一、 第三代半導體是「十四五」重要發展方向
據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。從下遊應用、技術差距、工藝要求分析，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒。
（1）第三代半導體下遊應用切中「新基建」中 5G 基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵交主要領域。以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體材料與第一、二代半導體材料Si、GaAs 不同，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控制，在 5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。由於成本較高，SiC 的應用主要集中在工業和汽車領域，如高端電源、太陽能逆變器和 UP S，SiC 在高功率領域具備較好的表現，因此在電動汽車將是主要發展領域。GaN 由於其優異的高頻性能，未來在射頻領域具備良好的發展空間。據 Omdia測算，全球 SiC 和 GaN 功率半導體銷售收入預計將從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020年底的 8.54 億美元，至 2029 年底或超 50 億美元，未來十年將保持年均兩位數增速。
（2）第三代半導體產品主要使用成熟製程工藝，國內廠商起步與國外廠商相差不多，有希望實現技術上的追趕。在第一代及第二代半導體材料的發展上，我國起步時間遠遠慢於其他國家，導致在材料上處處受制於人。第三代半導體處於發展初期，根據中國電子技術標準化研究院以及 Yole 數據，2019 年第三代半導體 SiC 以及 GaN 的滲透率合計約為 1.77%，預計 2023 年可以提升至 4.75%左右。
在美國對我國半導體產業技術封鎖持續升級的大環境中，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒，相關產業鏈上下遊企業將充分受益。
二、半導體產業分類及規模
按照產品功能劃分，半導體產業包括集成電路 、光電器件、分立器件、傳感器四類。據 WSTS 統計數據，2019 年這四種產品的市場規模分別為 3334 億美元、416 億美元、239 億美元和 135 億美元，佔比分別為 81%、10%、6%和 3%。常說的「晶片」有廣義和狹義之分，廣義晶片包括集成電路、傳感器、分立器件、光電器件產品，狹義晶片單指集成電路。
對四種半導體產品進一步定義。
1.分立器件：具有單一功能的電路元器件，如二極體、電晶體、電阻、電容等。
2.光電器件：利用半導體光生伏特效應工作的光電池和半導體發光器等，如光導管、 光電池、光電二極體等。
3.半導體傳感器：利用半導體材料特性製成的傳感器，如光傳感器、溫度傳感器、 壓力傳感器等。
4.集成電路：把基本電路元器件製作在晶片上然後封裝起來，形成具有一定功能的 單元。
按照不同的處理信號分類，可以分為處理模擬信號的模擬晶片，及處理數位訊號的數字晶片。
按照產品種類，集成電路可分為邏輯晶片 、存儲晶片、處理器晶片和模擬晶片四種，其中邏輯晶片、存儲晶片和處理器晶片為數字晶片。根據 WSTS 數據，2019 年這四種集成電路晶片的市場規模分別為 1065 億美元、1064 億美元、664 億美元和 539 億美元，佔比分別為 32%、32%、20%和 16%。
我國的半導體市場需求巨大，行業發展迅速，但自給率較低，企業規模偏小。依託龐大的中國終端應用市場需求，中國大陸集成電路產業發展迅速。據中國半導體行業協會數據，2014 年中國大陸集成電路產業的銷售規模為 3015.4 億元，2019 年銷售規模為7,562.3 億元，同比增長 15.78%，2014-2019 年的 CAGR 為 20.19%，發展迅速。全球十大半導體公司中六家為美國企業，兩家為韓國企業，一家為中國臺灣企業，中國大陸僅華為海思營收規模位列第十名。
