大家對於華為事件想必應該都是非常清楚的，此次因為在晶片禁令影響之下，華為沒有辦法再獲得麒麟晶片的代工服務。就在我們因為晶片代工服務而煩惱的時候，全球半導體領域陷入了摩爾定律的物理極限
碳基晶元的生產
不過好在三星，臺積電以及ASML等等團隊都已經正在從新的角度去研發，將所有的精力都放在了晶片製造業，其中用新材料取代貴就是一個思路，目前我們已經掌握了這方面的領先全球的頂尖的技術，並且已經實現了碳基晶元的生產。
除此之外，還有一種能夠讓晶片性能得到高度提升的方法，那就那就是改進電晶體技術，傳統的finfet電晶體技術正在不斷微縮，也已經到達了一種瓶頸地步，所以很多團隊便展開了對於電晶體以電晶體新興技術的研發探索。
好消息傳來
12月17日，有消息傳來復旦大學微電子學院正式宣布，復旦大學周鵬教授引領的團隊已經成功在三大明星一片的關鍵技術上取得了突破。據說，該團隊針對的句式具有重大意義的3~5納米節點電晶體技術，並且已經驗證了雙層溝道厚度分別為0.6~1.2納米的圍柵多條溝道電晶體。
據悉，這項成果已經在第66屆iedm國際電子器件大會上進行了發表，這種多條溝道電晶體技術簡稱為gaa技術，比起傳統的能夠實現更好的掌控能力。有相關數據顯示，此次作業發出來的超薄圍柵雙橋溝到電晶體的驅動電流，比起普通的電晶體相比有著400%的提升。
這也就意味著這電晶體打破了摩爾定律，並且在其五納米以下高精度工藝節點上得到了一定的延續。而在復旦教授團隊實現對象實現這項突破之前，三星和臺積電也已經掌握了這種電晶體技術，並且三星還將這一技術應用到了三納米晶片之中。臺積電這邊則在2納米上選擇使用了這種電晶體技術。
國產晶片迎來先驅者
而國內的晶片代工巨頭中芯國際也曾經透露他們的5納米相關的八大項技術也已經有序展開，目前真的只等EUV光刻機到貨。雖然我們在晶片製造上一直都處於短板的狀態，但是目前我們也已經有了一定的突破，通過全國上下各大企業的不斷努力，相信國產晶片的未來可期，而國產晶片即將迎來先驅者。
如果這種電晶體技術真的能夠生產出3納米晶片，那麼這對於國內的晶片領域來講，無疑是一件喜事。這樣一來，我們不但攻克了在晶片上所遇見的短板，還製造出了更加高端的晶片，這就意味著我們打破了西方的技術壁壘，邁出了自主研發最重要的一步。相信在接下來的日子中，我們一定能夠做到更好，總有一天，我們能夠徹底打破西方技術的壟斷，在以後的發展過程中，我們就不會再被別人卡脖子了。