三極體和MOS管的原理並不複雜，但是分開講述細節，反而不如對比起來容易理解。這裡用一張圖，讓您輕鬆理解MOS管和三極體的工作原理。
一張圖對比MOS管及三極體的工作原理這裡以NMOS和NPN三極體為例，並且以電子流（而非電流）方向為主來說明。
一、符號
MOS管一般可以簡化為三個極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控制型器件，用柵極電壓來控制源漏的導通情況；
BJT三極體有三個極，分別是基極（B）發射極（E）和集電極（C），三極體是電流控制型器件，用基極電流來控制發射極與集電極的導通情況；
二、截止區
NMOS管的如果柵壓小於閾值電壓，MOS管相當於兩個背靠背的二極體，不導通；NPN三極體也一樣，如果偏壓小於閾值電壓，也相當於兩個背靠背的二極體，不導通；
三、線性區
NMOS如果柵上加正電壓，就會在其下感應出相反極性的負電荷，從而產生N型溝道，使源漏導通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點，產生的溝道就寬一點，導通能力就大一點，這就是線性區。
NPN管如果BE結加正向偏置導通，電子就會進入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外，它們有兩個地方可以去：一個是從基極流出，一個是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會越多，這也是線性變化的。
四、飽和區
NMOS在漏極電壓比較高時，會使溝道夾斷，之後即使電壓升高，電流不會再升高，因此叫做飽和區；
NPN三極體在集電極電壓比較高時，也會幾乎全部收集到從發射極過來的電子，電壓再升高也沒有辦法收集到更多，也是它的飽和區。
五、電流電壓曲線
在線性區，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。
這樣是不是更容易理解呢。（大象講堂16）