進出口數據表明我國集成電路國內自給率較低，國產替代空間廣闊。據中國海關數據統計，2019 年我國晶片的進口金額為 3040 億美元，出口額 1017 億美元，貿易逆差超過 2000 億美元，自給率較低。據 2020 年 8 月 4 日國務院發布的《新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》，目標到 2025 年晶片自給率由目前的 30%提高至 70%，國產替代空間廣闊。
三、半導體產業鏈概覽
半導體產業鏈上遊為支撐業——材料和設備；中遊是半導體生產的三道工序——設計、製造以及封測；下遊是各種終端產品，如通訊設備、消費電子、汽車、工業等。
集成電路製造三大工序中，技術門檻從高到低依次為製造/設備>設計>封測，我國晶 圓製造和晶片設計行業銷售額增長較快。2019 年晶片設計業銷售收入為 3,063.50 億元，同比增長 21.60%；晶圓製造業銷售收入為 2,149.10 億元，同比增長 18.20%；封裝測試業銷售收入為 2,349.70 億元，同比增長 7.10%。隨著近年來中國一批 12 英寸和 8 英寸晶圓製造生產線投產，且國內外晶片設計業蓬勃發展，大陸晶圓製造行業增長較快。
（一）IC 設計
IC 設計即按照功能要求設計出所需要的電路圖，最終的輸出結果是掩膜版圖，是創新密集型的輕資產行業，由於沒有工廠 Fab，也被稱為 Fabless。
除華為海思之外，我國IC設計企業分散較廣，規模普遍較小。按營收規模排名，海思處於全球第 4-5 名。我國 IC 設計企業細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如手機、汽車等)到晶片項目(如處理器、FPGA 等)，國內在高端關鍵晶片自給率幾近為 0，仍高度仰賴美國企業。
借鑑美國發展經驗，定位不同賽道的龍頭公司發展速度各不相同。如定位手機處理 器晶片和射頻晶片的高通、Skyworks 過去十年分別取得了 1.5 倍和 9.3 倍的增長；定位通訊晶片的博通取得 19.2 倍增長；定位存儲晶片的美光取得 3.7 倍增長；定位 FPGA，模擬晶片的賽靈思獲得 3.6 倍增長。
IC 龍頭公司需要精選賽道，我國功率半導體、模擬器件以及 Wi-Fi、指紋識別、音頻等消費類晶片領域，更有希望在下遊快速發展的過程中享受國產替代和市場發展的雙重紅利。IC 設計公司中，關注 5G 帶來的手機主晶片及射頻晶片增量、ALOT 中智能音頻市場爆發，以及華為被迫去 A 化帶來的投資機會。各賽道龍頭包括（1）功率半導體：聞泰科技、斯達半導、新潔能；（2）模擬晶片：聖邦股份、思瑞浦；（3）射頻：卓勝微；（4）WIFI/藍牙：樂鑫科技、恆玄科技；（5）生物識別：匯頂科技；（6）CIS:韋爾股份；（7）存儲晶片：兆易創新、北京君正、瀾起科技。
（二）IC 製造
IC 製造將設計好的電路圖轉移到矽片等襯底材料上，輸出結果為含有晶片的晶圓。製造工藝流程包括單晶矽片製造、前道工藝以及後道工藝，步驟繁雜，少則幾百步，多則上千步，時長以月為單位。
半導體代工廠通常有三大衡量指標：（1）先進位程，即晶片內部的電晶體的柵長。工藝製程反應半導體製造技術先進性，目前能夠量產的最先進工藝是臺積電的 5nm，國內半導體代工廠最先進的是中芯國際的 14nm。（2）晶圓尺寸，生產功率半導體主要使用 6 英寸和 8 英寸矽片，微控制器使用 8 英寸矽片，邏輯晶片和存儲晶片則需要 12 英寸矽片，隨著半導體技術的發展和市場需求的變化，目前矽片正向大尺寸趨勢發展。（3）產能，通常半導體製造廠商不會輕易擴產，產能在 1 年左右的短期內是穩定的，當半導體景氣度來臨，產能決定公司的收入。
晶圓代工行業呈明顯的寡頭壟斷特徵。由於技術、資本和人才密集，市場集中度較高。根據 ICInsights 統計，20Q1 前十大純晶圓代工廠商佔全球市場 97%的市場份額，前五大廠商（臺積電、三星、格羅方德、聯華電子、中芯國際）佔全球市場 90%的市場份額。
