...可生產的半導體光刻膠主要為g/i線正性光刻膠、i線負性光刻膠...

2020-12-09 同花順財經

同花順金融研究中心5月27日訊，有投資者向容大感光提問， 董秘您好，請問公司目前可生產的半導體光刻膠有哪幾種，生產規模如何，營收佔比如何？

公司回答表示，公司目前可生產的半導體光刻膠主要為g/i線正性光刻膠、i線負性光刻膠、i線厚膜膠等。主要包括RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL系列等。我公司大亞灣光刻膠及其配套化學品募投項目設計的生產能力為年產1000噸。感謝您的關注。

來源: 同花順金融研究中心

相關焦點

  • ...TFT正性光刻膠、晶片及半導體行業i/g/h線光刻膠等中高端市場
    投資者問：公司有光刻膠研發嗎？公司的光刻膠產品主要用在哪方面？未來對光刻膠有何計劃？ 同益股份(300538)：作為中高端化工及電子材料一體化解決方案提供商，公司先後從韓國引進丙烯酸樹脂、KISCO光引發劑、DKC光敏劑以及色漿等產品，主要應用於LCD-TFT正性光刻膠、晶片及半導體
  • 半導體光刻膠行業專題報告:國產半導體光刻膠迎發展良機
    根據前瞻 產業研究院整理統計，2019 年 g/i 線光刻膠市場上，來自日本的 TOK、JSR、住友化學和 富士膠片分別佔據 26%、15%、15%、8%的份額，總計達到 64%的全球 g 線和 i 線光刻 膠市場份額。而來自美國的陶氏化學、韓國的東進半導體和其他公司分別佔據 18%、13% 和 5%的市場份額。
  • 半導體材料行業專題報告:光刻膠,高精度光刻關鍵材料
    光刻膠的品種多種多樣，基於感光樹脂的化學結構，按技術可分為光聚合型、光分解型、光交聯型三種。另外，正性和負性光刻膠是光刻膠的兩個重要品類，光照後形成可溶物質的為正性膠，形成不可溶物質的為負 性膠。由於性能較優，正性光刻膠應用更廣，但由於光刻膠需求量大，負性膠仍有一定的應用市場。
  • 90%市場被國外廠商壟斷,光刻膠國產化急需提速!
    二、光刻膠分類1、正性光刻膠和負性光刻膠光刻膠可依據不同的產品標準進行分類。按照化學反應和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。(1)半導體用光刻膠在半導體用光刻膠領域，光刻技術經歷了紫外全譜（300～450nm）、g 線（436nm）、i線 （365nm）、深紫外（DUV,包括 248nm 和 193nm）和極紫外（EUV）六個階段。
  • 晶瑞股份:進口韓國ASML光刻機設備,開展高端光刻膠研發
    光刻膠產品有30年生產經驗 據了解，光刻膠是晶片工藝製造中的關鍵材料，其技術水平決定了半導體產品的技術規格和能力，技術原理是利用光化學反應經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩模板轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要化學品成分和其他助劑組成。
  • 中信建投證券:光刻膠產業鏈國產化大勢所趨、任重道遠
    2018年半導體光刻膠中，ArF膠、KrF膠、i線/g線膠市場規模分別為5.8、3.5、3.5億美元，相對先進的ArF膠市場佔比最大，但KrF膠和i線/g線膠仍舊有可觀的市場規模。溶劑主要使光刻膠各組分分散其中，使光刻膠具備流動性，當前半導體和面板光刻膠所用溶劑主要為PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯，亦簡稱PMA）；樹脂與感光劑搭配使用，是光刻膠發揮感光作用的主要功能組分，不同類型的光刻膠其樹脂和感光劑的成分有很大差別，依感光波長由長到短主要為酚醛樹脂-重氮萘醌體系（g線/i線）、對羥基苯乙烯-光致產酸劑體系（KrF）、丙烯酸酯-光致產酸劑體系（ArF）
  • 光刻膠:半導體高壁壘核心材料
    光刻膠原材料主要為樹脂、溶劑和其他添加劑。其中溶劑質量佔比最大，一般在80%以上。其他添加劑質量佔比雖不足5%，卻是決定光刻膠特有性質的關鍵材料，包括光敏劑、表面活性劑等材料。光刻技術隨著集成電路的發展經歷了從G線（436nm）光刻，H線（405nm）光刻，I線（365nm）光刻，到深紫外線DUV光刻（KrF248nm和ArF193nm）、193nm浸沒式加多重成像技術（32nm-7nm），在到極端紫外線（EUV，＜13.5nm）光刻的發展，甚至採用非光學光刻（電子束曝光、離子束曝光），以相應波長為感光波長的各類光刻膠也應用而生。
  • 「芯布局」光刻膠國產化進行時,誰能躍居龍頭率先領航?
    半導體用光刻膠市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中g 線和i線光刻膠是市場上使用量最大的光刻膠。我國半導體領域的g線、i線光刻膠基本可以滿足自給自足，並在逐步提升供應量，兩者主要用於6英寸晶圓的集成電路製造。KrF（用於8英寸晶圓）和ArF光刻膠（用於12英寸晶圓）被日本、美國企業壟斷。
  • 光刻膠:半導體製程關鍵材料
    來源：樂晴智庫光刻是半導體製程的核心，製程時間佔比為40%-60%。而光刻膠作為光刻工藝中圖形轉移的載體，幾乎決定了晶圓廠所能達到的製程高度，是半導體製程中的不可或缺的關鍵材料，也是國產替代的重要環節。
