屹唐半導體首批下線產品為幹法去膠、乾式刻蝕和快速熱處理等設備

2020-11-22 華強電子網

屹唐半導體首批下線產品為幹法去膠、乾式刻蝕和快速熱處理等設備

  10月16日,北京屹唐半導體科技有限公司(下稱「屹唐半導體」)在北京亦莊舉辦新產品下線儀式,這意味著半導體設備製造業也展現了不錯的發展勢頭。

  屹唐半導體首批下線產品為幹法去膠、乾式刻蝕和快速熱處理等設備。在本次儀式上,屹唐半導體也將部分產品正式交付給了中芯北方、長江存儲、以及華力微電子等客戶,已經成功進入客戶生產線。

  其中,包括交付給中芯北方的Suprema等離子體去膠設備,交付給長江存儲的Helios XP快速熱退火設備,以及交付給上海華力微電子的Helios XP快速熱退火設備等等。

  據悉,屹唐半導體主要為12英寸晶圓廠客戶提供幹法去膠(Dry Strip)、幹法刻蝕(Dry Etch)、快速熱處理(RTP)、毫秒級快速熱處理(MSA)等設備及應用方案,擁有完整的智慧財產權。幹法去膠(Dry Strip)、快速熱處理(RTP)、毫秒級快速熱處理(MSA)設備在各自細分領域都位於世界前三。

  以收購求突破

  眾所周知,在晶片製造當中,關鍵零部件大多來源於上遊設備廠的工藝開發,所以發展中國半導體裝備是非常重要的,而中國半導體產業發展過程中最大的短板即是設備和材料環節,其對國內產業突破的影響巨大。

  為了解決這一問題,屹唐半導體自2016年成立就決定以約3億美元的總價收購Mattson Technology,正式進入半導體設備製造領域。

  Mattson Technology是全球知名的半導體晶圓蝕刻機臺設備供應商,於1989年在矽谷成立,主要提供乾式剝離、蝕刻、快速熱製程(Rapid Thermal Processing,RTP)、毫秒退火(millisecond anneal,MSA)以及化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)等設備。

  雖然在收購前期,由於團隊不穩定和大客戶的流失導致其業績遭遇大幅下跌,不過通過不斷的新技術開發,重新拿到大客戶訂單,並得到了更大的市場份額,在併購一年之後,屹唐半導體創下了公司三十年的歷史最好成績。

  如今,經過兩年多的整合,屹唐半導體新產品也成功下線,營收也將突破7000萬美元,明年營收更將會超過1億美元。

  本次產品下線是屹唐半導體在收購Mattson Technology之後首次對外發布新的產品,可以說是中資收購國外半導體產業鏈公司推動國內產業發展的成功案例。

  北京工廠年產設備100臺

  據了解,屹唐半導體北京工廠2018年4月開工建設,9月投產,10月首臺產品正式下線,其投產速度極快。

  該工廠建築面積共5100平方米,其中生產廠房面積超3600平方米,配套建設有1000餘平方米的萬級潔淨廠房和100平方米千級潔淨驗證測試間。工廠設計有10個組裝測試工位,每年可生產設備100臺以上。

  此外,北京工廠還具備去膠、刻蝕和毫秒級退火等產品本地組裝能力,並能夠完成設備出廠前所有測試。其中研發測試中心具備國際先進水平的工藝實驗、檢測、研發環境;同時具備包括客戶培訓體系、現場技術支持、備品備件管理、客戶投訴體系等在內的架構完備、響應快速的客戶服務體系。

