中微確立存儲晶片幹法刻蝕領域市場地位

2020-11-22 美通社

中微第二代單反應腔等離子體刻蝕設備已在韓國領先的客戶生產線上得到驗證

用於20納米及以下關鍵快閃記憶體晶片的加工製造

上海和首爾2013年4月11日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（以下簡稱「中微」）稱已研發成功第二代單反應臺等離子體刻蝕設備（Primo SSC AD-RIE™）。該設備能夠用於加工要求最為嚴格的半導體器件。在不到一年的時間裡，中微的Primo SSC AD-RIE™刻蝕設備在韓國領先的半導體製造企業中完成了20納米及以下關鍵快閃記憶體晶片的生產驗證。該韓國客戶已正式下單訂購，目前正在進行15納米晶片刻蝕的驗證。此前，中微雙反應臺刻蝕設備Primo D-RIE®已在眾多亞洲領先的存儲晶片和邏輯晶片生產線上確立穩固地位，而中微這款新刻蝕產品延續了Primo D-RIE®的創新性。

中微是國內先進的晶片製造高端設備企業，為全球半導體和LED晶片製造商服務。中微的研發和運營中心位於上海，全球銷售和市場中心位於新加坡，其團隊由一批來自美國矽谷和亞洲半導體設備領域的專家組成。中微目前的技術成就標誌著一個轉折點：中微現在所取得的裡程碑式的突破，證實了中微完全有能力為客戶提供具有高競爭力的設備和技術解決方案，並達到客戶最先進晶片的加工要求。更重要的是，中微能夠躋身於世界刻蝕設備領域前列，與美國和日本公司競爭。

除了韓國客戶以外，中國臺灣、日本和其他地區的晶片生產廠商也對中微的Primo SSC AD-RIE™刻蝕設備表示了極大的興趣。事實上，20納米及以下幹法刻蝕所伴隨的極大挑戰已經將小的刻蝕設備供應商排除出局，僅留下一些佼佼者佔主導地位。Primo SSC AD-RIE™改變了這種局勢，為行業提供了又一新的選擇。中微目前正在準備晶片DEMO測試。同時，公司也在和部分客戶合作開發15納米快閃記憶體晶片加工工藝和VNAND工藝。

為了支持韓國客戶並在韓國地區進一步拓展業務，中微韓國分公司將於今年在韓國當地建立研發中心。

中微董事長兼執行長尹志堯博士對韓國客戶給予的密切合作表示衷心感謝，這樣的合作對於解決先進技術難題的發展必不可少，他指出：「中微對於在韓國當地投資建立研發中心、以更好地服務於韓國本地客戶的想法非常贊成，基於這一點，我們正在加快韓國本地化計劃，並且通過加強智慧財產權保護、現場產品改進計劃和及時現場技術支持來進一步加速這項計劃。」

中微韓國區總經理KI Yoon對中微的本地化策略作出了進一步的說明，他表示：「我們一直努力發展韓國本地的供應商，並尋求可靠的合作夥伴，這將使我們能夠更好地服務於客戶在韓國本土和中國所建的晶片生產線，這不僅僅是為了韓國市場，而且也是為了全球市場。在技術方面，我們致力於為韓國以及其他國家的客戶提供創新的技術解決方案，包括第三代CCP介質刻蝕設備、ICP刻蝕設備以及18英寸刻蝕設備的開發。」

Primo SSC AD-RIE是中微公司已申請的註冊商標。

關於中微半導體設備有限公司

中微公司致力於為全球半導體晶片和LED晶片生產廠商提供先進的工藝和技術，是中國領先的晶片製造設備企業。公司目前主要提供等離子體刻蝕設備、矽通孔（TSV）刻蝕設備以及MOCVD設備，用於國際一線客戶的晶片加工製造。目前，中微已有200多個刻蝕反應臺在亞洲地區眾多國際領先的生產線上運行。

如需更多信息，請訪問公司網站：www.amec-inc.com.

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