（1）技術方面，掌握先進位程才能獲得高市場份額和高毛利。晶圓代工市場共 700億美元市場規模，其中先進位程佔據 30%，客戶產品隨技術進步整體遷移，掌握最先進位程者才能掌握最先進客戶獲得高毛利。
（2）資本投入方面，由於製造產業需要持續高投入，資本開支的80 %用於購買設備，且每代節點的資本投入增速為30%，因而玩家數量逐步減少。以臺積電為例，150億美元 Capex 中，約 120 億美元用於採購先進工藝設備。聯華電子、格芯在 14nm 節點退出後，10nm 以下玩家只剩下臺積電、英特爾、三星，以及追趕中的中芯國際。
我國IC製造的挑戰和不確定性在於先進位程，成熟製程以及存儲器企業的國產化已取得一 定成績。
（1）邏輯晶片方面，先進位程中芯國際的 14nm 新產能正在有序推進，與臺積電代差逐步縮小；成熟製程中北京燕東、上海積塔、廣東粵芯等新產能擴張能夠對產業鏈形成有效拉動。目前國際競爭環境對本土半導體產業的發展和崛起形成挑戰和阻撓，短期確實有較大不確定性，但中長期看本土半導體企業擴產追趕的步伐依舊堅定。
（2）存儲器企業方面，以長江存儲、合肥長鑫等為主的存儲器廠商產能布局已達到海外大廠水平。合肥長鑫作為 DRAM 國產替代龍頭，1xnmDDR4 產品已上市銷售，與國際領先水平僅相差一代；長江存儲為 NANDFlash 國產替代龍頭，64 層產品已出貨，128 層 NANDFlash 有望突破，將達到國際水平。
（三）IC 封裝測試
封裝測試即在完成測試後，將從矽片或其他襯底上切割出來並裝配到最終電路管殼中，引入接線端子，並引入絕緣介質固定保護，輸出產品可直接裝配到電子設備上，形成一體化結構，工藝流程為測試-切割-粘接-焊接-模封。
封裝測試是我國半導體產業鏈中發展最成熟的環節，最先有望實現自主可控的領域，國產技術已步入第一梯隊，未來發展趨勢是先進封測與製造端相融合。中國臺灣的日月光和矽品長期位於行業第一和第三，第二名為美國安靠。中國大陸的長電科技於 2015年收購新加坡的星科金朋後，排名進入行業第三。
國內前三大封裝測試廠為長電科技、通富微電、華天科技。短期貿易摩擦可能帶來業績波動風險，長期封測龍頭企業有望在5G及國產替代下受益。（1）長電科技：通過收購星科金朋，獲得 SiP、WL P、FC+Bumping 能力以及扇出型封裝技術，技術達到國際一流水平，在先進位程+先進封裝融合的趨勢下，將與中芯國際展開協同，定增加碼封測技術投入，20H1 業績超預期。（2）通富微電：AMD 合作封裝測試廠，擁有 WLP、FlipChip等先進封裝技術，業績將充分受益 AMD 的新品放量。（3）華天科技：三大工廠崑山、西安、天水廠覆蓋高中低端封裝，CMOS 圖像傳感器等 CMOS 圖像傳感器封裝短期增量較大。
第二梯隊可關注晶方科技、太極實業。晶方科技是國內最早擁有 WLP 封測能力廠商，專注 CMOS 圖像傳感器等產品封裝，將充分受益圖像傳感器放量。太極實業與 SK 海力士成立合資公司海立半導體，專注於存儲器封測，子公司太極半導體擁有自主存儲器封測技術能力。
（四）半導體設備
應用於集成電路領域的設備通常可分為矽片製造、前道工藝設備（晶圓製造）和後道工藝設備（封裝測試）三大類。晶圓製造環節設備投資佔整體的 70%以上，是製造 IC的關鍵。七大工藝步驟（氧化/擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗與拋光、金屬化），對應專用設備包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。其中光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備為核心設備，分別佔晶圓製造環節設備成本的 24%、10%、18%。另外封裝及組裝設備約佔 10%，測試設備約佔 8%，其他設備約佔 5-10%。
