最近華為又上各大熱搜了,原因就是美國進一步封殺華為,各類相關問題也開始出現,UP對於哪些打雞血煽情的高贊沒啥興趣。不過其中有個問題還是挺有意思的,那就是中芯國際能夠替代臺積電實現晶片自立嗎?
今天我就簡單借著華為的事情談談中芯國際SMIC
現在甚囂塵上的一個論調就是中芯國際沒有拿到ASML的EUV,只能搞搞14nm,怎麼幹的過臺積電?
這種說法太有失偏頗
事實上,EUV光刻機這是充分條件,不是必要條件
光刻是晶片製造的關鍵節點,其製造成本高於整個生產周期成本的30%,目前先進位程中(16-5nm)主要使用的是DUV EUV兩種光刻機。
自從去年底EUV光刻機涼涼之後,中芯國際主力就放在N+1 N+2工藝上,之前梁孟松和媒體透露的是N+1相比14nm 性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%
首先需要強調的是,N+1是中芯國際的內部代號,並不等於7nm。N+1工藝去年第四季度就已經流片,今年預計第四季度試產,快的話可以量產了。
從SMIC官方透露的情況看
與市場上的7nm相比,中芯國際N+1在功耗、穩定性方面非常相似,唯一的區別就是性能,N+1的性能比14nm提高了約20%,但市場基準提升幅度是35%,所以有差距,但這也是唯一的差距。
也就是說N+1更像大家熟悉的臺積電 三星10nm或者8nm,至於N+2工藝,與市場7nm更為接近,但是性能仍然差點意思。
有些人可能覺得還不夠,這裡再用電晶體密度比較下
按照梁的N+1節點說法,中芯國際使用現有的DUV光刻機有望達到的電晶體密度約70MTr/mm²左右,超過臺積電7nm初始版本66.7MTr/mm²的水平,但和目前7nm DUV工藝約95MTr/mm²仍有差距。
梁也明確表示,中芯國際無需EUV就能達成7nm,臺積電第一代的7nm也沒用EUV啊,DUV照樣幹,知道7nm+才部分使用EUV,幾十層光罩中只有幾層使用。
即使退一萬步講,前有韓國三星Fab,將自家20nm工藝直接標稱為14nm,後來臺積電也不甘示弱,整出來各種「名義製程」
為啥中芯國際不能搞個7nm呢,為了宣傳營銷又怎樣?這在晶圓代工領域本身就是基本操作
首先華為最大的心腹大患就是基站側的晶片由此不再受影響,因為基站側都是14nm製程晶片
華為最近也和臺積電下了7個億的單,預計可以支撐到今年9月。而今年9月SMIC的14nm 8寸1.5萬片就出來了,也算是解燃眉之急,起碼基站晶片的產量可以續上了,剩下的產能留給終端SoC,時間卡的比較近,但是也算是一個比較好的方案。
所以從長遠看,受影響的是5nm節點,而之前已經給終端,華為以後會更多靠屏幕,ID設計,光學系統等來競爭,不再是晶片作為核心競爭力
事實上這個策略是很好的,因為5nm以後的製程節點不再有太多前景,更先進的製程進度非常緩慢,這給國內晶片產業又提供了大量的緩衝時間。
這裡對N5感興趣的也可以去我去年發的《現場實錄:臺積電官宣5nm EUV節點+5G RF Chip》
乘著這個機會,海思可能有望對外開放全產品線設計服務,個人覺得可能性還是很大的。
舉個例子,海思雖然說不對外出售晶片,也就是比如麒麟990,820可能不賣,但是可以買海思的晶片設計服務,由臺積電或者中芯國際等代工廠生產。比如像魅族啊這類有國資背景的企業同時和高通關係不咋地的其實可以嘗試走這條路。
如此一來,國內3C整體市場的去美國化就有可能被盤活。
最後說一點,以上都是分析預測
若有雷同,吾之甚幸