  此舉能讓屹唐半導體更好地服務於中國半導體產業發展,實現國際品牌國產化,儘快提供「就地製造、就地研發、就地培訓、就地支持」等高效服務。



關注電子行業精彩資訊,關注華強資訊官方微信,精華內容搶鮮讀,還有機會獲贈全年雜誌

關注方法:添加好友→搜索「華強微電子」→關注

或微信「掃一掃」二維碼

相關焦點

  • 去膠和快速退火產品市佔率居全球第二!屹唐半導體總裁發表新年寄語
    集微網消息,據屹唐半導體官方消息,12月31日,屹唐半導體總裁兼執行長陸郝安博士發表了自己的新年寄語。圖片來源:屹唐半導體官方陸郝安博士表示,2019年是屹唐半導體完成收購總部在矽谷的Mattson Technology的第三個年頭。
  • 獨家融資 | 屹唐半導體獲紅杉資本等投資
    鉛筆道10月15日訊,北京屹唐半導體科技有限公司獲紅杉資本中國、深創投、基石資本、元禾控股等機構投資。  據天眼查App,屹唐半導體的投資人變更中新增了多位機構股東(見下圖),包括紅杉鵬辰(廈門)股權投資合夥企業(有限合夥)、深圳市創新投資集團有限公司、深圳市前海萬容紅土投資基金(有限合夥)、蕪湖嘉盛基石股權投資合夥企業(有限合夥)、蘇州元禾厚望屹芯創業投資合夥企業(有限合夥) 、深圳市吉慧投資企業(有限合夥)、北京華控產業投資基金(有限合夥)等。
  • 半導體設備行業專題報告:國內需求增長,國產替代進展提速
    半導體設備 2013~2018 年複合增長率為 15%,前道、封裝、測試分別為 15%、11%、16%。增速最快的子項目分別為刻蝕設備(CAGR 24%)和存儲測試設備(CAGR 27%)。北方華創矽刻蝕進入 SMIC 28nm 生產線量產。Mattson(屹唐半導體)在去膠設備市佔率全球第二。盛美半導體單片清洗機在海力士、長存、SMIC 等產線量產。瀋陽拓荊 PECVD 打入 SMIC、華力微 28nm 生產線量產,2018 年 ALD 通過客戶 14nm 工藝驗證。精測電子、上海睿勵在測量領域突破國外壟斷。
  • 國內最具優勢的半導體設備——刻蝕機的突圍
    前一段時間《每日財報》用系列文章對國內半導體行業的現狀做了介紹,在設備領域重點剖析了技術難度最大的光刻膠,今天就帶大家深入了解國內最具優勢的半導體設備——刻蝕機。在晶片的製造過程中,有三大關鍵工序,分別是光刻、刻蝕、沉積。這三大工序在生產的過程中,不斷的重複循環,最終製造成為晶片。而在這三大關鍵工序中,要用到三種關鍵設備,分別是光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備。
  • 半導體設備行業深度報告:國產突破正加速
    (略)2.1.3 去膠設備:屹唐佔據國內去膠機較大份額,芯源微/中電 45 所也在突破去膠機:在半導體製造工藝中,光刻膠只是起到圖形轉移的媒介作用,在完成圖形轉移後,需要將光 刻膠完全去除,以避免殘留的光刻膠影響後續工藝質量。去膠機主要用於圓片刻蝕後其表面作為阻擋層的 光刻膠的去除,適用於 50-300mm 圓片的處理。
  • 半導體設備群雄匯,中國戰力如何?
    應用材料的產品線涵蓋了半導體製造的數十種設備,包括原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子注入、刻蝕、快速熱處理(RTP)、化學機械拋光(CMP),以及晶圓檢測設備等。半導體設備行業技術壁壘非常高,隨著製程越來越先進,對半導體設備的性能和穩定性提出了越來越高的要求,需要投入大量的研發資金。
  • 半導體設備行業深度報告:國產突破正加速,迎來中長期投資機會
    ;其他屹唐、瀋陽拓荊、瀋陽芯源、北京中科信、上海睿勵、上海精測在熱處 理設備、鍍膜設備、塗膠顯影設備、離子注入、膜厚測量等設備上佔據一定份額,提升空間較大。2.1.3 去膠設備:屹唐佔據國內去膠機較大份額,芯源微/中電 45 所也在突破去膠機:在半導體製造工藝中,光刻膠只是起到圖形轉移的媒介作用,在完成圖形轉移後,需要將光 刻膠完全去除,以避免殘留的光刻膠影響後續工藝質量。
  • 半導體設備市場深度報告_政務_澎湃新聞-The Paper
    圖24:ASML 基本壟斷超高端光刻機市場 資料來源:申港證券研究所2.刻蝕機:晶片線寬的縮小以及新製造工藝的採用使刻蝕機使用量有所增加刻蝕機為晶圓製造三大主要設備之一,包括兩種基本的刻蝕工藝,分別為幹法刻蝕與溼法腐蝕。
  • 兩種基本的刻蝕工藝:幹法刻蝕和溼法腐蝕
    在半導體製造中有兩種基本的刻蝕工藝:幹法刻蝕和溼法腐蝕。幹法刻蝕是把矽片表面曝露於氣態中產生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口,與矽片發生物理或化學反應(或這兩種反應),從而去掉曝露的表面材料。幹法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最重要方法。而在溼法腐蝕中,液體化學試劑(如酸、鹼和溶劑等)以化學方式去除矽片表面的材料。溼法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下(大於3微米)。溼法腐蝕仍然用來腐蝕矽片上某些層或用來去除幹法刻蝕後的殘留物。
