得碳化矽者得天下? 華為投資第三代半導體材料公司

2021-01-10 第一財經

在半導體產業裡，碳化矽成為「新寵」。而華為近日也在加大在該領域的投資。

根據天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。據悉，山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。

山東天嶽公司官網顯示，該公司成立2011年12月，是全球第4家碳化矽襯底材料量產的企業，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。2016年，山東天嶽「寬禁帶功率半導體產業鏈項目」被國家發展改革委納入《國家集成電路「十三五」重大生產力布局》項目。

此外，山東天嶽是國家工信部主管的「中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟」理事長單位，建有「碳化矽半導體材料研發技術」國家地方聯合工程研究中心、國家博士後科研工作站和2個省級研發平臺，在海外設有4個研發中心，擁有60餘人研發團隊，先後承擔20餘項國家、省部級課題。

據公開資料顯示，以SiC碳化矽為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用於製造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今後可以廣泛應用於大功率高頻電子器件、半導體發光二極體（LED），以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》，在今後國民經濟的發展中佔有重要地位。

華創證券認為，「得碳化矽者得天下」。碳化矽是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較矽材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的「核芯」，是光電子和微電子等產業的「新發動機」。碳化矽材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G晶片技術和生產能力的提升。

此前，不少國際公司都在碳化矽領域進行投資。例如，英飛凌1.39億美元收購了初創企業Siltectra，進一步進軍碳化矽市場，另外，X-Fab、三菱、意法半導體等企業也宣布將開發更多的碳化矽功率器件。

但從差距上看，我國在碳化矽領域還沒有形成完整的產業，國內市場上大部分碳化矽功率器件依賴進口，形成國際大廠壟斷局面。

在碳化矽材料方面，國內僅有少數幾家從事碳化矽襯底材料和外延材料的研發工作。而在碳化矽功率器件方面，雖然清華大學、中國科學院等都有此類器件的課題研究，但主要是理論研究及實驗室的研究成果。不過，國內產業正在努力趕超外國碳化矽產業。在產業鏈方面包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件製造等環節近期也取得了新的進展。

對於華為來說，材料領域的部署一直是戰略投資中重要的一環。

2015年，華為在英國對外宣布與曼徹斯特大學合作研究石墨烯的應用，共同開發ICT領域的下一代高性能技術。該項目合作期主要是研究如何將石墨烯領域的突破性成果應用於消費電子產品和移動通信設備。

石墨烯只有一顆原子厚度，是世界上最薄、導電性能最強的材料，被業內視為下一個材料領域的顛覆者。很多人第一次聽聞它還是來自於華為創始人任正非的一次媒體採訪。任正非說，未來10到20年內會爆發一場技術革命，這個時代將來最大的顛覆事件，是石墨烯時代取代矽時代。

任正非表示，現在晶片有極限寬度，矽的極限是七納米，已經臨近邊界，而石墨已經開始觸及技術革命前沿。

而作為此次投資方，據天眼查顯示，哈勃投資的法定代表人、董事長以及總經理均為白熠，而白熠為華為全球金融風險控制中心總裁，此前曾擔任華為財務管理辦公室副總裁。而其他從哈勃投資董事人員構成上都具有通信背景，應為民曾擔任華為無線網絡研發總裁，周永傑曾任海思半導體有限公司副總裁，均有通信產業從業經歷。

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