一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極體的正極流入，負極流出。
整流二極體（rectifier diode）一種用於將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極體的正極流入，負極流出。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。其結構如圖所示。P區的載流子是空穴，N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加電壓使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V），稱為正嚮導通狀態。若加相反的電壓，使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極體具有明顯的單向導電性。整流二極體可用半導體鍺或矽等材料製造。矽整流二極體的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極體都用高純單晶矽製造（摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極體主要用於各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。
（1）最大平均整流電流IF：指二極體長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極體的平均電流不能大於此值，並要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極體的IF為1A。
（2）最高反向工作電壓VR：指二極體兩端允許施加的最大反向電壓。若大於此值，則反向電流（IR）劇增，二極體的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓（VB）的一半作為（VR）。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V
（3）最大反向電流IR：它是二極體在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極體單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極體質量越好。
（5）最高工作頻率fm：它是二極體在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極體的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極體的fm為3kHz。另有快恢復二極體用於頻率較高的交流電的整流，如開關電源中。
（7）零偏壓電容CO：指二極體兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由於製造工藝的限制，即使同一型號的二極體其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個範圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列矽塑封整流二極體的IR小於10uA，而在100°C時IR則變為小於500uA。
（2）運行條件惡劣。間接傳動的發電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發電機長期處於高轉速下運行，而整流管也就長期處於較高的電壓下工作，促使整流管加速老化，並被過早地擊穿損壞。
（3）運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化（特別是在深夜零點至第二天上午6點之間）不了解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。
（4）設備安裝或製造質量不過關。由於發電機組長期處於較大的振動之中運行，使整流管也處於這一振動的外力幹擾之下；同時由於發電機組轉速時高時低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便大大地加速了整流管的老化、損壞。
（6）整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發電機勵磁迴路中發生的過電壓或過電流暫態過程峰值的襲擊而損壞。
一）普通一）普通二極體的檢測 （包括檢波二極體、整流二極體、阻尼二極體、開關二極體、續流二極體）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極體的電極，還可估測出二極體是否損壞。
1．極性的判別 將萬用表置於R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極體的兩個電極，測出一個結果後，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極體的正極，紅表筆接的是二極體的負極。
2．單負導電性能的檢測及好壞的判斷 通常，鍺材料二極體的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。矽材料二極體的電阻值為5 kΩ左右，反向電阻值為∞（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極體的單向導電特性越好。
若測得二極體的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極體內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極體的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極體已開路損壞。
3．反向擊穿電壓的檢測 二極體反向擊穿電壓（耐壓值）可以用電晶體直流參數測試表測量。其方法是：測量二極體時，應將測試表的「NPN/PNP」選擇鍵設置為NPN狀態，再將被測二極體的正極接測試表的「C」插孔內，負極插入測試表的「e」插孔，然後按下「V（BR）」鍵，測試表即可指示出二極體的反向擊穿電壓值。
也可用兆歐表和萬用表來測量二極體的反向擊穿電壓、測量時被測二極體的負極與兆歐表的正極相接，將二極體的正極與兆歐表的負極相連，同時用萬用表（置於合適的直流電壓檔）監測二極體兩端的電壓。如圖4-71所示，搖動兆歐表手柄（應由慢逐漸加快），待二極體兩端電壓穩定而不再上升時，此電壓值即是二極體的反向擊穿電壓。
（二）穩壓二極體的檢測
