原標題：華虹宏力芯速度：聚焦功率器件產品，開拓車規級市場
日前，華虹宏力副總裁周衛平在 2020 年第 23 屆中國集成電路製造年會暨廣東集成電路產業發展論壇上發表了題為《雙核引擎，綠色智造，贏芯未來》的報告，對華虹集團的「8+12」雙核引擎戰略進行全面的分析。
華虹集團目前擁有金橋基地、張江基地、康橋基地和無錫基地，共有 7 座工廠，其中華虹宏力有 3 座 8 英寸廠和 1 座 12 英寸廠。8 英寸合計月產能 17.8 萬片，12 英寸月產能 6.5 萬片。華虹集團在全球集成電路代工業中排位，從 2016 年第 7 位，到 2017 年第 6 位，2019 年首次進入第 5 位。
周衛平副總裁強調，華虹宏力響應國家綠色發展戰略，打造集綠色技術、綠色生產、綠色建築於一體的綠色企業，實現環境友好和可持續發展。
華虹「芯」速度
2017 年 8 月，華虹集團與無錫市政府籤署協議，一期項目建設一條工藝等級 90~65/55 納米、月產 4 萬片的 12 英寸集成電路生產線(華虹七廠)，支持 5G 和物聯網等新興領域的應用。這是華虹集團融入長三角一體化高質量發展戰略，在上海市域以外、長三角布局的第一個研發製造基地，在華虹發展戰略中具有標誌性意義。華虹無錫項目是全國最先進的特色工藝生產線、全國第一條 12 英寸功率器件代工生產線、江蘇省第一條自主可控 12 英寸生產線。項目建設速度非常快，做到了當年開工、當年封頂，17 個月建成投片。基於集團自有技術，研發團隊提前一年攻關，研發成果加速走上生產線，特色工藝研發順利推進，產品工藝通線一次成功。在市場開拓方面，與國內外多家設計公司進行良好合作。無錫基地 12 英寸致力於打造多元化、綜合化的客戶解決方案，基地發展開始提速。在穩步推進多個技術平臺的認證工作的同時，也實現了高良率出貨。截止 2020 年第二季度，無錫基地 12 英寸生產線交付客戶的產品包括智慧卡晶片、功率器件和 CIS 產品；在下半年超結產品也將開始出貨，以滿足新能源汽車等新興市場的需求。並加快推進產能建設和生產運行，已形成 1 萬片的月產能，即將形成 2 萬片月產能。
聚焦特色工藝
華虹宏力從 2002 年開始自主創「芯」路，成立國內第一條 8 英寸 Trench MOSFET 代工生產線，是全球第一家提供功率器件代工服務的 8 英寸純晶圓代工廠。2002 年到 2010 年，陸續完成先進的溝槽型中低壓 MOSFET/SGT/TBO 等功率器件技術開發；2010 年，高壓 600V-700V 溝槽型、平面型 MOSFET 工藝進入量產階段；2011 年，第一條 8 英寸 IGBT 代工生產線量產，同年第一代深溝槽超級結工藝進入量產階段，同年 1200V 溝槽型 NPT IGBT 工藝也完成研發進入量產階段；2013 年，第 2 代深溝槽超級結工藝推向市場，同時 600V-1200V 溝槽型場截止型 IGBT(FDB 工藝)也成功量產。2020 年，12 英寸功率產品實現量產。
功率器件累計出貨超過 800 萬片 8 英寸晶圓；2020 年月產能突破 10 萬片(折合 8 英寸晶圓)； 高端功率器件(超級結 SJ 和 IGBT)佔比快速上升，在 2015 到 2019 年的銷售額以及出貨量
的年複合增長率超過 50%。功率器件製造領域擁有 341 項發明專利，包括美國發明專利 18 項；其中 IGBT 背面工藝 25 項，正面工藝 67 項，低壓 MOSFET 有 94 項超級結 SJ 有 155 項。
作為華虹宏力的核心業務之一，公司在功率器件方面主要聚焦在以下方面：
一是 DMOS/SGT 方面，擁有溝槽柵 MOSFET、底部厚柵氧(BTO) MOSFET、上下結構 SGT、左右結構 SGT 等多種工藝結構 。矽基 MOSFET 是功率器件工藝的基礎，後續工藝都是基於這個工藝平臺不斷升級、完善，華虹宏力致力於優化 pitch size，提升元胞密度，擁有業界先進的導通電阻。華虹宏力的 MOSFET 產品已通過車規認證，並配合客戶完成相對核心關鍵部件如汽車油泵、轉向助力系統等的應用。
