第三代半導體材料產業鏈之氮化鎵市場現狀及概念股匯總一覽(附產業...

2020-12-15 東方財富網

原標題：第三代半導體材料產業鏈之氮化鎵市場現狀及概念股匯總一覽（附產業鏈）

　　在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上，SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。

　　具體來看，氮化鎵產業鏈與碳化矽產業鏈環節無較大差別，同樣分為襯底、外延片和器件環節。儘管碳化矽被更多地作為襯底材料，但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。


　　資料來源：中商產業研究院整理

　　氮化鎵作為第三代半導體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，下遊應用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過，第三代半導體材料中，受技術與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實現規模化應用仍面臨挑戰，其應用主要是以藍寶石、矽晶片或碳化矽晶片為襯底，通過外延生長氮化鎵以製造氮化鎵器件。

　　根據該期刊論文援引Yole的預測，2020年末，GaN射頻器件市場規模將達到7.5億美元，年均複合增長率20%。目前氮化鎵器件已應用於5G通信基站射頻收發單元、消費類電子快速充電器、電動汽車充電機OBC等領域。


　　資料來源：國泰君安

（文章來源：中商產業研究院）

(責任編輯：DF537)

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