【研報掘金】「十四五規劃」呼之欲出 第三代半導體前景廣闊看好...

2020-12-27 網易

2020-09-23 16:54:38　來源: 金融界

舉報

　　來源：證券時報網

　　半導體行業在過去數十年內呈現螺旋式上升的規律，放緩或衰退後又會重新經歷更強勁的復甦，技術變革是驅動半導體行業持續增長的主要推動力。華為禁令升級，短期而言，國內半導體產業鏈不確定性加大，中長期而言，中國半導體全面國產化勢在必行。半導體產業發展邏輯（產業趨勢向好、政策資金支持、國產替代提速）並未發生改變，半導體細分領域核心公司正在全面開花。

　　截至目前，A股公司已有45家確有第三代半導體產業鏈業務，或已積累相關技術專利。機構指出，發展第三代半導體有望寫入「十四五」規劃，政策支持力度空前，第三代半導體國內外差距相對較小，「新基建」等應用驅動行業快速發展，市場空間廣闊，給予行業「推薦」評級。

　　核心邏輯

　　1、全國掀起半導體投資熱潮，新增企業數量是上市公司的150倍。2020年前8個月中國有近萬家（9335家）企業轉投晶片行業，同比增長1.2倍。A股半導體上市公司目前62家，新轉型做半導體的企業數量是存量的150倍。假設在這9335家企業裡面，每100家企業裡面出來1家上市公司，僅今年前8月新增的半導體公司就能帶來93家上市公司，是現有62家半導體上市公司數量的1.5倍。無論是近萬家企業轉投半導體，還是可能總計9.5萬億的投資額，對半導體產業是絕對利好。半導體的「全民煉鋼」模式雖然被質疑，但是絕對有利於產業的崛起。因為科技的發展實際上是概率問題，在一定的概率下，做的人越多最終出現成功者的數量就越大。只要有一家公司突破瓶頸，全產業鏈就受益。

　　2、第三代半導體大勢所趨，碳化矽更適合作為襯底材料。第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN，相比於第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。氮化鎵因缺乏大尺寸單晶，第三代半導體材料的主要形式為碳化矽基碳化矽外延器件、碳化矽基氮化鎵外延器件，碳化矽應用更為廣泛。

　　3、新能源汽車為碳化矽材料帶來巨大增量，國際大廠紛紛布局。新能源汽車為碳化矽的最重要下遊領域，主要應用包括主驅逆變器、DC/DC轉換器、充電系統中的車載充電機和充電樁等，根據Yole數據，碳化矽功率器件市場規模將從2018年的4億美金增加到2024年的50億美金，複合增速約51%。碳化矽襯底材料市場規模將從2018年的1.21億美金增長到2024年的11億美金，複合增速達44%。目前CREE等國際大廠和國內企業紛紛大力布局碳化矽。

　　4、政策發力第三代半導體，我國企業有望乘風而起。近日據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。與第一、二代半導體材料Si、GaAs不同，以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。一方面，第三代半導體下遊應用切中了「新基建」中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領域，另一方面，第三代半導體產品主要使用成熟製程工藝，在美國持續升級對我國半導體產業技術封鎖的大環境中，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒，相關產業鏈上下遊企業將充分受益。

　　5、第三代半導體國內公司存在彎道超車機會，看好產業鏈龍頭公司。第三代半導體工藝產線對設備要求相對較低，國內企業和國外龍頭差距相較於第一、二代半導體較小，國內公司存在彎道超車機會，下遊功率器件受中美貿易摩擦影響較小，「新基建」等應用驅動行業快速發展，市場空間廣闊：Omdia測算顯示，全球SiC和GaN功率半導體銷售收入預計將從2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元，至2029年底或超50億美元，未來十年將保持年均兩位數增速。看好成長路徑清晰的第三代半導體產業鏈龍頭。

　　利好公司

　　國海證券指出，看好成長路徑清晰的第三代半導體產業鏈龍頭。設備領域重點推薦：北方華創、華峰測控，受益標的：中微公司；器件領域重點推薦：斯達半導、捷捷微電，受益標的：三安光電，聞泰科技、華潤微，揚傑科技等。

　　國信證券指出，第三代半導體是中國大陸半導體領先全球的機會。推薦關注華虹半導體、華潤微、三安光電、士蘭微、揚傑科技等。

　　華安證券指出，由於第三代半導體材料更為優異，與國外差距相對較小，國家希望通過十四五規劃，把三代半導體提升至戰略高度，第三代半導體可能成為我國半導體產業發展彎道超車機會。推薦關注：士蘭微、楊傑科技、華潤微、捷捷微電、斯達半導、奧海科技。

　　光大證券指出，碳化矽產業鏈環節分為設備、襯底片、外延片和器件環節。建議關注設備廠商：露笑科技、三安光電、晶盛機電；襯底廠商：露笑科技、三安光電、天科合達、山東天嶽等；外延廠商：瀚天天成和東莞天域等；器件廠商：三安光電、華潤微、斯達半導、揚傑科技等

特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺「網易號」用戶上傳並發布，本平臺僅提供信息存儲服務。

Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.

