三極體比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。
MOS管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
MOS管不僅可以做開關電路，也可以做模擬放大，因為柵極電壓在一定範圍內的變化會引起源漏間導通電阻的變化。
二者的主要區別就是：雙極型管是電流控制器件（通過基極較小的電流控制較大的集電極電流），MOS管是電壓控制器件（通過柵極電壓控制源漏間導通電阻）。
MOS管(場效應管)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，自帶保護二極體，熱阻特性好，適合大功率並聯，缺點開關速度不高，比較昂貴。
三極體開關速度高，大型三極體的Ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅動電流大，驅動複雜。
一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極體，不行的話考慮MOS管。
實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極電晶體和mos電晶體的工作方式才能明白。三極體是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區和發射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發射區為電子）的擴散運動，在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場（即內建電場），當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區，當基極外加電壓產生的電場大於內建電場時，基區的載流子（電子）才有可能從基區流向發射區，此電壓的最小值即pn結的正嚮導通電壓（工程上一般認為0.7v）。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時如果集電極-發射極加正電壓，在電場作用下，發射區的電子往基區運動（實際上都是電子的反方向運動），由於基區寬度很小，電子很容易越過基區到達集電區，並與此處的PN的空穴複合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發射極，這就是電晶體的工作原理。三極體工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當做開關管處於導通狀態時，三極體處於飽和狀態，如果這時三極體截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態，這個過程需要時間。而mos三極體工作方式不同，沒有這個恢復時間，因此可以用作高速開關管。
（1）場效應管是電壓控制元件，而電晶體是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。
（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好。
（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
（5）場效應電晶體具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被廣泛應用於各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般電晶體很難達到的性能。
（6）場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。