  • 光刻膠是什麼材料 光刻膠分類情況是怎樣
    光刻膠是什麼材料光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1、光刻膠的技術複雜，品種較多。
  • 光刻膠:晶片產業鏈形成的關鍵原料
    光刻膠主要用於集成電路和半導體分立器件的微細加工，同時在平板顯示、LED、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等製作過程中也有著廣泛的應用。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構成，當前光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），佔光刻膠含量約為80%-90%。
  • 半導體國產化投資機會系列二:光刻膠,半導體製程關鍵材料
    2）半導體光刻膠更細領域分類 半導體行業目前主要使用光刻膠包括g 線、i 線、KrF、ArF 四大類。光刻膠曝光波長有寬譜紫外向g線-i線-KrF-ArF-EUV的方向移動。
  • 大規模和超大規模集成電路核心材料光刻膠概念股
    晶瑞股份（300655）：光刻膠產品由公司的子公司蘇州瑞紅生產，蘇州瑞紅作為國內光刻膠領域的先驅，規模生產光刻膠近30年，產品主要應用於半導體及平板顯示領域，產品技術水平和銷售額處於國內領先地位。公司紫外負型光刻膠和寬譜正膠及部分g線等高端產品已規模供應市場數十年，i線光刻膠近年已供應國內頭部晶片公司，高端KrF（248）光刻膠處於中試階段。公司承擔的02國家重大專項光刻膠項目已經通過國家重大專項辦的驗收。公司生產的i線光刻膠已向合肥長鑫、士蘭微、揚傑科技、福順微電子等行業頭部公司供貨。
  • 被日美壟斷的晶片行業最核心材料—光刻膠,國產替代計劃全面開啟
    光刻膠是什麼？光刻膠是由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。光刻膠用於微小圖形的加工，生產工藝複雜，技術壁壘較高。我們要知道電路設計圖首先通過雷射寫在光掩模版上，然後光源通過掩模版照射到附有光刻膠的矽片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學效應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域，使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上，最後利用刻蝕技術將圖形轉移到矽片上。而光刻根據所採用正膠與負膠之分，劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。
  • 光刻膠:亟待「國產化」的半導體顯示領域關鍵材料
    半導體顯示用負性光刻膠需求巨大，LCD光刻膠市場大有可為。   光刻膠是半導體、平板顯示、PCB等產業重要原料，在技術升級過程中扮演著驅動產品更新換代和性能提升的關鍵性角色。其中，半導體顯示領域中用到的光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠，負性光刻膠主要分為彩色光刻膠和黑色光刻膠。
  • 【芯布局】光刻膠國產化進行時,誰能躍居龍頭率先領航?
    目前，全球半導體光刻膠的供應廠商主要集中日本，分別為東京日化、JSR、信越化學、住友化學和陶氏化學等，其中美國企業陶氏化學市佔率僅為15%。半導體用光刻膠市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中g 線和i線光刻膠是市場上使用量最大的光刻膠。
  • 90%市場被國外壟斷,半導體材料光刻膠為何如此重要?
    按照曝光波長分類，光刻膠可分為 ：UV: i/g型光刻膠，也就是波長大於300nm。DUV: KrF型光刻膠，也就是波長248nm, 和ArF型光刻膠，也就是波長193nm。極紫外: EUV光刻膠，也就是波長進一步降低至28納米以下。
  • 光刻作為製造半導體微圖形工藝核心,國產光刻膠發展現新機?
    光刻膠主要技術參數決定了圖形工藝的精密程度和良率光刻膠作為光刻曝光的核心材料，其解析度是光刻膠實現器件的關鍵尺寸（如器件線寬）的衡量值，光刻膠解析度越高形成的圖形關鍵尺寸越小。對比度是指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度，對比度越高，形成圖形的側壁越陡峭，圖形完成度更好。
  • 飛凱材料:公司i-line半導體光刻膠實驗室階段產品正在做客戶送樣...
    同花順金融研究中心6月1日訊，有投資者向飛凱材料提問， 據傳，飛凱材料的 TFT 陣列正性光刻膠正在行業重要客戶進行小批驗證，截至目前為止，已經出貨數十噸。2020 年全年，飛凱材料預期將在該客戶銷售數百噸TFT陣列正性膠。同時，飛凱材料還在積極策劃打入更多主流面板生產廠。
  • 一個讓韓國喝了一壺的產業 光刻膠國產替代龍頭戰略配置時機來臨
    目前，承擔並完成了國家 02 重大專項「i線光刻膠產品開發及產業化」項目，i線光刻膠已向國內頭部的知名大尺寸半導體廠商供貨，KrF（248nm 深紫外）光刻膠完成中試，產品解析度達到了 0.25～0.13m 的技術要求，建成了中試示範線。