半導體專用設備市場與產業景氣狀況緊密相關，下遊市場需求帶動設備規模持續增 長。據 SEMI 統計，2019 年全球半導體設備銷售額為 597.5 億美元，其中中國大陸半導體設備銷售額為 134.5 億美元，佔比 23%。據 SEMI 預測，2020 年全球半導體生產設備的出貨金額受到新冠肺炎的影響，同比下滑 4%，預計 2021 年同比增長 24%，增至 677億美元（約人民幣 4,739 億元）。根據 Gartner 預計，半導體專用設備市場規模 2024 年將增長至 602.14 億美元。2020年-2024年CAGR為6.27%。未來隨著下遊 5G 通信、計算機、消費電子、網絡通信等行業需求的穩步增長，以及物聯網、人工智慧、汽車電子、智慧型手機、智能穿戴、雲計算、大數據和安防電子等新興領域的快速發展，集成電路產業面臨著新型晶片或先進工藝的產能擴張需求，為半導體專用設備行業帶來廣闊的市場空間。
全球半導體設備市場集中度較高，主要核心設備領域由歐、美、日廠商主導。2019年全球半導體設備廠商 CR5 達到 78%，CR10 達到 92%。光刻設備、顯影設備、清洗設備、異物檢查設備、缺陷檢查設備幾乎為「一超多強」的模式；光掩膜檢查設備、CVD設備、熱處理設備、CMP 設備、單片式清洗設備為「二超多強」的模式；幹蝕設備幾乎為「三超一強」的模式。
我國半導體設備自給率低，需求缺口較大，當前中端設備領域初步形成產業鏈成套布局，但高端製程/產品仍需攻克，挑戰與機遇並存。中國本土半導體設備廠商只佔全球份額的 1-2%，在關鍵領域如沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業。中國雖然在力推半導體生產設備的國產化，但尖端生產設備的研發需要相當長時間。
（1）高端光刻機市場差距較大。荷蘭公司 ASML 壟斷高端光科技市場，佔據全球近 80%的市場份額，日本的尼康、佳能以及美國的 Ultratech 緊隨其後。中國企業上海微電子、中子科技等公司已實現了光刻機的量產，但在最先進技術領域仍然與國際巨頭有較大差距。
（2）中國企業的刻蝕設備生產技術已逐漸達到國際先進水平。刻蝕主要可分為溼法刻蝕和幹法刻蝕，市場上 90%以上的廠家採取幹法刻蝕。在幹法刻蝕中的等離子刻蝕領域，美國的泛林集團市場份額位列第一，美國的 AMAT、日本的東京電子也是刻蝕設備領域的龍頭企業。中國企業中微半導體的7nm刻蝕機已實現量產，5nm刻蝕機已通過驗證。
（3）薄膜沉積設備領域國產廠商市場地位逐步提高。美國應用材料股份有限公司(AMAT)是全球最大的半導體晶圓製造設備的提供商，在 CVD 和 PVD 設備領域保持領先地位。中國企業包括北方華創和瀋陽拓荊等公司，目前仍在對關鍵技術進行積極突破，技術水平較歐美先進水平有一定差距，但已基本實現28nm製程的生產能力，市場地位逐步提高。
半導體設備領域關注兩條主線：
（1）重點關注成熟的一線設備，包括北方華創、中微公司、盛美股份（擬科創板上 市）、華峰測控；
（2）關注新進設備企業，包括檢測、清洗、鍍膜、長晶設備領域，上市企業包括晶 盛機電、精測電子、至純科技等。
（五）半導體材料
根據半導體晶片製造過程，一般可以將半導體材料分為基體、製造、封裝三大類：其中基體材料包括矽晶圓、矽基材以及化合物半導體；製造材料包括光刻膠、拋光材料、掩模版、特種氣體等；封裝材料包括鍵合絲、陶瓷封裝材料、晶片粘結材料等。其中矽晶圓、掩模版、電子氣體佔據市場份額較大。
中國大陸半導體材料市場增速最快，為全球第三大市場。據 SEMI 數據，2019 年全球半導體材料銷售額約為 521.1 億美元，同比下降1.1%，中國大陸銷售額 113.4 億美元，佔全球 21.8%，同比逆勢上漲 1.9%。各環節國產替代能力從高到低大致排序為：高純化學品，靶材，特種氣體，拋光液，研磨墊，大矽片，光刻膠。細分領域中，我國靶材領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。
在晶圓產線向中國大陸轉移趨勢下，國產半導體材料廠商有望享受市場規模增加疊加市場份額提升的雙重紅利。中短期主要關注國產化進程較快的領域如電子特氣、溼電子化學品、靶材、CM P拋光液等，中長期關注高端光刻膠、晶圓材料、CMP拋光墊等 領域。
