第三代半導體:研究框架

2020-12-19 金融界

來源：金融界網站

作者：半導體風向標 薛逸民、陳杭

核心觀點

1.全球SiC產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨大。隨著中美貿易戰的不斷升級，半導體晶片領域成為了中美必爭之地，伴隨著華為再次被美制裁，高端裝備等領域的國產化勢在必行。此外，SiC材料和器件在軍工國防領域的重要作用，也越來越突出。SiC外延設備在推動產業鏈國產化進程中，意義尤為重大。

2.器件發展，材料先行，IDM模式將繼續成為行業主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料，但不會完全替代，因為數字晶片並不適合採用SiC對Si進行替代，因此SiC預計佔整個半導體行業10％左右。SiC主要應用在功率半導體上，因此IDM模式能夠確保產品良率、控制成本。

3.國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點，Cree高市佔率也印證了先發優勢的重要性。相較於Si，國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產廠商有希望追上國外廠商，完成國產替代。

投資建議：建議關注相關產業鏈標的：北方華創（002371）、聞泰科技（600745）、天科合達（A20375）、海特高新（002023）、三安光電（600703）、斯達半導（603290）、長電科技（600584）、比亞迪電子（0285.HK）。

風險提示：半導體周期持續下行，貿易摩擦拉長周期下行的時間；產品迭代速度較慢，國內競爭者迅速成長；製造過程中核心設備和原材料遭到禁運，對生產造成不利影響。

正文如下

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