相關焦點

  • 第三代半導體彎道超車 5年後碳化矽市場規模超160億
    王巍指出，中國擁有第三代半導體材料最大的應用市場，且產業鏈齊備，可以實現自主可控，中國第三代半導體有望實現彎道超車。安信證券電子首席分析師賈順鶴也在該會上表示，國產化替代和產業升級雙驅動，第三代半導體將迎來下一個產業浪潮。
  • 十四五半導體產業機會預測:四大著力點,五大環節一文看懂 | 智東西...
    針對一些關鍵「卡脖子」 設備和 材料比如 光刻機、 大矽片、光刻膠等，政策的支持有利於我國半導體關鍵 設備 材料領域形成突破，加快產業化進程，增強產業本土配套能力，為我國半導體產業鏈自主可控提供堅實基礎。4、十四五規劃對半導體支持著力點之四第三代半導體材料具有明顯的性能優勢。
  • 第三代半導體研發商超芯星獲A輪融資
    近日獲悉，第三代半導體研發商「超芯星」宣布完成A輪融資，投資方為南京江北新區揚子國投與金雨茂物投資共同發起設立的南京揚子區塊鏈股權投資基金，將共同為第三代半導體產業協同發展。　　2020年3月，超芯星完成天使輪投資，由同創偉業和磊梅瑞斯資本共同完成。
  • 我國第三代半導體將迎來全面爆發時期
    來源：半導體器件應用網【大比特導讀】業內人士指出，相較於第一、二代半導體，第三代半導體材料處於發展初期。國內企業和國際巨頭基本處於同一起跑線。隨著5G、新能源汽車的快速發展，我國第三代半導體也將全面爆發。受中美貿易摩擦影響，中國半導體材料的本土產業鏈布局加快。
  • ...科大合作研發的是以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件
    貴公司有當前國家提倡的第三代半導體產品嗎？對於第三代半導體產業公司有何布局和規劃？謝謝！公司回答表示，感謝您的關注！公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的是以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，具有耐高壓、耐高溫、高速和高效等優點，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置，是當前新型電力電子器件的研發主流，其相關技術與產品在工業傳動、軍工、鐵路、智能電網柔性輸變電、消費電子、無線電力傳輸等領域，以及智能汽車及充電樁、太陽能發電、風力發電等新能源領域具有廣闊的市場，寬禁帶電力電子器件產品將是未來電力電子技術的重要價值增長點
  • 基金收評 | A股集體收紅,半導體強勢!哪些因素仍支撐市場?
    收評君復盤日記（2020年9月14日）三大指數集體收紅，創業板成交金額再度超過滬市，第三代半導體全天表現強勢。盤面上來看，第三代半導體全天表現強勢，環保工程、旅遊等板塊同樣表現活躍，保險、豬肉等板塊表現較為低迷。
  • 新材SiC如何揚帆第三代半導體浪潮?
    新材SiC如何揚帆第三代半導體浪潮？面對需求釋放和外資巨頭的強勢擴張，它將如何繼續保持優勢，揚帆第三代半導體浪潮？ 半導體新材SiC 靜待爆發 目前全球95%以上的集成電路元器件以第一代半導體矽為襯底製造，但是矽基功率器件在600V以上高電壓和高功率場合下達到性能極限，難以滿足如今市場對高頻、高溫、高功率及小型化產品的需求。以SiC碳化矽為代表的第三代半導體材料憑藉禁帶寬度寬、擊穿電場高和導熱率高等優異特性迅速崛起，正成為下一個半導體材料風口。
  • 十四五規劃主要內容 十四五規劃主要內容是什麼?
    2020年10月29日,中國共產黨第十九屆中央委員會第五次全體會議審議通過了《中共中央關於制定國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標的建議》。那麼十四五規劃主要內容是什麼?
  • e星球:第三代半導體材料高速增長下,看中國力量如何加速「國產替代」
    半導體「皇冠上的明珠」，GaN、SiC助推國產崛起由於起步較晚，過去數十年中國大陸半導體一直處於追趕歐美日韓的狀態。伴隨著國家相關政策的出臺和地方政府的扶持，本土半導體企業不斷努力縮短這段差距。與此同時，隨著第三代半導體材料在近年來展露出廣闊的前景，讓我國本土企業看到了做大做強、加速「國產替代」的契機。
  • 富宸科技施江霖:臺灣工研院人才培養模式值得借鑑
    以臺灣工研院為例，其成立於1973年，緊鄰臺灣清華大學和交通大學，自誕生起就與產業界緊密互動和交流，已經成為臺灣新技術、新產品最重要的研發地。由於工研院鼓勵科技人員自己創業，因此誕生了大批諸如臺積電張忠謀、聯華電子曹興城等產業領軍人物。「截至目前，從工研院出來創業的大概有2萬人左右，遍布在新竹科學園區內的高科技企業內。」施江霖說道。
