三星宣布已大規模生產512GB eUFS 3.1快閃記憶體 寫入速度比上一代快3倍

2020-11-24 站長之家
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三星宣布已大規模生產512GB eUFS 3.1快閃記憶體 寫入速度比上一代快3倍

站長之家(ChinaZ.com) 3月17日 消息:據外媒報導，三星電子宣布該公司已經開始大規模生產面向智慧型手機的512GB嵌入式通用快閃記憶體(eUFS) 3.1。

據介紹，這款新的快閃記憶體寫入速度是之前的512GB eUFS 3. 0 的三倍，達到每秒1200 MB。新版串行讀取速度為2100 MB / s，隨機讀取和寫入速度分別為100，000 IOPS(每秒輸入/輸出操作)和70，000 IOPS。

三星稱，與使用固態硬碟或MicroSD卡的傳統個人電腦相比，這將大大加快智慧型手機的數據傳輸速度。此外，三星的eUFS 3. 1 系列也將有256GB和128GB的容量。

這家韓國科技巨頭還表示，其平澤工廠的P1 生產線已經開始生產六代V-NAND。與此同時，其位於中國西安工廠的新X2 生產線已經開始生產五代V-NAND。

三星在 2017 年底開始大規模生產512GB快閃記憶體，並從 2018 年開始為智慧型手機提供這款產品。（zdnet）

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