1．正、負電極的判別 從外形上看，金屬封裝穩壓二極體管體的正極一端為平面形，負極一端為半圓面形。塑封穩壓二極體管體上印有彩色標記的一端為負極，另一端為正極。對標誌不清楚的穩壓二極體，也可以用萬用表判別其極性，測量的方法與普通二極體相同，即用萬用表R×1k檔，將兩表筆分別接穩壓二極體的兩個電極，測出一個結果後，再對調兩表筆進行測量。在兩次測量結果中，阻值較小那一次，黑表筆接的是穩壓二極體的正極，紅表筆接的是穩壓二極體的負極。
若測得穩壓二極體的正、反向電阻均很小或均為無窮大，則說明該二極體已擊穿或開路損壞。
2．穩壓值的測量 用0~30V連續可調直流電源，對於13V以下的穩壓二極體，可將穩壓電源的輸出電壓調至15V，將電源正極串接1隻1.5kΩ限流電阻後與被測穩壓二極體的負極相連接，電源負極與穩壓二極體的正極相接，再用萬用表測量穩壓二極體兩端的電壓值，所測的讀數即為穩壓二極體的穩壓值。若穩壓二極體的穩壓值高於15V，則應將穩壓電源調至20V以上。
也可用低於1000V的兆歐表為穩壓二極體提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩壓二極體的負極相接，兆歐表的負端與穩壓二極體的正極相接後，按規定勻速搖動兆歐表手柄，同時用萬用表監測穩壓二極體兩端電壓值（萬用表的電壓檔應視穩定電壓值的大小而定），待萬用表的指示電壓指示穩定時，此電壓值便是穩壓二極體的穩定電壓值。
若測量穩壓二極體的穩定電壓值忽高忽低，則說明該二極體的性不穩定。
圖4-72是穩壓二極體穩壓值的測量方法。
（三）雙向觸發二極體的檢測
1．正、反向電阻值的測量 用萬用表R×1k或R×10k檔，測量雙向觸發二極體正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0，則說明該二極體已擊穿損壞。
2．測量轉折電壓 測量雙向觸發二極體的轉折電壓有三種方法。
第一種方法是：將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發二極體的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發二極體的兩極對調後再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小，說明此二極體的性能越好。
第二種方法是：先用萬用表測出市電電壓U，然後將被測雙向觸發二極體串入萬用表的交流電壓測量迴路後，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發二極體的兩極對調連接後並讀出電壓值U2。
若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極體的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極體的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極體內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V，則說明該雙向觸發二極體內部已開路損壞。
第三種方法是：用0~50V連續可調直流電源，將電源的正極串接1隻20kΩ電阻器後與雙向觸發二極體的一端相接，將電源的負極串接萬用表電流檔（將其置於1mA檔）後與雙向觸發二極體的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上），則說明此雙向觸發二極體已導通，此時電源的電壓值即是雙向觸發二極體的轉折電壓。
圖4-73是雙向觸發二極體轉折電壓的檢測方法。
（四）發光二極體的檢測
1．正、負極的判別 將發光二極體放在一個光源下，觀察兩個金屬片的大小，通常金屬片大的一端為負極，金屬片小的一端為正極。
2．性能好壞的判斷
用萬用表R×10k檔，測量發光二極體的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值（黑表筆接正極時）約為10~20kΩ，反向電阻值為250kΩ~∞（無窮大）。較高靈敏度的發光二極體，在測量正向電阻值時，管內會發微光。若用萬用表R×1k檔測量發光二極體的正、反向電阻值，則會發現其正、反向電阻值均接近∞（無窮大），這是因為發光二極體的正向壓降大於1.6V（高於萬用表R×1k檔內電池的電壓值1.5V）的緣故。
用萬用表的R×10k檔對一隻220μF/25V電解電容器充電（黑表筆接電容器正極，紅表筆接電容器負極），再將充電後的電容器正極接發光二極體正極、電容器負極接發光二極體負極，若發光二極體有很亮的閃光，則說明該發光二極體完好。
也可用3V直流電源，在電源的正極串接1隻33Ω電阻後接發光二極體的正極，將電源的負極接發光二極體的負極（見圖4-74），正常的發光二極體應發光。或將1節1.5V電池串接在萬用表的黑表筆（將萬用表置於R×10或R×100檔，黑表筆接電池負極，等於與表內的1.5V電池串聯），將電池的正極接發光二極體的正極，紅表筆接發光二極體的負極，正常的發光二極體應發光。
（五）紅外發光二極體的檢測
1．正、負極性的判別 紅外發光二極體多採用透明樹脂封裝，管心下部有一個淺盤，管內電極寬大的為負極，而電極窄小的為正極。也可從管身形狀和引腳的長短來判斷。通常，靠近管身側向小平面的電極為負極，另一端引腳為正極。長引腳為正極，短引腳為負極。
2．性能好壞的測量 用萬用表R×10k檔測量紅外發光管有正、反向電阻。正常時，正向電阻值約為15~40kΩ（此值越小越好）；反向電阻大於500kΩ（用R×10k檔測量，反向電阻大於200 kΩ）。若測得正、反向電阻值均接近零，則說明該紅外發光二極體內部已擊穿損壞。若測得正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極體已開路損壞。若測得的反向電阻值遠遠小於500kΩ，則說明該二極體已漏電損壞。
（六）紅外光敏二極體的檢測
將萬用表置於R×1k檔，測量紅外光敏二極體的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值（黑表筆所接引腳為正極）為3~10 kΩ左右，反向電阻值為500 kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則說明該光敏二極體已擊穿或開路損壞。
在測量紅外光敏二極體反向電阻值的同時，用電視機遙控器對著被測紅外光敏二極體的接收窗口（見圖4-75）。正常的紅外光敏二極體，在按動遙控器上按鍵時，其反向電阻值會由500 kΩ以上減小至50~100 kΩ之間。阻值下降越多，說明紅外光敏二極體的靈敏度越高。
（七）其他光敏二極體的檢測
1．電阻測量法 用黑紙或黑布遮住光敏二極體的光信號接收窗口，然後用萬用表R×1k檔測量光敏二極體的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值在10~20kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則是該光敏二極體漏電或開路損壞。
再去掉黑紙或黑布，使光敏二極體的光信號接收窗口對準光源，然後觀察其正、反向電阻值的變化。正常時，正、反向電阻值均應變小，阻值變化越大，說明該光敏二極體的靈敏度越高。