  • 瞄準第三代半導體 華為旗下哈勃科技接連投資三家潛力企業
    ICC訊 第三代半導體晶片材料方興未艾，相比較矽基，SiC擁有更高禁帶寬度、電導率等優良特性，更適合應用在高功率和高頻高速領域。如新能源汽車和5G射頻器件。年初，小米發布65W氮化鎵USB PD快充充電器，帶動第三代半導體應用。
  • 第三代半導體材料氮化鎵(GaN)或引發充電革命?
    與碳化矽（SiC）一起被成為「第三代半導體材料」，而第三代半導體材料正憑藉其優越的性能和巨大的市場前景，成為全球半導體市場爭奪的焦點。為什麼GaN技術得到了發展？與GaN相比，實際上同為第三代半導體材料的SiC的應用研究起步更早，而之所以GaN近年來更為搶眼，主要的原因有兩點：第一，GaN在降低成本方面顯示出了更強的潛力，目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，以替代昂貴的SiC襯底；第二，由於GaN器件是個平面器件，與現有的Si半導體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導體器件集成。
  • 第三代半導體產業「獨角獸」落子瀏陽
    &nbsp&nbsp&nbsp&nbsp第三代半導體產業「獨角獸」落子瀏陽&nbsp&nbsp&nbsp&nbsp系國內最大的第三代半導體碳化矽材料項目及成套工藝生產線，產品廣泛應用於電力輸送、新能源汽車等領域
  • 第三代半導體產業專題報告:產業鏈概覽及投資方向
    一、 第三代半導體是「十四五」重要發展方向 據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。
  • 揭秘第三代半導體碳化矽,爆發增長的明日之星,國產前途無量
    看點：第三代半導體碳化矽，爆發式增長的明日之星。功率半導體的技術和材料創新都致力於提高能量轉化效率（理想轉化率100%），基於 SIC 材料的功率器件相比傳統的 Si 基功率器件效率高、損耗小，在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應用前景。
  • 揭秘第三代半導體碳化矽!爆發增長的明日之星,國產前途無量附下載...
    功率半導體的技術和材料創新都致力於提高能量轉化效率（理想轉化率100%），基於 SIC 材料的功率器件相比傳統的 Si 基功率器件效率高、損耗小，在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應用前景。
  • 我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
    原標題：我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股一覽（圖） 　　據悉，第三代半導體
  • 三代半導體材料坤化鎵(GaAs)概念股
    據媒體報導，我國計劃大力支持發展第三代半導體產業，並將寫入正在制定中的「十四五」規劃，舉全國之力，大力支持發展半導體產業，以期實現產業獨立自主，不再受制於人。砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波集成電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。
  • 一表看懂:哪三大產業正聚焦轉型第三代半導體?
    2020年在5G議題帶動下，第三代半導體材料在相關應用領域接續啟動，供應鏈一致看好明年發展，不過其實第三代半導體已發展一段時間，並非全新技術，歐美國家稱第三代半導體為「寬禁帶半導體」，也就是WBG (Wide Band Gap)，材料特性為耐高壓、高頻、高溫、高電流，加上轉換效率好，代表材料為氮化鎵與碳化矽，過去未能商業化的兩大主因為應用領域不多以及生產成本高
  • 第三代半導體專題報告:蓬勃發展,大有可為
    1.3.第三代半導體材料性能優勢明顯 第三代半導體材料包括了以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體。第一二代半導體材料工藝已經逐漸接近物理極限，在微電子 領域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。 相比於第一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以 及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合於製作高溫、高頻、抗 輻射及大功率器件。