  • 中銀國際證券:清洗設備國產化率與刻蝕設備國產化率基本持平
    英寸晶圓產線上僅有盛美半導體持續獲得清洗設備重複訂單,推動清洗設備國產化率達到22%,與中微、北方華創、屹唐共同主導的刻蝕設備國產化率基本相當。盛美主導的清洗設備國產化程度,與中微、北方華創、屹唐推動的刻蝕設備國產化程度基本相當。
  • 小科普|半導體晶片工藝中的刻蝕
    這些圖形必須再轉移到光刻膠下面組成器件的各薄層上,這一工藝過程我們稱之為刻蝕,即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽的部分。今天我們就來簡單地聊聊光刻的兩種基本方法:溼法化學刻蝕和幹法刻蝕。溼法化學刻蝕較為適用於多晶矽、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物地表面刻蝕。2、幹法刻蝕溼法化學刻蝕在進行圖形轉移的最大缺點是掩模下會出現橫向鑽蝕,導致刻蝕後圖形的解析度下降。為了達到較大規模集成電路的工藝要求的高精度光刻膠抗蝕劑的圖形轉移,幹法刻蝕得到快速發展。
  • 太陽能光伏刻蝕清洗設備
    而在製造太陽能電池的工藝流程中,通常都在擴散後進行刻蝕。在擴散過程中,矽片的周邊表面也形成擴散層。周邊擴散層使電池的上電極和下電極形成短路,必須將它除去。這個工序是太陽電池製作中必不可少的一步,周邊存在任何微小的局部短路都會使電池並聯電阻下降,以至成為廢品。本章首先對光伏刻蝕技術進行了簡單的介紹,並在此基礎上介紹了幾類典型的刻蝕清洗設備的使用和維護。
  • 幹法刻蝕與溼法刻蝕有什麼不同?北方華創與中微公司技術一樣嗎?
    五月中旬美國再次斷供華為,而且力度遠超預期,但中微公司和北方華創這兩家刻蝕設備廠商股價一度創歷史新高。長期來看半導體國產替代的邏輯依然持續,但短期可能面臨較大調整壓力,未來的股價走勢可能還是雞飛狗跳式的。本文就重點聊聊刻蝕設備及涉及的主要技術。
  • 半導體設備行業深度報告:市場再創新高,國產化替代空間廣闊
    退火是一種加熱過程,通過加熱使晶 圓產生特定的物理和化學變化,並在晶圓表面增加或移除少量物質。熱處理工藝使用的半導體設備為氧化擴散設備,其實質為高溫爐。高溫爐分 為直立式和水平式高溫爐,高溫爐主要包括五個基本組件:控制系統、工藝爐管、 氣體輸送系統、氣體排放系統和裝載系統。高溫爐必須具有穩定性、均勻性、精確 的溫度控制、低微粒汙染、高生產率和可靠性。
  • 全球刻蝕設備市場深度分析與解讀!
    晶圓製造涉及眾多流程,刻蝕為其中重要的一 步,目的是在襯底上留下需要的圖形電路。刻蝕分為幹法刻蝕和溼法刻蝕,其 中幹法刻蝕是主流工藝;在幹法刻蝕中,反應離子刻蝕應用最廣泛。為了精確複製矽片上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足速率快、刻蝕剖面各向異性等一系列特 殊要求。半導體工藝節點的不斷縮小,對刻蝕設備提出了更苛刻的要求。
  • 半導體全面分析(六):千億市場、三大設備、四大巨頭!
    定義:技術高、進步快、種類多、價值大  半導體設備處於產業鏈上遊,支撐製造和封裝測試,半導體行業技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,一代工藝需要一代設備,半導體設備是半導體產業的技術先導者,通常半導體設備的研發領先半導體工藝3~5 年  半導體設備屬於高端製造裝備,其價值量較高,高端 EUV 光刻機單價超過
  • 刻蝕設備國產化率達到18%,比率處於逐年上升態勢(附報告目錄)
    按照原理不同,刻蝕可分為幹法和溼法兩種,其中幹法刻蝕工藝佔比90%以上。幹法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術,溼法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,溼法刻蝕由於需要大量對人體和環境有害的腐蝕性化學試劑,逐步被幹法刻蝕替代。
  • 半導體設備有哪些?如何分類?(前道工藝設備——晶圓製造篇)
    半導體設備泛指用於生產各類半導體產品所需的生產設備,屬於半導體行業產業鏈的關鍵支撐環節。半導體設備是半導體產業的技術先導者,晶片設計、晶圓製造和封裝測試等需在設備技術允許的範圍內設計和製造,設備的技術進步又反過來推動半導體產業的發展。
  • 王曉東:幹法刻蝕引領半導體微納加工
    會議期間,中科院半導體所、集成電路工程研究中心的王曉東研究員做了題為《半導體微納加工中的矽幹法刻蝕技術》的報告。矽幹法刻蝕即等離子體刻蝕技術,相對於溼法刻蝕,具有更好的各向異性,工藝重複性,且能降低晶圓汙染機率,因此成為了亞微米下製備半導體器件最主要的刻蝕方法。在此次報告中,王曉東研究員介紹了三種不同的矽幹法刻蝕技術。