二是超級結(SJ)，超級結 MOSFET 是華虹宏力功率半導體工藝平臺的中流砥柱。2011 年，第一代超級結 MOSFET 工藝開始量產；2013 年，通過技術創新，pitch 尺寸越來越小，同時 Pitch 垂直度越來越大，降低結電阻，推出第二代超級結 MOSFET 工藝；2015 年，進一步優化，推出 2.5 代超級結 MOSFET 工藝；2017 年，第三代超級結 MOSFET 工藝試生產。
華虹宏力擁有獨創的擁有自主知識產權的深溝槽超級結技術方案，可大幅降低導通電阻，同時，在生產製造過程中可大幅縮短加工周期、降低生產成本。超級結 MOSFET 適用於 150V-900V 電壓段，電流範圍 1-100A，它的電阻更小，效率更高，散熱相對低，所以在要求嚴苛的開關電源裡有大量的應用，高度契合當前熱門的大功率快充電源、LED 照明電源及新能源汽車充電樁等應用需求。
三是 IGBT，華虹宏力是國內最早布局、最完善、最完整的全套 IGBT 薄晶圓背面加工工藝，是國內首家量產深溝槽場截止型 IGBT 產品的公。矽基 IGBT 作為電動汽車的核心，非常考驗晶圓製造的能力和經驗。從器件結構來看，IGBT 晶片正面類似普通的 MOSFET，難點在於實現背面結構。作為國內最早布局的公司，華虹宏力擁有最完善、最完整的全套 IGBT 薄晶圓背面加工工藝，包括背面薄片、背面高能離子注入、背面雷射退火以及背面金屬化等，使得客戶產品能夠比肩業界主流的國際 IDM 產品。
華虹宏力 IGBT 產品線的電壓範圍涵蓋 600~1700V；電流範圍涵蓋 10~400A，逐漸從消費類跨入工業商用、新能源汽車等領域
周衛平副總裁認為功率器件領域的未來前景可期，公司在做大做強方面提出了四點：一是立足「8+12」戰略，深耕功率器件領域，在技術上不斷更新迭代，追求功率器件所需的更高功率密度和更低損耗；二是充分發揮 12 英寸更小線寬特性，持續開發優化 DMOS、SGT、超級結 SJ、IGBT 技術，加速進軍高端功率器件市場；三是「8+12」齊頭並進，為客戶提供更為充足的產能和更具優勢的綠色「芯」代工解決方案；四是深化戰略合作，全力支持產業生態建設，促進全球集成電路製造供應鏈的協同共贏。
開拓車規市場
智能電動汽車發展趨勢強力驅動汽車電子中的半導體元器件數量大幅增加。在汽車電子領域，微控制器、模擬晶片、功率器件三大類半導體晶片市場規模大、未來的成長性較好，這也是華虹集團旗下華虹宏力在汽車電子領域布局的重點。
華虹宏力已在汽車電子的車載動力 / 引擎數據等存儲、引擎及安全氣囊控制、油泵系統、AC/DC 轉換器、車身穩定(ESP)系統、電動汽車逆變器、信息娛樂系統、語音系統等獲得了大量應用，工業及汽車已成為公司第二大應用市場，佔公司總營收的 25%左右。
為符合汽車的嚴苛安全要求，華虹宏力實施全面的汽車電子質量管控，建立了零缺陷管理模式，通過 IATF 16949 汽車質量管理體系認證和多家客戶的 VDA 6.3(德國汽車質量流程審計標準)標準審計，並擁有符合汽車電子 AEC-Q100 Grade-1 標準的高可靠性嵌入式快閃記憶體技術。通過「安全、可靠、高性能」的多種工藝平臺靈活組合，華虹宏力將為持續攀升的汽車半導體市場需求提供更優質服務。
贏芯未來
華虹宏力通過建設 12 英寸生產線，延伸 8 英寸特色工藝優勢，拓寬護城河，提高技術壁壘，拉開與身後競爭者的差距。而在擴充產能的同時，技術節點也推進到 90/55 納米，以實現「人無我有，人有我精」的產品工藝，給客戶提供更先進的工藝支持，攜手再上新臺階。
（文章來源：與非網）
(責任編輯：DF537)