#三星內存顆粒#
今天買了1pcs三星的內存條看到內存條上面的顆粒上面有一串編號，不知道是什麼意思，於是打開網頁就一發不可收拾的有了後面的內容。
內存條它的英文縮寫DIMM，英文名：Dual-Inline-Memory-Modules，中文名：雙列直插式存儲模塊，別名：內存條。它目前有五個兄弟，RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM。
RDIMM（Registered-Dual-Inline-Memory-Modules）帶存儲器的雙列直插式存儲模塊。
LRDIMM（Load Reduced Dual-Inline-Memory-Modules）低負載雙列直插式存儲模塊。
UDIMM（Unregistered Dual-Inline-Memory-Modules）無緩衝雙列直插式儲存模塊。
SODIMM（Small Outline Dual-Inline-Memory-Modules）無緩衝小型雙列直插式存儲模塊。
ECC UDIMM（Error Checking and Correcting Dual-Inline-Memory-Modules）帶錯誤檢查和糾正的無緩衝雙列直插式存儲模塊 / 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內存模塊。
對比我買的那根內存條我這個是UDIMM，我有想弄明白這顆粒上的編碼是什麼意思，於是找到了官網上的編碼格式。
不難看出「K」表的是三星這個品牌，「4A」表示DDR4 SDRAM (1.2V VDD)四代內存顆粒。前面三個位是固定的，後面的幾個位都不是固定的需要參照下面的信息列表。
容量這裡的需要注意4Gb=512mb、8Gb=1GB、16Gb=2GB、32Gb=4GB這樣換算過來，Blank位寬與位寬意思差不多越大越好，接口是電源電壓（VDD輸出緩衝器和核心邏輯器供電電壓、VDDQ輸出緩衝供電電壓）接口W表示POD（可以降低寄生引腳電容和I\O端功耗，在VDDQ電壓不穩定的情況下穩定工作）這種電平（工藝）有興趣的可以找找資料，版本就不多說了。
封裝都是FBGA封裝，正常工作溫度範圍。
速率包括頻率、CL內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間（穩定作業系統）、tRCD行尋址至列尋址延遲時間（數值越小越好）、tRP內存行地址控制器預充電時間（數值越小讀寫速度就越快）。
在顆粒上面還有幾個小字「SEC 716」SEC是三星電子的縮寫，716表示的是顆粒的生產時間17年的第16周。最底下的一排序號，我真的不明白是什麼意思，應該是內部的標識吧。到現在我終於基本知道我買的這根內存條上面一個顆粒上面的編碼是什麼意思了等下再看看這個內存條標籤編碼是什麼意思。