日前,全球第一大專業晶圓代工廠臺積電傳來好消息,該公司的2nm研發實現重大突破,預計2023年底即可進行風險性試產。放眼全球晶圓代工領域,只有臺積電掌握著最高精度的工藝,這一技術優勢令臺積電穩居龍頭之位。但現階段半導體工藝一路萎縮,晶片精度即將面臨物理極限。
摩爾定律無法延續時,代工廠的工藝研發也將面臨最大的瓶頸,面對可能即將發生的情形,業界提出了更換晶圓原材料的方案。近段時間被全網討論的碳基晶片被寄予厚望,所謂碳基晶片,就是以碳基材料製作的碳納米電晶體晶片,得益於碳材料更優越的電子特性,這類晶片被業內視為目前矽基晶片的最佳替代品之一。
也正因如此,碳基晶片才被中美等國家列為重點研發對象,2020年5月,我國北京大學教授研究團隊在碳基晶片的研發方面實現重大突破。據多方媒體報導得知,北京大學彭練矛、張志勇教授帶領的團隊開發出了一種碳納米管的新提純工藝,在4英寸的基片上製作出排列整齊的碳納米管陣列,每微米範圍內可以排列100-200個碳納米管。
那麼在此基礎上,碳基晶片能否繞開光刻機,讓國產晶片實現彎道超車呢?從理論上來講,碳基晶片的製造可以繞過EUV光刻機,即便無法繞過普通光刻機,對工藝精度的要求也並不高,國產光刻機的精度可以滿足碳基晶片的要求。因此,理想化的狀態下,國產晶片完全可以利用碳基材料彎道超車。
不過,現實情況遠比想像中複雜,雖然碳基材料性能強、功耗低等優點,但碳納米管自身還存在著一個難以解決的特性,那就是這種材料內部充滿雜質。這需要研發團隊儘可能測試出一種高精度的提純方法,從而為產業鏈提供高純度碳基材料,而這一難題,已經被中國的科研團隊解決。
早在2007年北大團隊就展開了對碳基晶片的研究,歷經十年艱辛後,終於在2017年研發出了一套高性能碳納米管CMOS電路的無摻雜植被方法,並且成功製備出了5納米柵極碳納米管COMS器件。
在經過測試後發現,用這種方法製作出的碳納米管CMOS電路的工作速度比主流商用矽電晶體更快,而且能耗僅為矽材料電晶體的四分之一。
由此可見,碳基晶片將成為中國打破美國半導體技術封鎖的關鍵之一,對於這類晶片,你還有其他了解嗎?