感覺大家對我們的關注,首期的IC LAYOUT設計初級班舉辦的非常成功,雖然時間很短,但大家學習的氛圍很好,從中學習到了很多的知識,也了解到了許多IC LAYOUT與PCB LAYOUT的不同點和相似點。
為了滿足沒有參加學習的PCB LAYOUT工程師需求,在本月將開設第二期的IC LAYOUT設計班,歡迎大家積極報名參加學習,小易將陸續推出一些IC LAYOUT設計文章給大家,本文將分享一個設計中經常用的反相器的IC LAYOUT給大家。
首先打開Terminal,輸入virtuoso &,啟動Cadence virtuoso軟體,如下圖所示。
進入 virtuoso後,打開Tool>Library manager,可以看到反相器的原理圖和PCB庫文件已經存在;
選擇原理圖,然後右鍵選擇Open,打開原理圖,如下圖;
選擇Launch>Layout XL,出現如下圖所示對話框;
點擊OK後,出現保存PCB文件的對話框,如下圖所示;
點擊OK後,進入Layout XL的工作界面,如下圖;
選擇Connectivity>Generate>All From Source,出現如下圖對話框;
如上圖所示,將I/O Pins和PR Boundary兩項默認的打勾項去掉,然後點擊OK,可以看到P管和N管被調了出來,如下圖。
使用Shift+f,讓PMOS和NMOS全部顯示,如下圖所示,可以看到上面是PMOS,是下面的NMOS體積的兩倍,這是因為面N管是電子導電,比P管的空穴導電速度要快2-3倍;
使用Ctrl+A選中全部,然後點擊m,使兩個管子移到第一象限;
按下e ,將網格設置到0.001,如下圖所示
按下k,使用尺子,將N管上移,與M管的間距保持到0.4,如下圖
按下r,添加SDN和SDP區域,各延伸0.2,使兩者正好相鄰,不能出現交叉,如下圖所示;
按下o,添加M1到N阱的孔,使用1x3陣列,如下圖所示;
放置via到P管的上方,SDN區與PMOS的的SPN區相切,同時放置到管子中央,N阱區域保持交叉或相切,如下圖所示;
按下o,選擇M1到SUB襯底的Via,也使用1x3陣列,如下圖所示;
同理,使via的P型注入區和NMOS管的N型注入區相平齊,而且放置在N管的下中間位置,如下圖;
按下p,將P管的和N管的兩個極連接起來,兩個管子的G極也連接起來,如下圖所示;
將P管另一極連電源,N管的另一極連地,如下圖所示;
按下r,在Text層做一個矩形框,左右距離MOS的AA有源區間距0.1,上下在Via的中心,如下圖所示;
按下o,選擇M1_PO,如下圖;
放置一個單個via在G極上,這樣將PO引至M1金屬層,可以通過引線引出來,如下圖;
按下l,添加VCC、VSS、IN和OUT,中間用空格隔開,高度改為0.1即可,如下圖所示;
然後依次放置在相應的地方,lable必須要放置在M1金屬層上,如下圖所示;
為了後期拼圖方便,將VCC的AA區和M1金屬區,左右增大至Text的白框相平齊,SDN也左右延長和P管的SPN區相平齊,如下圖所示;
同理,VSS的via也相應處理下,如下圖所示;
全部選中,然後移動,將Text的白框左下角與原點對齊,如下圖所示;
完成LAYOUT後的整體圖紙如下圖所示;
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