在小米將UFS 2.0成為「黑科技」的一天之後，三星正式推出了讀寫速度超群的256GB UFS 2.0顆粒。256GB是什麼概念？想像一下，你的手機能儲存47部全高清電影，這麼大的容量似乎有些荒謬，但更嚇人的是它的順序讀寫速度碾壓幾乎所有臺式SATA SSD兩到三倍。
據悉，新快閃記憶體晶片採用了V-NAND架構和一個特別設計的高性能控制器，以滿足高端智慧型手機，尤其是超高清視頻播放和大屏行動裝置上的多任務處理功能要求。它可以分別處理每秒高達45,000/40,000次的輸入/輸出隨機讀寫（IOPS）操作，該公司表示，它比它的上一代UFS存儲的19000/14000 IOPS快兩倍以上。
這速度符合了「通用快閃記憶體2.0」（UFS 2.0）規範，對於大多數智能機（甚至旗艦機）上所使用的UFS快閃記憶體來說，新標下的產品速度至少翻了一倍。得益於雙鏈路數據傳輸方案，三星UFS 2.0 256GB新快閃記憶體能夠達到850MB/s的順序讀取和260MB/s的順序寫入速度——擁有比SATA SSD更可觀的速度表現。
撇開存儲容量不談，在如此高的速度下，未來高端智能機將能夠執行更加繁重的多媒體回放和創建任務，多路2K/4K視頻也是不在話下。
好奇的是，三星特別強調了新快閃記憶體比傳統microSD更小、容量更大、速度約快三倍，此舉或許很大程度上是在暗示OEM廠家們儘快在智能機上放棄速度拖了後腿的前者。
雖然Galaxy S7和S7 edge沒能搭上256GB UFS 2.0快閃記憶體量產的順風車，但Galaxy Note 6仍然有望在今年帶給我們新的驚喜。此外，256GB ROM機型或許還會擁有6GB RAM。
三星在128GB一代UFS內存顆粒發布後一年才做這次迭代，很大程度是考慮到他家的最新旗艦智能機很快要推出了，此時的UFS 2.0及其控制器技術已經足夠成熟，可以滿足三星在智慧型手機上做密集計算的需求，達到SSD般的性能。而e.MMC會繼續在低端機型上使用。
三星的選擇是UFS 2.0，SanDisk公司則選擇了另一條路——iNAND 7132，其中包括它自家的iNAND加速器、SmartSLC技術，採用e.MMC 5.0+ HS400規範。該iNAND的組成部分包括X3 TLC NAND晶片、控制器和固件，一般單顆容量64GB。像三星的128GB UFS內存顆粒一樣，SanDisk的iNAND 7132被定義為支持高性能應用，如專業級數碼攝影和4K超高清視頻播放。
在iNAND 7132中，X3 NAND單元可以格式化為TLC+SLC，SLC區域具有高得多的寫入速度；內存中一些過度配置的區域常被格式化為SLC。控制器和固件中的邏輯可以隨時監控主機的請求，固件判斷何時主機需要高性能，使器件來控制數據是否被寫入到智能SLC或主陣列中。
SanDisk是在研究過其iNAND 7030的MLC順序寫入性能，和iNAND 5130的TLC順序寫入性能後，設計出這種存儲方案的，他們發現大多數應用程式並沒有把重點放在存儲性能上，那些應用也包括攝影存儲。
SanDisk發布具有其第二代SmartSLC技術的iNAND 7232，目的和三星發布最新的UFS一樣：提升連續寫入速度，讓4K和UHD視頻錄製更流暢。iNAND 7232最高可有單顆128GB容量可供選擇。
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