近日，晶訊聚震科技有限公司(簡稱「晶訊/CRT」) 在珠海正式發布了其自主研製的B41 全頻段FBAR濾波器（194MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE）及 B40 濾波器（100MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE），系中國首個自主智慧財產權單晶FBAR濾波器產品。
晶訊本次推出的FBAR濾波器具有完全自主智慧財產權，其獨創的單晶摻雜壓電材料和單晶薄膜電極技術，可重新定義FBAR諧振器和濾波器性能；同時，公司創新性發明一種全新的低成本晶圓級Bump-on-Via WLP封裝技術，該封裝技術不需要如目前美國和日本FBAR濾波器廠商所使用的矽通孔（TSV）、矽蓋（Silicon Cap）及再布線層（RDL）。公司採用上述技術設計生產的SC-FBAR(Single Crystal FBAR)濾波器在支持高功率的同時可以縮小封裝尺寸，擁有行業最薄的WLP封裝、大帶寬、高帶外抑制以及低插損等優異性能。
據晶訊介紹，此次發布的B41、B40濾波器產品均不需要額外的外部匹配。另外，公司將於2020年三季度發布高性能5G n79濾波器、n77+n79同向雙工器及一款低成本高性能的B3雙工器；於2020年四季度發布B1+B3四工器（尺寸2.5mm x2.0mm x 0.7mm）。上述設計生產的濾波器均採用FC-CSP或FC-Module結構及最新的無芯基板技術。
根據法國Yole Development報告預測，行動裝置及WiFi連接部分整體射頻前端市場規模將從2017年150億美元增長到2023年350億美元，年複合增長率達到14%。其中作為射頻前端最大市場的濾波器從2017-2023年將增長3倍左右，複合增長率達到19%。目前射頻濾波器晶片市場主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日國際巨頭壟斷，國內自給率較低。隨著以華為等為代表的國內手機廠商全球市場份額的提升，對於上遊供應鏈的把控和國產替代需求將為國內射頻前端晶片廠商提供廣闊平臺。
晶訊是行業領軍人卓爾先生(Dror Hurvits)於2017年在珠海創立，並由行業領軍人才及世界級技術專家共同組建的國際化企業；是國內唯一一家擁有多項美國專利的高性能FBAR濾波器IDM製造商。自公司成立以來，晶訊已經獲得9項美國發明專利授權，另有19項美國及中國專利申請正在審批中；公司專利池涵蓋濾波器設計、諧振器結構、封裝方法及生產製造等環節；在未來的18個月內，晶訊專利數量將增加一倍。持續的創新及智慧財產權積累讓晶訊突破了美國和日本公司對於BAW/FBAR濾波器的專利和技術壟斷，也獲得了國內領先的半導體公司、產業基金和上市公司的投資。
晶訊旨在成為全球高性能濾波器的領先供應商，突破美國及日本濾波器企業的壟斷地位。在已經到來的5G時代，晶訊將為手機、模組、智能終端及小型基站客戶提供世界級的高性能SC-FBAR濾波器、雙工器和多工器。據悉，晶訊在天津用於研發及生產的先進位程中心（CRT-APC），是全球唯一擁有外延摻雜壓電薄膜和電極薄膜能力的半導體工廠，並具備出色的量產Trimming能力。得力於中國大陸、中國臺灣、韓國及日本等頂級材料供應商、設備製造商及代工廠的鼎力支持，晶訊目前6寸晶圓產能可達到1500片/月，並將於2020年下半年擴展至5000片/月。
原文轉自：人民日報