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2018年1月，UFS 3.0正式發布。作為UFS 2.0和2.1的迭代升級產品，UFS 3.0在性能上帶來了非常顯著的提升和進步。不過，目前這款快閃記憶體並沒有正式商用，所以關於他的實際性能我們無從得知。
日前，網絡上曝光了一張1TB UFS 3.0快閃記憶體的Androbench讀寫測試記錄截圖。
從這份記錄中，我們可以明顯的看到UFS 3.0的順序讀取速度達到了2279.8MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s。按照目前UFS 2.1普遍的700-800MB/s順序讀取速度來看，基本是2-3倍了。
不過UFS 3.0的4K隨讀和隨寫的成績和現有的UFS 2.1差別並不大，不排除還有優化空間的可能性。
根據先前的介紹，UFS（即通用快閃記憶體存儲）3.0主打高性能、低功耗，它是首個引入了MIPI M-PHY HS-Gear4標準的快閃記憶體，單通道帶寬高達23.2Gbps，是UFS 2.0/2.1的兩倍。
另外，UFS 3.0支持更多分區，糾錯的能力升級，電壓達到2.5V，並支持最新的NANG Flash介質。
2019年的主流旗艦晶片都支持UFS 3.0，目前已經確定高通驍龍855和三星Exynos 9820能夠兼容這一全新的快閃記憶體規格。三星也曾表示預計將會在今年上半年推出搭載UFS 3.0快閃記憶體的機型。目前推測，三星Galaxy S10系列應該會有一款產品，採用的是UFS 3.0規格快閃記憶體，可能是頂配的S10+ 5G版本。
先前臺灣廠商群聯電子（Phison）曾公布在UFS快閃記憶體上的研發進程。群聯的UFS 2.1分為2代產品，吞吐量分別為800MB/s和1333MB/s，而最新的UFS 3.0的吞吐量更是高達2666MB/s，相比UFS 2.1基本是成倍增長。
看樣子，UFS 3.0的產品真正推出，可能還需要一段時間，但其實際表現應該會大幅超過現有的UFS 2.1產品，我們不妨期待一下。