四、粵港澳大灣區半導體產業及投資方向
（一）粵港澳大灣區半導體產業具備良好的發展機遇
粵港澳大灣區具備全面的晶片市場需求。中國晶片需求佔全球 60%，其中 60%來自於粵港澳大灣區，晶片需求覆蓋了從消費電子到工業控制、家電和裝備製造、汽車電子等各個產業。廣東是我國信息產業第一大省，終端需求龐大。2019 年全國集成電路產量為 2018.21 億塊，同比增長 7.2%，廣東省集成電路產量 363.24 億塊，同比增長 20.76%，佔全國集成電路產量的 18%。2019 年廣東的集成電路產業主營業務收入超過 1200 億元，其中集成電路設計業營業收入超過 1000 億元，設計業營業收入全國第一，擁有廣州和深圳兩個國家級集成電路設計產業化基地，基本形成以廣州、深圳、珠海為核心，帶動佛山、東莞、中山、惠州等地協同發展的產業格局。
粵港澳大灣區集成電路產業的政策支持力度不斷加大，產業發展環境不斷完善。近 幾年粵港澳大灣區陸續出臺集成電路相關支持政策。據深圳《深圳市進一步推動集成電路產業發展行動計劃（2019-2023 年）》，目標到 2023 年，集成電路產業整體銷售收入突破 2000 億元，設計業銷售收入突破 1600 億元，製造業及相關環節銷售收入達到 400億元。引進和培育 10 家銷售收入 20 億元以上的骨幹企業。2019 年初，廣州市引發《廣州市加快發展集成電路產業的若干措施》，10 月 9 日，廣東省印發《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2021-2025 年）》，目標到 2025 年，半導體及集成電路產業的年主營業務收入突破 4000 億元，年均增長超過2 0%。
（二）粵港澳大灣區半導體產業格局
廣深珠港澳已初步形成了各自在半導體產業上的優勢。廣州的優勢在應用和製造；深圳、珠海強在產品和設計；澳門的科研水平世界領先；香港在智慧財產權保護上擁有國際經驗。
深圳的IC設計產業較強，IC製造和IC封測行業則相對薄弱。2018 年中國十大 IC 設計企業（海思半導體、紫光展銳、豪威科技、北京智芯微、華大半導體、中興微電子、匯頂科技、士蘭微、北京矽成、格科微）中深圳企業就有 4 家（海思、華 大、中興、匯頂）。
東莞在集成電路領域擁有龐大的需求市場。松山湖作為東莞市 IC 設計企業的集聚地，目前已經入駐多家 IC 產業鏈企業，已形成在細分領域龍頭企業帶動下，一批有潛力的初創企業共同推動園區的集成電路設計產業格局，產業氛圍日漸濃厚。
廣州及周邊地區已成為國內集成電路最大的集散地和消耗地，擁有興森快捷、安捷利、風華芯電、新星微電子、豐江微電子等一批封裝測試企業，其中廣州開發區擁有政策大力扶持的集成電路產業創新園區和中新知識城，所在的黃埔區擁有廣州 60 家集成電路企業中的 35 家（2018 年廣州市工信局企業統計數據）以及廣州國芯晶片項目。隨著2019 年粵芯半導體的國內首座 IDM12 吋晶片廠量產，大灣區半導體「一日集成電路產業圈」已初現雛形。
珠海在上世紀90年代是廣東集成電路產業發展環境最好的城市，近些年隨著珠海產業政策環境不斷弱化，產業競爭優勢逐漸減弱。2018 年珠海集成電路產業營收約 60 億元，產業規模居珠三角第二位，居全國第八位。當前，珠海正積極攜手澳門，促進澳門產業多元發展，努力集聚形成集成電路、生物醫藥、新材料、新能源、高端列印設備等5 個千億級產業集群，加快打造澳珠發展極。
香港集成電路產業的發展歷程其主要經歷了IC封裝製造、分銷增值服務和IC設計三個階段。由於其智慧財產權保護的監管力度較強，在物流、資金、信息交流方面具備優勢，且大學的科研水平名列前茅，未來發展將以分銷渠道為主，設計業也將迎來巨大發展勢頭。
根據《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2021-2025 年）》，目前大灣區存在的問題主要在設計和製造兩方面，設計企業規模偏小，高水平設計能力不足；製造環節短板明顯，實現規模化量產的 12 英寸晶圓線僅粵芯半導體 1 條。另外，人才供求矛盾突出，產業鏈對外依存度高。