2．電壓測量法 將萬用表置於1V直流電壓檔，黑表筆接光敏二極體的負極，紅表筆接光敏二極體的正極、將光敏二極體的光信號接收窗口對準光源。正常時應有0.2~0.4V電壓（其電壓與光照強度成正比）。
3．電流測量法 將萬用表置於50μA或500μA電流檔，紅表筆接正極，黑表筆接負極，正常的光敏二極體在白熾燈光下，隨著光照強度的增加，其電流從幾微安增大至幾百微安。
（八）雷射二極體的檢測
1．阻值測量法 拆下雷射二極體，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明雷射二極體的性能已下降。若測得的正向電阻值大於90kΩ，則說明該二極體已嚴重老化，不能再使用了。
2．電流測量法 用萬用表測量雷射二極體驅動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調節雷射功率電位器（見圖4-76），而電流無明顯的變化，則可判斷雷射二極體嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明雷射二極體的光學諧振腔已損壞。
（九）變容二極體的檢測
1．正、負極的判別 有的變容二極體的一端塗有黑色標記，這一端即是負極，而另一端為正極。還有的變容二極體的管殼兩端分別塗有黃色環和紅色環，紅色環的一端為正極，黃色環的一端為負極。
也可以用數字萬用表的二極體檔，通過測量變容二極體的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性。正常的變容二極體，在測量其正向電壓降時，表的讀數為0.58~0.65V；測量其反向電壓降時，表的讀數顯示為溢出符號「1」。在測量正向電壓降時，紅表筆接的是變容二極體的正極，黑表筆接的是變容二極體的負極。
2．性能好壞的判斷 用指針式萬用表的R×10k檔測量變容二極體的正、反向電阻值。正常的變容二極體，其正、反向電阻值均為∞（無窮大）。若被測變容二極體的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極體漏電或擊穿損壞。
（十）雙基極二極體的檢測
1．電極的判別 將萬用表置於R×1k檔，用兩表筆測量雙基極二極體三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發射極E。再將黑表筆接發射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個電極，一般會測出兩個不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另一個電極即是基極B1。
2．性能好壞的判斷 雙基極二極體性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發射極E，紅表筆依次接兩個基極（B1和B2），正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。
雙基極二極體兩個基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ範圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極體已損壞。
（十一）橋堆的檢測
1．全橋的檢測 大多數的整流全橋上，均標註有「+」、「-」、「~」符號（其中「+」為整流後輸出電壓的正極，「-」為輸出電壓的負極，「~」為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。
檢測時，可通過分別測量「+」極與兩個「~」極、「-」極與兩個「~」之間各整流二極體的正、反向電阻值（與普通二極體的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內鞭只二極體的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極體已擊穿或開路損壞。
2．半橋的檢測 半橋是由兩隻整流二極體組成，通過用萬用表分別測量半橋內部的兩隻二極體的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常。
（十二）高壓矽堆的檢測
高壓矽堆內部是由多隻高壓整流二極體（矽粒）串聯組成，檢測時，可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓矽堆，其正向電阻值大於200kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓矽堆已軟擊穿損壞。
（十三）變阻二極體的檢測
用萬用表R×10k檔測量變阻二極體的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極體的正向電阻值（黑表筆接正極時）為4.5~6kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明被測變阻二極體已損壞。
（十四）肖特基二極體的檢測
二端型肖特基二極體可以用萬用表R×1檔測量。正常時，其正向電阻值（黑表筆接正極）為2.5~3.5Ω，投向電阻值為無窮大。若測得正、反電阻值均為無窮大或均接近0，則說明該二極體已開路或擊穿損壞。
三端型肖特基二極體應先測出其公共端，判別出共陰對管，還是共陽對管，然後再分別測量兩個二極體的正、反向電阻值。
# 肖特基二極體和快恢復二極體又什麼區別
快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體（5us以下），工藝上多採用摻金措施，結構上有採用PN結型結構，有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。
肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。
這兩種管子通常用於開關電源。
肖特基二極體和快恢復二極體區別：前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~！
前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是二極體阿~！
快恢復二極體在製造工藝上採用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。
肖特基二極體：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢復時間。它是具有肖特基特性的「金屬半導體結」的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。
快恢復二極體：有0.8-1.1V的正嚮導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.