足了。
最近,在選電容的時候,仔細閱讀了一下特定型號的器件手冊,比如說GRM21BR61D106KE15,發現其容值在有直流電壓的情況下,幾乎是成線性下降,10uF的電容,在DC bias為12V的時候,降到2uF。
以前,我真是沒有注意到這一點。真是慚愧。
查找資料【1】,上面說,由於使用的材料的特性,X7R、X5R溫度特性的多層陶瓷電容,會隨著DC bias的增大而減小,C0G、U2J等特性的MLCC,其容值基本不受DC bias的影響。
鉭電容和電介質電容,其容值也不受電壓影響。
這讓我想起了,村田官網上,新提供的電容的Dynamic模型。當時我心裡還疑惑,怎麼又整出來個動態模型呢。現在,終於是明白了。今天還特意用ADS仿真了一下,確實是把DC bias的影響也考慮進去了。
文獻【1】:
https://www.ceramicindustry.com/articles/90304-understanding-dc-bias-characteristics-in-high-capacitance-mlccs
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