因此在發展思路上，在當前國際技術封鎖及國內區域競爭加劇的背景下，廣東應充分利用終端需求市場規模大的優勢，做大做強設計業，鞏固設計業的競爭優勢，並爭取在 EDA 軟體上實現突破，重點發展模擬晶片、功率器件和第三代半導體器件等，大力引進和培育封測、設備、材料等領域龍頭企業，加快補齊製造業短板。鑑於長三角等地在先進位程和存儲晶片製造、封裝測試等已形成優勢，廣東應重點在特色工藝製程和已有一定基礎的功率器件、第三代半導體方面發力。
（三）「十四五」半導體產業主要的投資方向
1、功率半導體產業鏈
功率半導體器件處於現代電力電子變換器的核心地位，受益於下遊需求、國產替代，以及細分市場的高增速，國內功率產業鏈領先公司盈利有望快速提升。
（1）功率半導體下遊需求快速增長，全球市場規模增速約5 %。功率半導體廣泛應用於電網的發電端、傳輸端和用電端。發電端方面，新能源發電的興起對電能轉換需求更大，功率半導體可用作 AC/DC、DC/AC 轉換器，輸出穩定高質電能到電網；用電端方面，新能源電動車帶來巨大增量市場；另外物聯網、雲計算、工業自動化、用電設備的升級、快充興起等也為市場整體貢獻了顯著增量。根據 Omida 預測，全球功率半導體市場規模有望從 2020 年的 430 億美元增長至 2024 年的 520 億美元以上，CAGR 約為5%。
（2）功率半導體國產替代空間大、難度相對較低，頭部廠商充分受益。根據 IHS，2019 年中國功率半導體市場規模為 144 億美元，佔全球市場約 36%的份額，而主要器件國產化率均未超過 50%，IGBT 模組、MOSFET、晶閘管、整流器的國產化率更是只有 30%多，國產替代空間廣闊。同時由於功率半導體技術更迭慢，製程相對邏輯 IC 工藝投資力度小，技術難度低、生態要求也更低，國產廠商更易突破。國內廠商有望伴隨細分市場的高速成長帶來較大的業績彈性。而頭部廠商更易產生規模效益和更低的渠道成本，未來受益國產替代進程市場份額提升將更為顯著。
（3）國內產能布局完善，中高端產品不斷取得突破。產能方面，目前主要功率半導體廠商在境內共有 29 條功率半導體產線，6 條在建及擬建產線，建設充分的產能能夠充分支撐下遊需求的快速增長，為國產替代建立良好的基礎。中高端 MOSFET 領域，國內廠商研發及量產進度不斷加快，如聞泰科技推出了針對 5G 電信基礎設施的高耐用的功率 MOSFET 產品、超微型 MOSFET 和 LFPAK56 封裝的 P 溝道 MOSFET。
2、第三代半導體產業鏈
十四五有望出臺第三代半導體政策，由於我國第三代半導體應用市場廣闊，與國際巨頭差距較小，且第三代半導體工藝產線對設備要求相對較低，國內公司存在彎道超車機會。在資本的推動下，發展路徑清晰的第三代半導體龍頭公司收益概率較大。
相關標的：
（1）第三代半導體器件領域，聞泰科技已實現GaN器件量產，華潤微、揚傑科技已實現SiC功率器件的產品送樣。華潤微作為國內功率 IDM 龍頭，功率器件第一，晶圓製造第三，具備從晶片設計、製造及封測的全產業鏈能力，產品主要包括 MOSFET、IG BT、SBD、FRD 等，主要應用於消費電子、工業控制、新能源、汽車電子等領域。公司在MOSFET 產品方面優勢顯著，也是目前國內擁有全部 MOSFET 主流器件結構研發和製造能力的主要企業，且進行第三代半導體 SIC 前瞻布局。將充分受益功率半導體國產替代、產品擴展和升級、以及第三代半導體紅利。
（2）IGBT領域，中車時代已在軌道交通、智能電網、新能源汽車等多個高端領域得到認可和應用，斯達半導和比亞迪已在國內新能源車IGBT領域佔據可觀份額。
（3）設備領域：龍頭公司如北方華創、華峰測控、中微公司。
（4）大灣區未上市企業在第三代半導體產業鏈亦有布局：東莞天城（SiC外延）；中鎵半導體（GaN襯底）；南砂晶圓（SiC襯底及外延）。
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（報告觀點屬於原作者，僅供參考。作者：粵開證券，李興）
報告來源【未來智庫】。