電源網 發表於 2019-12-26 15:29:45
(文章來源:電源網)
X-FAB針對可攜式模擬應用提供180nm優化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低晶片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應用與需要180nm技術、模擬集成的理想選擇。X-FAB針對模擬電路設計降低XP018晶片成本有幾個方面:新推出的單電壓5V的選項移除了1.8V的部分以減少整體光罩的數量,對成本敏感的可攜式應用提供有價值的回報。
5V環境中的I/O單元、數字庫、一次性可程序化(OTP)內存和模擬模塊均兼容於XP018所有的高壓選項,使其可用於任何類型的驅動器。針對驅動壓電或電容性的系統,導通電阻優化的12V電晶體減少了所需要的晶片面積。此外,5V模塊中一次性可程序化(OTP)內存的編譯程序可支持至16kbit,互補於現有的polyfuses.
適用於不同需求的金屬繞線–一個新式的金屬模塊概念首次引入XP018平臺–節省了設計成本。它允許MiM電容靈活地和其他金屬層互相堆棧。最後,60V的金屬邊際電容(metalfringecapacitor)與1kohm的poly電阻簡化60V供電環境中高電壓應用的設計。
X-FAB高壓產品線的產品營銷經理SebastianSchmidt提到,「這項新工藝確實為我們的客戶提供很大的效益。20層光罩的工藝是具有競爭力的,客戶可以藉由180nm高密度的數字邏輯與5V、12V至50V的推挽驅動來建立他們的混合訊號系統晶片–非揮發性內存(NVM)的可用性也進一步加強。因此,這是一個為智能型驅動與模擬IC所設計的絕佳技術。」
新式的XP018是汽車電子驗證過的工藝–X-FAB的標準功能–並提供全面性的PDK支持與操作溫度-40至175攝氏度的應用。
(責任編輯:fqj)
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