中國晶片水平：
「兩頭凸，中間凹」之後是登頂。
不錯，迄今為止，中國光刻機距離世界頂尖水平還有較大差距。
關鍵程度原本比光刻機低的蝕刻機在中國已達到了5納米。5納米無疑是世界領先水平，沒錯！然而，只有又是實現了國產化的5納米，那才算是真正的全球頂尖水平了，過去和現在還有未來都不能不考慮到世界上存在美國這個最大的動蕩源和風險點啊！問題就出在這，到如今，是14納米而非5納米的中國蝕刻機實現了國產替代，這就表明與世界頂尖水平同樣還有較大差距，雖然，全球第一的外國蝕刻機也非一國產，而且連作為世界頂級晶片製造商的臺積電也用上了中國5納米刻蝕機；據報導，外國因為這個5納米而不再將蝕刻機技術列在封鎖中國的清單裡了。倒是，此蝕刻機的14納米非已量產的國內晶片製造工藝的14納米可比，距離頂尖水平的差距小了不老少。
中國晶片技術整體上同樣距離世界頂尖水平還有較大差距。這是由包括光刻機和蝕刻機在內的國內產業鏈所有環節與世界頂尖水平的差距造成的。如果再「減去」非國產化，即刨除整個產業鏈中所含有的多個國尤其美國的技術，則實際或者叫真實的整體差距就應該是很大的了。
過去耽誤的時間若不是很長則如今整體的差距就不會很大。中國晶片技術60年歷史中有30來年停滯不前，實質上是由於不思進取，亦即主要由於不求自立更不求自強，重複在低端水平；還由於風險意識薄弱，這則是由於沒有意識到以不自主的姿態參與全球化是不安全的，不自主竟然致使以不高端姿態參與全球化也是不安全的，連中低端的水平也會因為不實、不純而保持不住，結果是，迄今為止，讓中國晶片技術出現了1個「兩頭凸，中間凹」的發展型，前10年雖然距世界頂尖水平也有差距，卻不是較大的，一定算是在全球晶片領域凸起了，後20年也一定算是凸起了，而且比前10年凸起得還高，當然肯定算不上崛起或高起以及登頂，實際上還比前10年距離世界頂尖水平的差距大了。
好在後20年也是凸起的！好就好在，中國晶片技術不僅僅實際水平已經比前10年明顯高了，關鍵是還具有了更多的技術積累、更高的技術基礎，特別是好在重現了海外中國赤子又像前10年那樣歸來的情形，肯定似潮湧；應該仍舊算是1個小高潮，卻是新的，又高過了前10年，在「方舟」、「龍芯」、「星光中國芯工程」、展訊晶片等等的研發團隊中都可看到海外赤子的身影，甚至有成群結隊的，總之是更多的海外赤子參與到了中國晶片技術的研發鏈和創新鏈諸環節中，而且，不僅是「學成歸來」的，而且是「實作歸來」的，不乏技術精湛、經驗豐富者，以至晶片業大咖，領軍人才級別，關鍵在於這些人正是那20年並且是現在、未來中國內尤為缺乏的，稀缺資源、珍貴無比，也正是海外赤子支撐起了前10年的凸起，奠定了中國半導體事業的基礎。
海外赤子為什麼會在後20年潮湧般歸來？探討這個現象的意義很重要！就像前10年那樣，是由於我們國家決意把晶片設計搞起來，不止是凸起來，更要高起來，崛起成世界頂尖水平，此意昭彰！也就是感召力顯著，恰恰，正合了那些海外赤子發自內心的意願！中國晶片技術發展歷史就是這樣的驚人相似。後20年倒是與前10年有不同之處，我們國內經濟空前發展起來了，工業體系更加完整了，相關和配套的技術水平如前所述也有了整體性提升；最重要的是，支持晶片技術發展的政策、措施更為有力、齊全、配套了，氛圍也更加健康、濃鬱了。
中國晶片技術歷經「兩頭凸，中間凹」，在未來必定崛起。只因為整體上是立足於更高的基礎、乘載在向上的勢頭，特別是因為當前的環境愈加良好、動力愈加強勁，我們國家已將集成電路視為戰略新興產業，將晶片技術視為戰略技術，規劃、規制、推進、支持、支撐、激勵的力度更大了，重要標誌之一是已經把集成電路列入首批國家級戰略性新興產業集群當中，當然是重點的，從在66個集群當中佔5個即可判定，所以，有理由相信，海外赤子的歸來會更如潮湧，與本土的有志於提升中國晶片技術水平的赤子匯聚在一起，所形成的一定是大潮，共同掀起的一定是新中國建立後的第一個最高潮，撐起、託起的必定是與世界頂尖水平同高的中國晶片技術水平。